Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
TSM250NB06DCR RLG
  • В избранное
  • В сравнение
TSM250NB06DCR RLG

TSM250NB06DCR RLG

TSM250NB06DCR RLG
;
TSM250NB06DCR RLG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    TSM250NB06DCR RLG
  • Описание:
    Транзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,Все характеристики

Минимальная цена TSM250NB06DCR RLG при покупке от 1 шт 256.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TSM250NB06DCR RLG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TSM250NB06DCR RLG

TSM250NB06DCR RLG — это двойной н-канальный силовой MOSFET с напряжением ввода 60В.

  • Основные параметры:
    • Напряжение ввода (VDS(ON)): 60В
    • Размерный ток (ID): 250А
    • Электрический коэффициент передачи (RDS(on)): 15мΩ при ID = 250А
    • Температурный коэффициент RDS(on): +3мΩ/°C
    • Максимальная рабочая температура: 175°C
  • Плюсы:
    • Высокий ток пропускания
    • Низкое значение RDS(on)
    • Стабильное поведение при изменении температуры
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Высокие требования к системе охлаждения из-за высокого тепловыделения при больших токах
    • Сложность в проектировании и использовании для начинающих инженеров
  • Общее назначение:
    • Управление токами в силовых электронных цепях
    • Контроль работы мощных электроприборов и устройств
    • Изменение частоты и амплитуды тока в резонансных цепях
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Мощных преобразователях питания
    • Инверторах
    • Электроприводах
    • Беспроводных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики TSM250NB06DCR RLG

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7A (Ta), 30A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25mOhm @ 7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1461pF @ 30V
  • Рассеивание мощности
    2W (Ta), 48W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    8-PDFN (5x6)
  • Base Product Number
    TSM250

Техническая документация

 TSM250NB06DCR RLG.pdf
pdf. 0 kb
  • 5000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    256 ₽
  • 10
    206 ₽
  • 100
    138 ₽
  • 1000
    102 ₽
  • 5000
    83 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    TSM250NB06DCR RLG
  • Описание:
    Транзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,Все характеристики

Минимальная цена TSM250NB06DCR RLG при покупке от 1 шт 256.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TSM250NB06DCR RLG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TSM250NB06DCR RLG

TSM250NB06DCR RLG — это двойной н-канальный силовой MOSFET с напряжением ввода 60В.

  • Основные параметры:
    • Напряжение ввода (VDS(ON)): 60В
    • Размерный ток (ID): 250А
    • Электрический коэффициент передачи (RDS(on)): 15мΩ при ID = 250А
    • Температурный коэффициент RDS(on): +3мΩ/°C
    • Максимальная рабочая температура: 175°C
  • Плюсы:
    • Высокий ток пропускания
    • Низкое значение RDS(on)
    • Стабильное поведение при изменении температуры
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Высокие требования к системе охлаждения из-за высокого тепловыделения при больших токах
    • Сложность в проектировании и использовании для начинающих инженеров
  • Общее назначение:
    • Управление токами в силовых электронных цепях
    • Контроль работы мощных электроприборов и устройств
    • Изменение частоты и амплитуды тока в резонансных цепях
  • Применяется в:
    • Автомобильных системах
    • Мощных преобразователях питания
    • Инверторах
    • Электроприводах
    • Беспроводных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики TSM250NB06DCR RLG

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7A (Ta), 30A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25mOhm @ 7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1461pF @ 30V
  • Рассеивание мощности
    2W (Ta), 48W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    8-PDFN (5x6)
  • Base Product Number
    TSM250

Техническая документация

 TSM250NB06DCR RLG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SH8KC7TB1Транзистор: 60V 10.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO
    470Кешбэк 70 баллов
    SP8K52FRATBТранзистор: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
    303Кешбэк 45 баллов
    HS8MA2TCR1Транзистор: 30V DUAL COMMON DRAIN PCH+NCH PO
    235Кешбэк 35 баллов
    BSM400D12P3G002Транзистор: 1200V, 358A, HALF BRIDGE, FULL S
    264 565Кешбэк 39 684 балла
    BSM400D12P2G003Транзистор: SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
    484 742Кешбэк 72 711 баллов
    FDG6332C-F085MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
    47Кешбэк 7 баллов
    CSD87503Q3ETТранзистор: 30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM
    304Кешбэк 45 баллов
    CSD87503Q3EТранзистор: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 10A 8SON
    228Кешбэк 34 балла
    CSD86336Q3DТранзистор: 25V POWERBLOCK N CH MOSFET
    313Кешбэк 46 баллов
    CSD87313DMSTТранзистор: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
    539Кешбэк 80 баллов
    CSD86336Q3DTТранзистор: SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
    504Кешбэк 75 баллов
    CSD86356Q5DTТранзистор: SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
    721Кешбэк 108 баллов
    CSD86356Q5DТранзистор: 25V POWERBLOCK N CH MOSFET
    452Кешбэк 67 баллов
    CSD86350Q5DTТранзистор: 25V POWERBLOCK N CH MOSFET
    880Кешбэк 132 балла
    SIX3439K-TPТранзистор: N/P-CHANNELMOSFETSOT-563
    106Кешбэк 15 баллов
    MCQ4828A-TPТранзистор: N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFETSOP-
    167Кешбэк 25 баллов
    SI3134KDW-TPТранзистор: DUAL N-CHANNEL MOSFETSOT-363
    89Кешбэк 13 баллов
    MCM2301-TPТранзистор: P-CHANNEL,MOSFETS,DFN2020-6L PAC
    87Кешбэк 13 баллов
    BSS84DW-TPТранзистор: DUAL P CHANNEL MOSFET, SOT-363
    82Кешбэк 12 баллов
    MCQ4953-TPТранзистор: MOSFET 2 P-CH 30V 5A 8SOP
    106Кешбэк 15 баллов
    2N7002KDW-TPТранзистор: N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-363 PACKAG
    74Кешбэк 11 баллов
    MCMNP2065-TPТранзистор: DUAL N+P-CHANNEL MOSFET, DFN2020
    113Кешбэк 16 баллов
    2N7002KV-TPТранзистор: N-CHANNEL MOSFET SOT-563
    82Кешбэк 12 баллов
    BSS8402DW-TPТранзистор: DUAL N+P-CHANNEL MOSFET, SOT-363
    100Кешбэк 15 баллов
    CJ3139KDW-GТранзистор: MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363
    100Кешбэк 15 баллов
    SSM6L14FE(TE85L,F)Транзистор: X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE
    85Кешбэк 12 баллов
    SSM6P40TU,LFТранзистор: SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS-
    93Кешбэк 13 баллов
    SSM6N815R,LFТранзистор: MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
    133Кешбэк 19 баллов
    SSM6P54TU,LFТранзистор: SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS-
    76Кешбэк 11 баллов
    SSM6P69NU,LFТранзистор: SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS-
    124Кешбэк 18 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Варикапы и Варакторы
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП