Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

TSM60NB380CP ROG

TSM60NB380CP ROG

TSM60NB380CP ROG

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул:
TSM60NB380CP ROG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO252Все характеристики

Минимальная цена TSM60NB380CP ROG при покупке от 1 шт 395.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TSM60NB380CP ROG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики TSM60NB380CP ROG

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 2.85A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
795 pF @ 100 V
Рассеивание мощности (Макс)
83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
TO-252, (D-Pak)
Корпус
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
TSM60

Техническая документация

TSM60NB380CP ROG.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

73 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
395 ₽
5
354 ₽
25
314 ₽
100
281 ₽
1000
262 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул:
TSM60NB380CP ROG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO252Все характеристики

Минимальная цена TSM60NB380CP ROG при покупке от 1 шт 395.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TSM60NB380CP ROG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики TSM60NB380CP ROG

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 2.85A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
795 pF @ 100 V
Рассеивание мощности (Макс)
83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
TO-252, (D-Pak)
Корпус
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
TSM60

Техническая документация

TSM60NB380CP ROG.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

SUP70042E-GE3 N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET TO-

681Кешбэк 102 балла

APT5010JVFR MOSFET N-CH 500V 44A ISOTOP

7 577Кешбэк 1 136 баллов

RVQ040N05HZGTR MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6

113Кешбэк 16 баллов

NTE2397 MOSFET N-CHANNEL 400V 10A TO220

895Кешбэк 134 балла

SSM3J66MFV,L3XHF AUTO AEC-Q SS MOS P-CH LOW VOLTA

63Кешбэк 9 баллов

SQM40016EM_GE3 MOSFET N-CH 40V 250A TO263-7

619Кешбэк 92 балла

RK7002BMHZGT116 MOSFET N-CH 60V 250MA SST3

43Кешбэк 6 баллов

RQ3L090GNTB MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT

292Кешбэк 43 балла

DMP3036SFV-7 MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333

132Кешбэк 19 баллов

CSD18534Q5AT Транзистор: MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 8VSON

413Кешбэк 61 балл

NTMFS5C646NT1G MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN

220Кешбэк 33 балла

SIR870ADP-T1-RE3 MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

478Кешбэк 71 балл

FCD260N65S3 MOSFET N-CH 650V 12A TO252

386Кешбэк 57 баллов

IRFS630A N-CHANNEL POWER MOSFET

118Кешбэк 17 баллов

FDC5661N-F085 MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6

159Кешбэк 23 балла

SD214DE TO-72 4L HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO

1 587Кешбэк 238 баллов

BSZ160N10NS3GATMA1 MOSFET N-CH 100V 8A/40A 8TSDSON

282Кешбэк 42 балла

C3M0120065K 650V 120M SIC MOSFET

1 742Кешбэк 261 балл

IXTP4N70X2M MOSFET N-CH 700V 4A TO220

345Кешбэк 51 балл

IPB107N20NAATMA1 MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK

1 272Кешбэк 190 баллов

IXFH270N06T3 MOSFET N-CH 60V 270A TO247

1 571Кешбэк 235 баллов

IXFH56N30X3 MOSFET N-CH 300V 56A TO247

1 759Кешбэк 263 балла

R6576KNZ4C13 650V 76A TO-247, HIGH-SPEED SWIT

2 905Кешбэк 435 баллов

SCT3120AW7TL SICFET N-CH 650V 21A TO263-7

1 964Кешбэк 294 балла

H5N2901FN-E N-CHANNEL POWER MOSFET

461Кешбэк 69 баллов

STD40P8F6AG MOSFET P-CH 80V DPAK

425Кешбэк 63 балла

RQ3G110ATTB PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF

399Кешбэк 59 баллов

IPC90N04S5L3R3ATMA1 MOSFET N-CH 40V 90A 8TDSON-34

221Кешбэк 33 балла

2SK1589(0)-T1B-A SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

70Кешбэк 10 баллов

SI2301BDS-T1-BE3 P-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET

138Кешбэк 20 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Диодные мосты

Биполярные транзисторы - Одиночные

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Варикапы и Варакторы

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Тиристоры - TRIACs

Диоды - ВЧ

Динисторы (DIAC, SIDAC)

IGBT транзисторы

Высокочастотные полевые транзисторы

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Принадлежности

Полевые транзисторы - Одиночные

Диоды - мостовые выпрямители

Транзисторы - программируемые однопереходные

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Диодные мосты - Модули

Биполярные транзисторы - Сборки

Диоды силовые

Тиристоры - SCR

Диоды - выпрямители - массивы

Диоды выпрямительные - Одиночные

Диоды выпрямительные - Сборки

Модули драйверов питания

Транзисторы - JFET

Высокочастотные биполярные транзисторы

Тиристоры - SCR - модули

Диоды - выпрямители - одиночные

Транзисторы - IGBT - одиночные

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Симисторы

Драйверы питания - Модули

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Триодные тиристоры - Модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Транзисторы - IGBT - модули

Симисторы - Модули

Транзисторы - Специального назначения

Программируемые однопереходные транзисторы

Триодные тиристоры - Одиночные

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Транзисторы - Модули

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Высокочастотные диоды

Полевые транзисторы - Сборки

Диоды выпрямительные - Модули

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Биполярные транзисторы

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Полевые транзисторы - Модули

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали