Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

TSM210N02CX RFG

TSM210N02CX RFG

TSM210N02CX RFG

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Taiwan Semiconductor
Артикул:
TSM210N02CX RFG
Описание:
MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23Все характеристики

Минимальная цена TSM210N02CX RFG при покупке от 1 шт 104.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TSM210N02CX RFG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики TSM210N02CX RFG

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 4A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 10 V
Рассеивание мощности (Макс)
1.56W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
SOT-23
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base Product Number
TSM210

Техническая документация

TSM210N02CX RFG.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

12786 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
104 ₽
100
46 ₽
1000
31 ₽
6000
24 ₽
24000
20.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Taiwan Semiconductor
Артикул:
TSM210N02CX RFG
Описание:
MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23Все характеристики

Минимальная цена TSM210N02CX RFG при покупке от 1 шт 104.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TSM210N02CX RFG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики TSM210N02CX RFG

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 4A, 4.5V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
600 pF @ 10 V
Рассеивание мощности (Макс)
1.56W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
SOT-23
Корпус
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base Product Number
TSM210

Техническая документация

TSM210N02CX RFG.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

TK6R7P06PL,RQ MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK

300Кешбэк 45 баллов

SQS840EN-T1_BE3 N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

247Кешбэк 37 баллов

IPD60R360P7SAUMA1 MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3

227Кешбэк 34 балла

SIRA54DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

334Кешбэк 50 баллов

NTMFS5C673NT1G MOSFET N-CH 60V 14A/50A 5DFN

118Кешбэк 17 баллов

SISS22LDN-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK

258Кешбэк 38 баллов

RSQ020N03HZGTR MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6

165Кешбэк 24 балла

RJK0351DPA-03#J0B N-CHANNEL POWER MOSFET

245Кешбэк 36 баллов

IPB80P04P4L06ATMA2 MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3

476Кешбэк 71 балл

IRFR221 N-CHANNEL POWER MOSFET

98Кешбэк 14 баллов

FDBL86063 MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF

1 432Кешбэк 214 баллов

TK560P60Y,RQ MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK

427Кешбэк 64 балла

HUFA75639S3ST-F085A MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

247Кешбэк 37 баллов

SIS472ADN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 24A PPAK1212-8

138Кешбэк 20 баллов

SIHG186N60EF-GE3 MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC

565Кешбэк 84 балла

IPP330P10NMAKSA1 Транзистор: TRENCH >=100V PG-TO220-3

880Кешбэк 132 балла

FCB260N65S3 MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

703Кешбэк 105 баллов

SQA446CEJW-T1_GE3 AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)

116Кешбэк 17 баллов

IPD60R360P7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3

100Кешбэк 15 баллов

SISA40DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK

214Кешбэк 32 балла

AOT66916L MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO220

865Кешбэк 129 баллов

SIHFZ48S-GE3 MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK

469Кешбэк 70 баллов

BSC030N03MSGATMA1 MOSFET N-CH 30V 21A/100A TDSON

247Кешбэк 37 баллов

NVMFS5C645NT1G MOSFET N-CH 60V 92A 5DFN

471Кешбэк 70 баллов

IAUA250N08S5N018AUMA1 MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5

796Кешбэк 119 баллов

DMP2100UQ-7 MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

68Кешбэк 10 баллов

SI4850BDY-T1-GE3 Транзистор: MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO

182Кешбэк 27 баллов

2SK2425-E N-CHANNEL POWER MOSFET

465Кешбэк 69 баллов

RJK0391DPA-WS#J53 POWER TRANSISTOR, MOSFET

305Кешбэк 45 баллов

TSM900N06CH X0G MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251

179Кешбэк 26 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

IGBT транзисторы

Диодные мосты

Диоды силовые

Биполярные транзисторы

Диоды выпрямительные - Сборки

Диодные мосты - Модули

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Диоды - ВЧ

Транзисторы - IGBT - одиночные

Транзисторы - Специального назначения

Программируемые однопереходные транзисторы

Транзисторы - JFET

Транзисторы - программируемые однопереходные

Тиристоры - TRIACs

Симисторы - Модули

Варикапы и Варакторы

Высокочастотные диоды

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Тиристоры - SCR

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Модули драйверов питания

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Полевые транзисторы - Сборки

Диоды - выпрямители - одиночные

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Симисторы

Транзисторы - IGBT - модули

Принадлежности

Диоды - выпрямители - массивы

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Биполярные транзисторы - Сборки

Высокочастотные полевые транзисторы

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Диоды выпрямительные - Модули

Триодные тиристоры - Одиночные

Полевые транзисторы - Модули

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Транзисторы - Модули

Биполярные транзисторы - Одиночные

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Полевые транзисторы - Одиночные

Триодные тиристоры - Модули

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Диоды выпрямительные - Одиночные

Драйверы питания - Модули

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Высокочастотные биполярные транзисторы

Тиристоры - SCR - модули

Диоды - мостовые выпрямители

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали