Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
TSM110NB04LDCR RLG
  • В избранное
  • В сравнение
TSM110NB04LDCR RLG

TSM110NB04LDCR RLG

TSM110NB04LDCR RLG
;
TSM110NB04LDCR RLG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    TSM110NB04LDCR RLG
  • Описание:
    Транзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,Все характеристики

Минимальная цена TSM110NB04LDCR RLG при покупке от 1 шт 222.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TSM110NB04LDCR RLG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TSM110NB04LDCR RLG

TSM110NB04LDCR RLG — это дуальный н-канальный мощный MOSFET (Монолитная Оптическая Схема) с напряжением блокировки 40В.

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки: 40В
    • Максимальный ток: 110А
    • Падение напряжения при максимальном токе: ≤0,08В
    • Температурный диапазон работы: -55°C до +175°C
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость
    • Малое падение напряжения при рабочем токе
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Долгий срок службы из-за отсутствия контактов
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с обычными транзисторами
    • Требуют специального охлаждения для предотвращения перегрева при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в мощных электронных устройствах
    • Контроль высоких токов в системах питания
    • Переключение больших токов в инверторах и преобразователях
  • Применяется в:
    • Автомобильной электронике
    • Инверторах и преобразователях
    • Электронных системах управления двигателем
    • Системах питания и управления электроприборами
Выбрано: Показать

Характеристики TSM110NB04LDCR RLG

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Ta), 48A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1269pF @ 20V
  • Рассеивание мощности
    2W (Ta), 48W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    8-PDFN (5x6)
  • Base Product Number
    TSM110

Техническая документация

 TSM110NB04LDCR RLG.pdf
pdf. 0 kb
  • 4804 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    222 ₽
  • 10
    184 ₽
  • 500
    111 ₽
  • 2500
    91 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    TSM110NB04LDCR RLG
  • Описание:
    Транзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,Все характеристики

Минимальная цена TSM110NB04LDCR RLG при покупке от 1 шт 222.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TSM110NB04LDCR RLG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TSM110NB04LDCR RLG

TSM110NB04LDCR RLG — это дуальный н-канальный мощный MOSFET (Монолитная Оптическая Схема) с напряжением блокировки 40В.

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки: 40В
    • Максимальный ток: 110А
    • Падение напряжения при максимальном токе: ≤0,08В
    • Температурный диапазон работы: -55°C до +175°C
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость
    • Малое падение напряжения при рабочем токе
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Долгий срок службы из-за отсутствия контактов
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с обычными транзисторами
    • Требуют специального охлаждения для предотвращения перегрева при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в мощных электронных устройствах
    • Контроль высоких токов в системах питания
    • Переключение больших токов в инверторах и преобразователях
  • Применяется в:
    • Автомобильной электронике
    • Инверторах и преобразователях
    • Электронных системах управления двигателем
    • Системах питания и управления электроприборами
Выбрано: Показать

Характеристики TSM110NB04LDCR RLG

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Ta), 48A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1269pF @ 20V
  • Рассеивание мощности
    2W (Ta), 48W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    8-PDFN (5x6)
  • Base Product Number
    TSM110

Техническая документация

 TSM110NB04LDCR RLG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMPH6050SSDQ-13Транзистор: MOSFET 2 P-CHANNEL 5.2A 8SO
    252Кешбэк 37 баллов
    DMTH6010LPDQ-13Транзистор: MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI
    219Кешбэк 32 балла
    DMTH6016LPDQ-13Транзистор: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
    230Кешбэк 34 балла
    BSS84DWQ-7Транзистор: BSS FAMILY SOT363 T&R 3K
    87Кешбэк 13 баллов
    DMNH4026SSDQ-13Транзистор: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.5A 8SO
    233Кешбэк 34 балла
    DMN6022SSD-13Транзистор: MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8
    215Кешбэк 32 балла
    DMN1003UCA6-7Транзистор: MOSFET 2 N-CHANNEL X3-DSN3518-6
    161Кешбэк 24 балла
    DMN53D0LDWQ-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
    91Кешбэк 13 баллов
    DMC6040SSDQ-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V 5.1A 8SO
    163Кешбэк 24 балла
    DMP2200UFCL-7Транзистор: MOSFET 8V~24V U-DFN1616-6
    100Кешбэк 15 баллов
    DMPH6050SPDQ-13Транзистор: MOSFET 2 P-CH 26A POWERDI5060-8
    328Кешбэк 49 баллов
    DMT47M2LDVQ-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333
    280Кешбэк 42 балла
    DMTH6016LPD-13Транзистор: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
    283Кешбэк 42 балла
    DMC2038LVTQ-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26
    107Кешбэк 16 баллов
    DMTH8030LPDWQ-13Транзистор: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
    272Кешбэк 40 баллов
    DMN2022UNS-7Транзистор: MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8
    183Кешбэк 27 баллов
    DMP31D7LDW-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363
    63Кешбэк 9 баллов
    2N7002DWK-7Транзистор: 2N7002 FAMILY SOT363 T&R 3K
    37Кешбэк 5 баллов
    DMC4029SK4-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 8.3A TO252
    139Кешбэк 20 баллов
    DMHC4035LSDQ-13Транзистор: MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8
    315Кешбэк 47 баллов
    DMP4025LSDQ-13Транзистор: MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2
    298Кешбэк 44 балла
    DMC21D1UDA-7BТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V X2DFN0806-6
    80Кешбэк 12 баллов
    DMT10H017LPD-13Транзистор: MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
    372Кешбэк 55 баллов
    DMN63D1LV-7Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563
    67Кешбэк 10 баллов
    DMTH6016LSD-13Транзистор: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.6A 8SO
    263Кешбэк 39 баллов
    DMG1026UVQ-7Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V 440MA SOT563
    96Кешбэк 14 баллов
    DMN3012LEG-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
    408Кешбэк 61 балл
    DMN2036UCB4-7Транзистор: MOSFETN-CHAN 24V X2-WLB1616-4
    148Кешбэк 22 балла
    DMPH6050SSD-13Транзистор: MOSFET 2 P-CHANNEL 5.2A 8SO
    228Кешбэк 34 балла
    DMN62D0UDWQ-7Транзистор: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT363 T&R
    91Кешбэк 13 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Варикапы и Варакторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП