Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
TPH2010FNH,L1Q

TPH2010FNH,L1Q

TPH2010FNH,L1Q
;
TPH2010FNH,L1Q

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена TPH2010FNH,L1Q при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TPH2010FNH,L1Q с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TPH2010FNH,L1Q

TPH2010FNH, L1Q Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 250В
    • Номинальный ток (ID(on)): 5.6А
    • Количество пакетов (SOP): 8
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый динамический ток
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Высокие затраты на производство
    • Зависимость от температуры
    • Необходимость дополнительных компонентов для защиты
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах управления мощностью
    • Применение в источниках питания
    • Работа в системах управления двигателей
    • Использование в бытовой технике и электронике
  • В каких устройствах применяется:
    • Мощные преобразователи напряжения
    • Системы управления двигателей
    • Блоки питания для ноутбуков и компьютеров
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики TPH2010FNH,L1Q

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    250 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    198mOhm @ 2.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 200µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    600 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.6W (Ta), 42W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOP Advance (5x5)
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Base Product Number
    TPH2010

Техническая документация

TPH2010FNH,L1Q.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена TPH2010FNH,L1Q при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TPH2010FNH,L1Q с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TPH2010FNH,L1Q

TPH2010FNH, L1Q Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 250В
    • Номинальный ток (ID(on)): 5.6А
    • Количество пакетов (SOP): 8
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый динамический ток
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Высокие затраты на производство
    • Зависимость от температуры
    • Необходимость дополнительных компонентов для защиты
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах управления мощностью
    • Применение в источниках питания
    • Работа в системах управления двигателей
    • Использование в бытовой технике и электронике
  • В каких устройствах применяется:
    • Мощные преобразователи напряжения
    • Системы управления двигателей
    • Блоки питания для ноутбуков и компьютеров
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики TPH2010FNH,L1Q

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    250 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    198mOhm @ 2.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 200µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    600 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.6W (Ta), 42W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOP Advance (5x5)
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Base Product Number
    TPH2010

Техническая документация

TPH2010FNH,L1Q.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории