Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
TPN1110ENH,L1Q

TPN1110ENH,L1Q

TPN1110ENH,L1Q
;
TPN1110ENH,L1Q

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена TPN1110ENH,L1Q при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TPN1110ENH,L1Q с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TPN1110ENH,L1Q

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.2A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    114mOhm @ 3.6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 200µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    600 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    700mW (Ta), 39W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-TSON Advance (3.1x3.1)
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Base Product Number
    TPN1110

Техническая документация

TPN1110ENH,L1Q.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена TPN1110ENH,L1Q при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TPN1110ENH,L1Q с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TPN1110ENH,L1Q

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.2A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    114mOhm @ 3.6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 200µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    600 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    700mW (Ta), 39W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-TSON Advance (3.1x3.1)
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Base Product Number
    TPN1110

Техническая документация

TPN1110ENH,L1Q.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории