Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
TSM160N10LCR RLG
  • В избранное
  • В сравнение
TSM160N10LCR RLG

TSM160N10LCR RLG

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    TSM160N10LCR RLG
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFNВсе характеристики

Минимальная цена TSM160N10LCR RLG при покупке от 1 шт 374.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TSM160N10LCR RLG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TSM160N10LCR RLG

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    46A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16mOhm @ 8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    73 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4431 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    83W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-PDFN (5x6)
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    TSM160

Техническая документация

 TSM160N10LCR RLG.pdf
pdf. 0 kb
  • 2578 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    374 ₽
  • 10
    259 ₽
  • 100
    200 ₽
  • 500
    160 ₽
  • 2500
    128 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    TSM160N10LCR RLG
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFNВсе характеристики

Минимальная цена TSM160N10LCR RLG при покупке от 1 шт 374.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TSM160N10LCR RLG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TSM160N10LCR RLG

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    46A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16mOhm @ 8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    73 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4431 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    83W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-PDFN (5x6)
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    TSM160

Техническая документация

 TSM160N10LCR RLG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STP5N80K5MOSFET N-CH 800V 4A TO220
    423Кешбэк 63 балла
    NVMFS6H836NWFT1GMOSFET N-CH 80V 15A/74A 5DFN
    383Кешбэк 57 баллов
    IXTT3N200P3HVMOSFET N-CH 2000V 3A TO268
    8 988Кешбэк 1 348 баллов
    SCT50N120SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
    5 073Кешбэк 760 баллов
    GCMS080B120S1-E1SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S
    4 126Кешбэк 618 баллов
    TPN19008QM,LQMOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
    185Кешбэк 27 баллов
    NP90N04VLK-E1-AYMOSFET N-CH 40V 90A TO252
    473Кешбэк 70 баллов
    IPP65R065C7POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
    1 230Кешбэк 184 балла
    IPZA60R060P7XKSA1MOSFET N-CH 600V 48A TO247-4
    1 265Кешбэк 189 баллов
    IPD80R4K5P7ATMA1MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252
    205Кешбэк 30 баллов
    SCT3105KLHRC11SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
    2 502Кешбэк 375 баллов
    SUM70101EL-GE3MOSFET P-CH 100V 120A TO263
    951Кешбэк 142 балла
    IPP055N08NF2SAKMA1TRENCH 40<-<100V
    462Кешбэк 69 баллов
    IRFP351N-CHANNEL POWER MOSFET
    425Кешбэк 63 балла
    SIR696DP-T1-GE3MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
    365Кешбэк 54 балла
    NVMFS5C406NWFT1GMOSFET N-CH 40V 52A/353A 5DFN
    1 076Кешбэк 161 балл
    RQ3C150BCTBMOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
    222Кешбэк 33 балла
    SIR106DP-T1-RE3MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
    401Кешбэк 60 баллов
    NTDS015N15MCT4GMOSFET N-CH 150V 11A/50A DPAK
    523Кешбэк 78 баллов
    IPB110N20N3LFATMA1MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
    1 378Кешбэк 206 баллов
    NTBGS1D5N06CPOWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267
    814Кешбэк 122 балла
    IXTX1R4N450HVMOSFET N-CH 4500V 1.4A TO247PLUS
    10 939Кешбэк 1 640 баллов
    SSM3K361R,LFMOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F
    85Кешбэк 12 баллов
    IPB60R090CFD7ATMA1MOSFET N-CH 650V 25A TO263-3-2
    915Кешбэк 137 баллов
    DMP1022UFDEQ-7MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
    172Кешбэк 25 баллов
    SIS890ADN-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
    222Кешбэк 33 балла
    NVTFS016N06CTAGMOSFET N-CH 60V 8A/32A 8WDFN
    281Кешбэк 42 балла
    SQM40N10-30_GE3MOSFET N-CH 100V 40A TO263
    557Кешбэк 83 балла
    STL260N4LF7N-CHANNEL 40 V, 0.00085 OHM TYP.
    584Кешбэк 87 баллов
    DMN65D9L-7MOSFET N-CH 60V 335MA SOT23
    37Кешбэк 5 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП