Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
TPN30008NH,LQ
  • В избранное
  • В сравнение
TPN30008NH,LQ

TPN30008NH,LQ

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    TPN30008NH,LQ
  • Описание:
    MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSONВсе характеристики

Минимальная цена TPN30008NH,LQ при покупке от 1 шт 244.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TPN30008NH,LQ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TPN30008NH,LQ

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30mOhm @ 4.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    920 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    700mW (Ta), 27W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Base Product Number
    TPN30008

Техническая документация

 TPN30008NH,LQ.pdf
pdf. 0 kb
  • 2590 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    244 ₽
  • 10
    170 ₽
  • 500
    103 ₽
  • 3000
    80 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    TPN30008NH,LQ
  • Описание:
    MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSONВсе характеристики

Минимальная цена TPN30008NH,LQ при покупке от 1 шт 244.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TPN30008NH,LQ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TPN30008NH,LQ

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30mOhm @ 4.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    920 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    700mW (Ta), 27W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Base Product Number
    TPN30008

Техническая документация

 TPN30008NH,LQ.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMP2215L-7MOSFET P-CH 20V 2.7A SOT23-3
    84Кешбэк 12 баллов
    FDBL0210N80MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
    786Кешбэк 117 баллов
    MMBF170MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23
    36Кешбэк 5 баллов
    IXTP2N100PMOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB
    831Кешбэк 124 балла
    FDMS0310ASMOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
    235Кешбэк 35 баллов
    IXKC20N60CMOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
    2 592Кешбэк 388 баллов
    BSP149H6906XTSA1Транзистор: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
    365Кешбэк 54 балла
    DMG7401SFG-7MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
    162Кешбэк 24 балла
    IXFH26N60PMOSFET N-CH 600V 26A TO247AD
    1 780Кешбэк 267 баллов
    IRLR8743TRPBFMOSFET N-CH 30V 160A DPAK
    307Кешбэк 46 баллов
    ZXMN6A25GTAMOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
    242Кешбэк 36 баллов
    NVTFS4C10NTAGMOSFET N-CH 30V 15.3A/47A 8WDFN
    317Кешбэк 47 баллов
    FCPF22N60NTMOSFET N-CH 600V 22A TO220F
    1 174Кешбэк 176 баллов
    SI3476DV-T1-GE3MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP
    151Кешбэк 22 балла
    FDD86113LZТранзистор: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
    248Кешбэк 37 баллов
    IRF7416TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
    224Кешбэк 33 балла
    R6024ENJTLMOSFET N-CH 600V 24A LPTS
    695Кешбэк 104 балла
    PMZ600UNEYLТранзистор: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
    50Кешбэк 7 баллов
    SIHG25N50E-GE3MOSFET N-CH 500V 26A TO247AC
    828Кешбэк 124 балла
    FDP42AN15A0MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO220-3
    550Кешбэк 82 балла
    IRFR5305TRLPBFТранзистор: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
    261Кешбэк 39 баллов
    IRFS7530TRLPBFMOSFET N CH 60V 195A D2PAK
    425Кешбэк 63 балла
    STW4N150MOSFET N-CH 1500V 4A TO247-3
    1 301Кешбэк 195 баллов
    SIHB33N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
    1 368Кешбэк 205 баллов
    IPB180N04S401ATMA1MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
    680Кешбэк 102 балла
    STN4NF20LMOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
    119Кешбэк 17 баллов
    FDB0165N807LMOSFET N-CH 80V 310A TO263-7
    1 513Кешбэк 226 баллов
    NTLUS3C18PZTBGMOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
    65Кешбэк 9 баллов
    IRF9Z14PBFТранзистор: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
    181Кешбэк 27 баллов
    2V7002LT1GMOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
    38Кешбэк 5 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    IGBT транзисторы
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды силовые
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП