Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

TSM680P06CP ROG

TSM680P06CP ROG

TSM680P06CP ROG

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Артикул:
TSM680P06CP ROG
Описание:
MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO252Все характеристики

Минимальная цена TSM680P06CP ROG при покупке от 1 шт 181.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TSM680P06CP ROG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики TSM680P06CP ROG

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
68mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 30 V
Рассеивание мощности (Макс)
20W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
TO-252, (D-Pak)
Корпус
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
TSM680

Техническая документация

TSM680P06CP ROG.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

9895 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
181 ₽
100
87 ₽
1000
61 ₽
5000
50 ₽
12500
45 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Артикул:
TSM680P06CP ROG
Описание:
MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO252Все характеристики

Минимальная цена TSM680P06CP ROG при покупке от 1 шт 181.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TSM680P06CP ROG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики TSM680P06CP ROG

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
68mOhm @ 6A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 30 V
Рассеивание мощности (Макс)
20W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
TO-252, (D-Pak)
Корпус
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
TSM680

Техническая документация

TSM680P06CP ROG.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

IAUT165N08S5N029ATMA2 MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF

528Кешбэк 79 баллов

UJ4C075033K4S 750V/33MOHM, SIC, CASCODE, G4, T

2 967Кешбэк 445 баллов

IPP65R190CFDXKSA2 MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3

656Кешбэк 98 баллов

SI7850ADP-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 10.3A/12A PPAK

262Кешбэк 39 баллов

IPA80R600P7XKSA1 MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220

358Кешбэк 53 балла

ISC019N04NM5ATMA1 40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8

262Кешбэк 39 баллов

PSMN1R7-40YLDX MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56

617Кешбэк 92 балла

TSM60NB099CF C0G MOSFET N-CH 600V 38A ITO220S

1 343Кешбэк 201 балл

NTP360N80S3Z MOSFET N-CH 800V 13A TO220-3

708Кешбэк 106 баллов

IPD50N06S4L12ATMA2 MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31

192Кешбэк 28 баллов

RS3L140GNGZETB NCH 60V 14A POWER MOSFET: RS3L14

567Кешбэк 85 баллов

IPB320P10LMATMA1 TRENCH >=100V PG-TO263-3

922Кешбэк 138 баллов

DMN2044UCB4-7 MOSFET N-CH 20V 3.3A U-WLB1010-4

140Кешбэк 21 балл

STF26N60DM6 MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP

780Кешбэк 117 баллов

2SK1399-T2B-A SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

41Кешбэк 6 баллов

RS1P600BETB1 MOSFET N-CH 100V 17.5A/60A 8HSOP

702Кешбэк 105 баллов

IPW60R160P6 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

689Кешбэк 103 балла

IMBG120R220M1HXTMA1 SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263

1 060Кешбэк 159 баллов

SCT3060ALGC11 SICFET N-CH 650V 39A TO247N

2 836Кешбэк 425 баллов

CSD13385F5 MOSFET N-CH 12V 4.3A 3PICOSTAR

87Кешбэк 13 баллов

IPD025N06NATMA1 MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

491Кешбэк 73 балла

SIHF080N60E-GE3 E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL

883Кешбэк 132 балла

C3M0060065D SICFET N-CH 650V 37A TO247-3

3 627Кешбэк 544 балла

2SK1464 N-CHANNEL POWER MOSFET

1 363Кешбэк 204 балла

IPB60R199CPATMA1 MOSFET N-CH 650V 16A TO263-3

667Кешбэк 100 баллов

SFI9630TU P-CHANNEL POWER MOSFET

102Кешбэк 15 баллов

SI2300-TP MOSFET N-CH 20V 4.5A SOT23

89Кешбэк 13 баллов

RQ7L050ATTCR PCH -60V -5A SMALL SIGNAL POWER

305Кешбэк 45 баллов

RTR025P02HZGTL MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3

183Кешбэк 27 баллов

IXTH04N300P3HV MOSFET N-CH 3000V 400MA TO247HV

4 770Кешбэк 715 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Принадлежности

Высокочастотные биполярные транзисторы

Симисторы - Модули

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Диодные мосты

Модули драйверов питания

Биполярные транзисторы - Одиночные

Диоды выпрямительные - Модули

Высокочастотные диоды

Диоды - ВЧ

Симисторы

Диоды - мостовые выпрямители

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Полевые транзисторы - Сборки

Диоды выпрямительные - Сборки

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Транзисторы - Специального назначения

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Динисторы (DIAC, SIDAC)

IGBT транзисторы

Транзисторы - IGBT - одиночные

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Диоды выпрямительные - Одиночные

Транзисторы - программируемые однопереходные

Триодные тиристоры - Одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Высокочастотные полевые транзисторы

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Тиристоры - SCR

Полевые транзисторы - Одиночные

Тиристоры - TRIACs

Транзисторы - JFET

Диоды силовые

Биполярные транзисторы

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Диоды - выпрямители - одиночные

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Тиристоры - SCR - модули

Драйверы питания - Модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Полевые транзисторы - Модули

Варикапы и Варакторы

Транзисторы - Модули

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Программируемые однопереходные транзисторы

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Диоды - выпрямители - массивы

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Биполярные транзисторы - Сборки

Триодные тиристоры - Модули

Диодные мосты - Модули

Транзисторы - IGBT - модули

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали