Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
TSM250NB06LDCR RLG

TSM250NB06LDCR RLG

TSM250NB06LDCR RLG
;
TSM250NB06LDCR RLG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    TSM250NB06LDCR RLG
  • Описание:
    Транзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,Все характеристики

Минимальная цена TSM250NB06LDCR RLG при покупке от 1 шт 228.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TSM250NB06LDCR RLG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TSM250NB06LDCR RLG

TSM250NB06LDCR RLG — это дуアルная н-канальная мощная MOSFET с напряжением разрыва 60В.

  • Основные параметры:
    • Напряжение разрыва (VDS(ON)): 60В
    • Размеры: 3.9x4.8 мм
    • Тип: MOSFET
    • Количество каналов: Дуальный (для параллельной работы)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении на входе (низкий RDS(on))
    • Малый размер и легкость
    • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
    • Долгий срок службы благодаря высокой надежности
  • Минусы:
    • Необходимо правильное проектирование системы охлаждения из-за возможного перегрева
    • Требуются дополнительные компоненты для защиты от перенапряжений
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов
    • Управление нагрузками в системах управления приводами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Системах питания и регулирования напряжения
    • Приводах для промышленного оборудования
    • Электронных устройствах, требующих высоких токов
Выбрано: Показать

Характеристики TSM250NB06LDCR RLG

Техническая документация

TSM250NB06LDCR RLG.pdf
pdf. 0 kb
  • 2021 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    228 ₽
  • 10
    189 ₽
  • 100
    140 ₽
  • 1000
    102 ₽
  • 5000
    83 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor
  • Артикул:
    TSM250NB06LDCR RLG
  • Описание:
    Транзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,Все характеристики

Минимальная цена TSM250NB06LDCR RLG при покупке от 1 шт 228.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TSM250NB06LDCR RLG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TSM250NB06LDCR RLG

TSM250NB06LDCR RLG — это дуアルная н-канальная мощная MOSFET с напряжением разрыва 60В.

  • Основные параметры:
    • Напряжение разрыва (VDS(ON)): 60В
    • Размеры: 3.9x4.8 мм
    • Тип: MOSFET
    • Количество каналов: Дуальный (для параллельной работы)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении на входе (низкий RDS(on))
    • Малый размер и легкость
    • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
    • Долгий срок службы благодаря высокой надежности
  • Минусы:
    • Необходимо правильное проектирование системы охлаждения из-за возможного перегрева
    • Требуются дополнительные компоненты для защиты от перенапряжений
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов
    • Управление нагрузками в системах управления приводами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Системах питания и регулирования напряжения
    • Приводах для промышленного оборудования
    • Электронных устройствах, требующих высоких токов
Выбрано: Показать

Характеристики TSM250NB06LDCR RLG

Техническая документация

TSM250NB06LDCR RLG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории