TSM110NB04DCR RLG

Транзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V

• Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
• Маркировка: TSM110NB04DCR RLG

Основные параметры:

• VDS (MAX): 40В
• ID (MAX): 10А
• RDS(on) (MAX @ VGS=10V): 0.27Ω
• Qg (MAX): 35nC

Плюсы:

• Высокая мощность: способен работать с токами до 10А.
• Низкий RDS(on): обеспечивает меньшие потери при проводимости.
• Устойчивость к перегрузкам: способен выдерживать значительные пиковые токи.
• Малый размер: компактная конструкция для своего класса.

Минусы:

• Высокие требования к охлаждению: при работе с максимальными токами требуется эффективное охлаждение.
• Необходимо внимание к выбору дросселя: для обеспечения надежной работы.

Общее назначение:

• Используется в различных электронных устройствах для управления током.
• Подходит для применения в системах управления двигателей, преобразователях мощности, блоках питания.
• Способствует повышению эффективности и надежности устройств.

В каких устройствах применяется:

• Автомобильных системах управления двигателем.
• Блоках питания и преобразователях.
• Электроприборах с высокими потреблениями энергии.
• Системах управления промышленным оборудованием.