Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
TSM6502CR RLG
  • В избранное
  • В сравнение
TSM6502CR RLG

TSM6502CR RLG

TSM6502CR RLG
;
TSM6502CR RLG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    TSM6502CR RLG
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFNВсе характеристики

Минимальная цена TSM6502CR RLG при покупке от 1 шт 291.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TSM6502CR RLG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TSM6502CR RLG

TSM6502CR RLG — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) типа N/P-канальный с напряжением срабатывания 60В и током тока до 24А при частоте до 18А. Компонент представлен в пакете 8PDFN.

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N/P-канальный
    • Напряжение срабатывания: 60В
    • Ток тока: 24А (до 18А)
    • Пакет: 8PDFN
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость
    • Малый динамический ток
    • Низкое напряжение включения
    • Высокая скорость переключения
    • Малые размеры и масса из-за компактного пакета 8PDFN
  • Минусы:
    • Существует риск перегрева при неправильном использовании
    • Необходимо правильное проектирование системы охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих высокой проводимости и быстрого переключения
    • Применяется в инверторах для управления двигателем, преобразователях энергии, системах питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Инверторах для промышленной автоматики
    • Преобразователях энергии для солнечных панелей
    • Системах питания для серверных шкафов
Выбрано: Показать

Характеристики TSM6502CR RLG

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    24A (Tc), 18A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
  • Рассеивание мощности
    40W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    8-PDFN (5x6)
  • Base Product Number
    TSM6502

Техническая документация

 TSM6502CR RLG.pdf
pdf. 0 kb
  • 9468 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    291 ₽
  • 10
    184 ₽
  • 500
    97 ₽
  • 2500
    79 ₽
  • 7500
    70 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    TSM6502CR RLG
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFNВсе характеристики

Минимальная цена TSM6502CR RLG при покупке от 1 шт 291.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TSM6502CR RLG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TSM6502CR RLG

TSM6502CR RLG — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) типа N/P-канальный с напряжением срабатывания 60В и током тока до 24А при частоте до 18А. Компонент представлен в пакете 8PDFN.

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N/P-канальный
    • Напряжение срабатывания: 60В
    • Ток тока: 24А (до 18А)
    • Пакет: 8PDFN
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость
    • Малый динамический ток
    • Низкое напряжение включения
    • Высокая скорость переключения
    • Малые размеры и масса из-за компактного пакета 8PDFN
  • Минусы:
    • Существует риск перегрева при неправильном использовании
    • Необходимо правильное проектирование системы охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих высокой проводимости и быстрого переключения
    • Применяется в инверторах для управления двигателем, преобразователях энергии, системах питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Инверторах для промышленной автоматики
    • Преобразователях энергии для солнечных панелей
    • Системах питания для серверных шкафов
Выбрано: Показать

Характеристики TSM6502CR RLG

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    24A (Tc), 18A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
  • Рассеивание мощности
    40W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    8-PDFN (5x6)
  • Base Product Number
    TSM6502

Техническая документация

 TSM6502CR RLG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SQJ244EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L
    376Кешбэк 56 баллов
    SQJ963EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8
    476Кешбэк 71 балл
    SQ3987EV-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 3A 6TSOP
    183Кешбэк 27 баллов
    SQJB70EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
    274Кешбэк 41 балл
    SI6562CDQ-T1-BE3Транзистор: N- AND P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSF
    287Кешбэк 43 балла
    SQ4946CEY-T1_GE3Транзистор: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 60 V (
    170Кешбэк 25 баллов
    SQJB68EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
    278Кешбэк 41 балл
    SQJ968EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
    302Кешбэк 45 баллов
    SQJ914EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
    342Кешбэк 51 балл
    SQJ992EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
    358Кешбэк 53 балла
    SQJB46ELP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C M
    326Кешбэк 48 баллов
    SIZ998DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
    387Кешбэк 58 баллов
    SI7223DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
    269Кешбэк 40 баллов
    SQJ951EP-T1_GE3MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK
    398Кешбэк 59 баллов
    SQ4282EY-T1_BE3Транзистор: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
    380Кешбэк 57 баллов
    SIZ926DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
    341Кешбэк 51 балл
    SQ4949EY-T1_BE3Транзистор: MOSFET 2 P-CH 30V 7.5A 8SOIC
    432Кешбэк 64 балла
    SQJB80EP-T1_BE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C M
    321Кешбэк 48 баллов
    SIZF920DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5
    487Кешбэк 73 балла
    SQJ570EP-T1_BE3Транзистор: N- AND P-CHANNEL 100-V (D-S) 175
    302Кешбэк 45 баллов
    SIZ256DT-T1-GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
    343Кешбэк 51 балл
    SQ3985EV-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 P-CH 20V 3.9A 6TSOP
    122Кешбэк 18 баллов
    SQJB48EP-T1_GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
    393Кешбэк 58 баллов
    SQJB46ELP-T1_GE3Транзистор: AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
    326Кешбэк 48 баллов
    SQ4282EY-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
    380Кешбэк 57 баллов
    SQJ992EP-T2_GE3Транзистор: DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
    274Кешбэк 41 балл
    SQJ980AEP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8
    343Кешбэк 51 балл
    SQS944ENW-T1_GE3MOSFET N-CHAN 40V
    274Кешбэк 41 балл
    SQJ912BEP-T1_GE3Транзистор: MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
    285Кешбэк 42 балла
    SQJ952EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
    372Кешбэк 55 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды силовые
    Диоды - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП