Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
TSM2537CQ RFG
  • В избранное
  • В сравнение
TSM2537CQ RFG

TSM2537CQ RFG

TSM2537CQ RFG
;
TSM2537CQ RFG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    TSM2537CQ RFG
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFNВсе характеристики

Минимальная цена TSM2537CQ RFG при покупке от 1 шт 171.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TSM2537CQ RFG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TSM2537CQ RFG

TSM2537CQ RFG — это MOSFET N/P-канальный транзистор, произведенный Taiwan Semiconductor Corporation (TSMC). Давайте рассмотрим его основные характеристики, преимущества и недостатки, а также область применения.

  • Напряжение блокировки: 20В
  • Ток пропускания: 11.6А (N-канальный) / 9А (P-канальный)
  • Пакет: 6TDFN

Преимущества:

  • Высокая надежность: благодаря использованию качественных материалов и технологий производства TSMC.
  • Эффективность: низкий коэффициент сопротивления при включении (RDSON) обеспечивает эффективное использование энергии.
  • Малый размер: 6TDFN пакет позволяет экономить пространство на печатной плате.
  • Устойчивость к перегреву: благодаря эффективному отводу тепла.

Недостатки:

  • Ограниченный ток: для P-канального MOSFET максимальный ток ниже, чем для N-канального.
  • Цена: производство на высококачественном оборудовании может повлиять на стоимость.

Общее назначение и области применения:

  • Автомобильная электроника: например, системы управления двигателем.
  • Системы питания: преобразователи и регуляторы напряжения.
  • Мощные источники питания: для устройств с высокими потребностями в энергии.
  • Радиоэлектронные устройства: в составе усилителей и других компонентов.
Выбрано: Показать

Характеристики TSM2537CQ RFG

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 1.8V Drive
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11.6A (Tc), 9A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55mOhm @ 5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    677pF @ 10V, 744pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    6.25W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-VDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    6-TDFN (2x2)
  • Base Product Number
    TSM2537

Техническая документация

 TSM2537CQ RFG.pdf
pdf. 0 kb
  • 14771 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    171 ₽
  • 100
    69 ₽
  • 1000
    48 ₽
  • 6000
    38 ₽
  • 15000
    34.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    TSM2537CQ RFG
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFNВсе характеристики

Минимальная цена TSM2537CQ RFG при покупке от 1 шт 171.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TSM2537CQ RFG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TSM2537CQ RFG

TSM2537CQ RFG — это MOSFET N/P-канальный транзистор, произведенный Taiwan Semiconductor Corporation (TSMC). Давайте рассмотрим его основные характеристики, преимущества и недостатки, а также область применения.

  • Напряжение блокировки: 20В
  • Ток пропускания: 11.6А (N-канальный) / 9А (P-канальный)
  • Пакет: 6TDFN

Преимущества:

  • Высокая надежность: благодаря использованию качественных материалов и технологий производства TSMC.
  • Эффективность: низкий коэффициент сопротивления при включении (RDSON) обеспечивает эффективное использование энергии.
  • Малый размер: 6TDFN пакет позволяет экономить пространство на печатной плате.
  • Устойчивость к перегреву: благодаря эффективному отводу тепла.

Недостатки:

  • Ограниченный ток: для P-канального MOSFET максимальный ток ниже, чем для N-канального.
  • Цена: производство на высококачественном оборудовании может повлиять на стоимость.

Общее назначение и области применения:

  • Автомобильная электроника: например, системы управления двигателем.
  • Системы питания: преобразователи и регуляторы напряжения.
  • Мощные источники питания: для устройств с высокими потребностями в энергии.
  • Радиоэлектронные устройства: в составе усилителей и других компонентов.
Выбрано: Показать

Характеристики TSM2537CQ RFG

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 1.8V Drive
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11.6A (Tc), 9A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55mOhm @ 5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    677pF @ 10V, 744pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    6.25W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-VDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    6-TDFN (2x2)
  • Base Product Number
    TSM2537

Техническая документация

 TSM2537CQ RFG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SQJ262EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
    349Кешбэк 52 балла
    SIZF906BDT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
    508Кешбэк 76 баллов
    SIZ340BDT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
    206Кешбэк 30 баллов
    SIZ988DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
    335Кешбэк 50 баллов
    SQJQ906E-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
    623Кешбэк 93 балла
    SIZ350DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR
    307Кешбэк 46 баллов
    SIA938DJT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
    171Кешбэк 25 баллов
    SIS903DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
    278Кешбэк 41 балл
    SIZ260DT-T1-GE3MOSFET DUAL N-CH 80V POWERPAIR 3
    322Кешбэк 48 баллов
    SQJ912DEP-T1_GE3Транзистор: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
    289Кешбэк 43 балла
    SQJ914EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
    340Кешбэк 51 балл
    SI6954ADQ-T1-BE3Транзистор: N-CHANNEL 2.5-V (G-S) BATTERY SW
    316Кешбэк 47 баллов
    SQJB40EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
    318Кешбэк 47 баллов
    SQ3989EV-T1_BE3Транзистор: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
    158Кешбэк 23 балла
    SQJ560EP-T1_BE3Транзистор: N- AND P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C
    348Кешбэк 52 балла
    SI6926ADQ-T1-BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFE
    329Кешбэк 49 баллов
    SI1900DL-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V SC70-6
    164Кешбэк 24 балла
    SQJ940EP-T1_GE3MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8
    368Кешбэк 55 баллов
    SIZ270DT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE
    360Кешбэк 54 балла
    SI1922EDH-T1-BE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
    121Кешбэк 18 баллов
    SQ4937EY-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SOIC
    338Кешбэк 50 баллов
    SQJ504EP-T1_BE3Транзистор: N- AND P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C
    370Кешбэк 55 баллов
    SQJ204EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L
    373Кешбэк 55 баллов
    SIA928DJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
    79Кешбэк 11 баллов
    SQJB68EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
    257Кешбэк 38 баллов
    SIZ980DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
    399Кешбэк 59 баллов
    SI4946CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8
    222Кешбэк 33 балла
    SI7252ADP-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE
    436Кешбэк 65 баллов
    SI5948DU-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 40V 6A POWERPAK
    193Кешбэк 28 баллов
    SQS966ENW-T1_GE3Транзистор: MOSFET N-CHAN 60V
    188Кешбэк 28 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП