Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
TPH2R506PL,L1Q
  • В избранное
  • В сравнение
TPH2R506PL,L1Q

TPH2R506PL,L1Q

TPH2R506PL,L1Q
;
TPH2R506PL,L1Q

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    TPH2R506PL,L1Q
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 100A 8SOPВсе характеристики

Минимальная цена TPH2R506PL,L1Q при покупке от 1 шт 378.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TPH2R506PL,L1Q с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TPH2R506PL,L1Q

TPH2R506PL, L1Q Toshiba MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 60В
    • Номинальный ток пропускания (ID(ON)): 100А
    • Количество пакетов: 8SOP
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении в ON-режиме
    • Малый ток утечки в OFF-режиме
    • Устойчивость к перегреву
    • Минимальная длина тела, обеспечивающая надежную работу при высоких температурах
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют точного управления для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных системах, требующих высокую проводимость
    • Применяются в источниках питания, преобразователях и других системах, где важна высокая эффективность и надежность
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания для компьютеров, серверов и других цифровых устройств
    • Преобразователи напряжения
    • Системы управления двигателем
    • Автомобильные системы, требующие высокой производительности
Выбрано: Показать

Характеристики TPH2R506PL,L1Q

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.4mOhm @ 30A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 500µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    60 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5435 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    132W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOP Advance (5x5)
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Base Product Number
    TPH2R506

Техническая документация

 TPH2R506PL,L1Q.pdf
pdf. 0 kb
  • 4279 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    378 ₽
  • 10
    256 ₽
  • 100
    172 ₽
  • 1000
    131 ₽
  • 5000
    115 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    TPH2R506PL,L1Q
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 100A 8SOPВсе характеристики

Минимальная цена TPH2R506PL,L1Q при покупке от 1 шт 378.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TPH2R506PL,L1Q с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TPH2R506PL,L1Q

TPH2R506PL, L1Q Toshiba MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 60В
    • Номинальный ток пропускания (ID(ON)): 100А
    • Количество пакетов: 8SOP
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении в ON-режиме
    • Малый ток утечки в OFF-режиме
    • Устойчивость к перегреву
    • Минимальная длина тела, обеспечивающая надежную работу при высоких температурах
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют точного управления для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных системах, требующих высокую проводимость
    • Применяются в источниках питания, преобразователях и других системах, где важна высокая эффективность и надежность
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания для компьютеров, серверов и других цифровых устройств
    • Преобразователи напряжения
    • Системы управления двигателем
    • Автомобильные системы, требующие высокой производительности
Выбрано: Показать

Характеристики TPH2R506PL,L1Q

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.4mOhm @ 30A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 500µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    60 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5435 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    132W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOP Advance (5x5)
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Base Product Number
    TPH2R506

Техническая документация

 TPH2R506PL,L1Q.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXTA3N120HVMOSFET N-CH 1200V 3A TO263
    1 582Кешбэк 237 баллов
    SCTW70N120G2VTRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
    6 030Кешбэк 904 балла
    IMW120R020M1HXKSA1SIC DISCRETE
    3 729Кешбэк 559 баллов
    IPA60R099P7XKSA1MOSFET N-CH 600V 31A TO220
    784Кешбэк 117 баллов
    SCT2450KEHRC111200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
    2 231Кешбэк 334 балла
    NTHL019N60S5FSUPERFET5 FRFET, 19MOHM, TO-247-
    3 198Кешбэк 479 баллов
    UJ3C065080T3SТранзистор: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
    1 945Кешбэк 291 балл
    FDA20N50-F109MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
    293Кешбэк 43 балла
    IXFH36N60X3MOSFET ULTRA JCT 600V 36A TO247
    1 751Кешбэк 262 балла
    BUK6Y19-30PXТранзистор: MOSFET P-CH 30V 45A LFPAK56
    270Кешбэк 40 баллов
    NTH4LN095N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    1 717Кешбэк 257 баллов
    IPP60R125C6XKSA1MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
    962Кешбэк 144 балла
    FCH041N65EF-F155MOSFET N-CH 650V 76A TO247
    2 808Кешбэк 421 балл
    IRFF9122P-CHANNEL POWER MOSFET
    333Кешбэк 49 баллов
    IMW120R140M1HXKSA1SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3
    1 271Кешбэк 190 баллов
    2SJ325-AYP-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
    258Кешбэк 38 баллов
    SUP10250E-GE3MOSFET N-CH 250V 63A TO220AB
    482Кешбэк 72 балла
    IPP70N12S311AKSA1MOSFET N-CHANNEL_100+
    726Кешбэк 108 баллов
    IMZ120R350M1HXKSA1SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
    945Кешбэк 141 балл
    IRF644PBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
    335Кешбэк 50 баллов
    SQD10N30-330H_4GE3N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
    406Кешбэк 60 баллов
    RJK6014DPP-00#T2N-CHANNEL POWER MOSFET
    915Кешбэк 137 баллов
    CSD17576Q5BTMOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
    191Кешбэк 28 баллов
    UF3C065040B3MOSFET N-CH 650V 41A TO263
    2 846Кешбэк 426 баллов
    NVTFS5C460NLTAGMOSFET N-CH 40V 19A/74A 8WDFN
    298Кешбэк 44 балла
    IPP50R250CPXKSA1LOW POWER_LEGACY
    426Кешбэк 63 балла
    IPU80R1K2P7AKMA1MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
    152Кешбэк 22 балла
    IXTN400N15X4MOSFET N-CH 150V 400A SOT227B
    8 167Кешбэк 1 225 баллов
    SSM6K514NU,LFMOSFET N-CH 40V 12A 6UDFNB
    119Кешбэк 17 баллов
    BUK9M8R5-40HXMOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33
    346Кешбэк 51 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП