Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

TPN19008QM,LQ

TPN19008QM,LQ

TPN19008QM,LQ

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Артикул:
TPN19008QM,LQ
Описание:
MOSFET N-CH 80V 34A 8TSONВсе характеристики

Минимальная цена TPN19008QM,LQ при покупке от 1 шт 182.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TPN19008QM,LQ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики TPN19008QM,LQ

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 17A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 40 V
Рассеивание мощности (Макс)
630mW (Ta), 57W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Корпус
8-PowerVDFN
Base Product Number
TPN19008

Техническая документация

TPN19008QM,LQ.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

2327 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
182 ₽
10
136 ₽
500
65 ₽
6000
51 ₽
15000
49 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Артикул:
TPN19008QM,LQ
Описание:
MOSFET N-CH 80V 34A 8TSONВсе характеристики

Минимальная цена TPN19008QM,LQ при покупке от 1 шт 182.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TPN19008QM,LQ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики TPN19008QM,LQ

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 17A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 40 V
Рассеивание мощности (Макс)
630mW (Ta), 57W (Tc)
Рабочая температура
175°C
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Корпус
8-PowerVDFN
Base Product Number
TPN19008

Техническая документация

TPN19008QM,LQ.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

2SJ586CPTL-E P-CHANNEL MOSFET

44Кешбэк 6 баллов

CSD18502Q5BT MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

558Кешбэк 83 балла

DMP2045U-7 MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23

22.4Кешбэк 3 балла

SIRA60DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

294Кешбэк 44 балла

CMUDM7005 TR PBFREE MOSFET N-CH 20V 650MA SOT523

89Кешбэк 13 баллов

IRF224 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET

487Кешбэк 73 балла

IMW120R014M1HXKSA1 SIC DISCRETE

4 788Кешбэк 718 баллов

IPP65R041CFD7XKSA1 650V FET COOLMOS TO247

1 452Кешбэк 217 баллов

IXTA26P20P-TRL Транзистор: MOSFET P-CH 200V 26A TO263

1 454Кешбэк 218 баллов

IPB025N10N3GATMA1 Транзистор: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

1 063Кешбэк 159 баллов

NVTFS6H850NWFTAG MOSFET N-CH 80V 11A/68A 8WDFN

262Кешбэк 39 баллов

DMTH6016LPSQ-13 MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

158Кешбэк 23 балла

FDD86380-F085 MOSFET N-CH 80V 50A DPAK

316Кешбэк 47 баллов

SQJ415EP-T1_GE3 MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8

140Кешбэк 21 балл

SUP70042E-GE3 N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET TO-

671Кешбэк 100 баллов

IMZA120R014M1HXKSA1 SIC DISCRETE

4 860Кешбэк 729 баллов

PMZ600UNEZ Транзистор: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3

45Кешбэк 6 баллов

TSM8N80CI C0G MOSFET N-CH 800V 8A ITO220AB

573Кешбэк 85 баллов

SIRA58ADP-T1-RE3 MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK

314Кешбэк 47 баллов

RS3E180ATTB1 MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP

591Кешбэк 88 баллов

RFD16N05L N-CHANNEL POWER MOSFET

311Кешбэк 46 баллов

SQ2309ES-T1_BE3 MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT23-3

158Кешбэк 23 балла

NTHL040N120SC1 SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

3 675Кешбэк 551 балл

NVMFS5C423NLWFAFT1G MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN

462Кешбэк 69 баллов

FCH085N80-F155 MOSFET N-CH 800V 46A TO247

2 019Кешбэк 302 балла

H5N3011P80-E#T2 N-CHANNEL POWER MOSFET

2 348Кешбэк 352 балла

PMN40XPEAAX SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI

22.5Кешбэк 3 балла

SQ2362ES-T1_BE3 MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3

178Кешбэк 26 баллов

FDBL86062-F085 MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF

1 343Кешбэк 201 балл

STF7N90K5 MOSFET N-CH 900V 7A TO220FP

531Кешбэк 79 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Варикапы и Варакторы

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Диоды - выпрямители - массивы

Диоды - выпрямители - одиночные

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Полевые транзисторы - Модули

Диоды - ВЧ

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Тиристоры - SCR - модули

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Диоды выпрямительные - Одиночные

Диоды силовые

Триодные тиристоры - Модули

Биполярные транзисторы

Драйверы питания - Модули

Диоды выпрямительные - Модули

Полевые транзисторы - Сборки

Транзисторы - Специального назначения

Биполярные транзисторы - Одиночные

Высокочастотные биполярные транзисторы

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Тиристоры - SCR

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Диодные мосты

Модули драйверов питания

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Симисторы - Модули

Диоды - мостовые выпрямители

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Принадлежности

Транзисторы - JFET

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Транзисторы - программируемые однопереходные

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Диодные мосты - Модули

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Высокочастотные полевые транзисторы

IGBT транзисторы

Высокочастотные диоды

Транзисторы - Модули

Триодные тиристоры - Одиночные

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Полевые транзисторы - Одиночные

Симисторы

Тиристоры - TRIACs

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Программируемые однопереходные транзисторы

Диоды выпрямительные - Сборки

Биполярные транзисторы - Сборки

Транзисторы - IGBT - одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Транзисторы - IGBT - модули

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали