Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
TPS1100D
  • В избранное
  • В сравнение
TPS1100D

TPS1100D

TPS1100D
;
TPS1100D

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    TEXAS INSTRUMENTS
  • Артикул:
    TPS1100D
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOICВсе характеристики

Минимальная цена TPS1100D при покупке от 1 шт 273.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TPS1100D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TPS1100D

TPS1100D — это транзистор MOSFET с положительным зарядом (P-Channel) с напряжением питания до 15В и током 1.6А, упаковкой 8SOIC.

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки: 15В
    • Ток стока: 1.6А
    • Упаковка: 8SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря структуре MOSFET с положительным зарядом
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Малый размер и легкость в установке за счет упаковки 8SOIC
  • Минусы:
    • Не подходит для работы с отрицательными напряжениями
    • Требует дополнительного байпаса при использовании с источниками питания выше 15В
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Защита электронных устройств от перегрузок и скачков напряжения
    • Переключение высоких напряжений с низкими токами
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Электронных устройствах с питанием от аккумуляторов
    • Инструментах и оборудовании для домашнего использования
    • Системах управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики TPS1100D

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    15 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.7V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180mOhm @ 1.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.45 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    +2V, -15V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    791mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    TPS1100

Техническая документация

 TPS1100D.pdf
pdf. 0 kb
  • 61 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    273 ₽
  • 5
    245 ₽
  • 25
    217 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    TEXAS INSTRUMENTS
  • Артикул:
    TPS1100D
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOICВсе характеристики

Минимальная цена TPS1100D при покупке от 1 шт 273.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TPS1100D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TPS1100D

TPS1100D — это транзистор MOSFET с положительным зарядом (P-Channel) с напряжением питания до 15В и током 1.6А, упаковкой 8SOIC.

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки: 15В
    • Ток стока: 1.6А
    • Упаковка: 8SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря структуре MOSFET с положительным зарядом
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Малый размер и легкость в установке за счет упаковки 8SOIC
  • Минусы:
    • Не подходит для работы с отрицательными напряжениями
    • Требует дополнительного байпаса при использовании с источниками питания выше 15В
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Защита электронных устройств от перегрузок и скачков напряжения
    • Переключение высоких напряжений с низкими токами
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Электронных устройствах с питанием от аккумуляторов
    • Инструментах и оборудовании для домашнего использования
    • Системах управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики TPS1100D

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    15 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.7V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180mOhm @ 1.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.45 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    +2V, -15V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    791mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    TPS1100

Техническая документация

 TPS1100D.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    CSD17308Q3TТранзистор: MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
    295Кешбэк 44 балла
    CSD17577Q3ATMOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
    280Кешбэк 42 балла
    CSD19534KCSMOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
    357Кешбэк 53 балла
    CSD22204WTMOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
    300Кешбэк 45 баллов
    CSD19501KCSMOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
    466Кешбэк 69 баллов
    CSD18502KCSMOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
    566Кешбэк 84 балла
    CSD19531KCSMOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
    472Кешбэк 70 баллов
    CSD19536KTTTMOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
    1 230Кешбэк 184 балла
    TPS1100DТранзистор: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
    273Кешбэк 40 баллов
    CSD18537NQ5ATMOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
    153Кешбэк 22 балла
    CSD18532Q5BMOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
    531Кешбэк 79 баллов
    CSD18542KCSMOSFET N-CH 60V 200A TO220-3
    433Кешбэк 64 балла
    CSD16340Q3MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
    309Кешбэк 46 баллов
    CSD19536KCSMOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
    985Кешбэк 147 баллов
    SI2302-TPMOSFET N-CH 20V 3A SOT-23
    63Кешбэк 9 баллов
    SI2301-TPMOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
    63Кешбэк 9 баллов
    2N7002W-TPMOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323
    53Кешбэк 7 баллов
    SI3415-TPMOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
    88Кешбэк 13 баллов
    2N7002-GТранзистор: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
    68Кешбэк 10 баллов
    2N7002-HFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23
    52Кешбэк 7 баллов
    SSM3J338R,LFMOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
    68Кешбэк 10 баллов
    SSM3J334R,LFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
    55Кешбэк 8 баллов
    SSM3K56ACT,L3FMOSFET N-CH 20V 1.4A CST3
    22Кешбэк 3 балла
    SSM6K781G,LFMOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
    92Кешбэк 13 баллов
    SSM3K35CTC,L3FMOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
    44Кешбэк 6 баллов
    SSM3K318R,LFMOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
    96Кешбэк 14 баллов
    SSM3J15FV,L3FMOSFET P-CH 30V 100MA VESM
    26Кешбэк 3 балла
    SSM3K72CFS,LFMOSFET N-CH 60V 170MA SSM
    29.5Кешбэк 4 балла
    TPHR8504PL,L1QMOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
    429Кешбэк 64 балла
    TPN7R506NH,L1QMOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
    181Кешбэк 27 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты
    Принадлежности
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП