TRS20N65FB,S1Q

Технические характеристики:

• Модель: TRS20N65FB, S1Q
• Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
• Тип: SIC SBD (Silicon Carbide Schottky Barrier Diode)
• Оболочка: TO-247
• Номинальное напряжение: V=650V
• Номинальный ток: IF=12A

Основные параметры:

• Максимальное напряжение: 800V
• Максимальный ток: 15A (мгновенный)
• Потребляемая мощность: 30W
• Частота работы: до 100kHz

Плюсы:

• Высокая частота работы, что позволяет уменьшить размеры инверторов и конденсаторов.
• Малые потери, особенно при высокой частоте.
• Короткозамкнутая шоттки, что обеспечивает быстрое включение и выключение.
• Высокая надежность, из-за отсутствия электрических полей в области перехода.

Минусы:

• Высокая цена, по сравнению с традиционными диодами.
• Зависимость от температуры, что влияет на характеристики.
• Сложность в проектировании систем, требуются специальные знания и оборудование.

Общее назначение:

• Использование в инверторах и преобразователях питания.
• Защита электронных устройств от обратного тока.
• Применяются в системах управления двигателем.

В каких устройствах применяется:

• Автомобильные системы питания.
• Питание инверторов для бытовых приборов.
• Промышленные преобразователи питания.
• Системы управления двигателями.