Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

TSM80N950CP ROG

TSM80N950CP ROG

TSM80N950CP ROG

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Taiwan Semiconductor
Артикул:
TSM80N950CP ROG
Описание:
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252Все характеристики

Минимальная цена TSM80N950CP ROG при покупке от 1 шт 709.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TSM80N950CP ROG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики TSM80N950CP ROG

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
691 pF @ 100 V
Рассеивание мощности (Макс)
110W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
TO-252, (D-Pak)
Корпус
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
TSM80

Техническая документация

TSM80N950CP ROG.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

5 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
709 ₽
10
465 ₽
100
342 ₽
500
305 ₽
1000
288 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Taiwan Semiconductor
Артикул:
TSM80N950CP ROG
Описание:
MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252Все характеристики

Минимальная цена TSM80N950CP ROG при покупке от 1 шт 709.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TSM80N950CP ROG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики TSM80N950CP ROG

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 3A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
691 pF @ 100 V
Рассеивание мощности (Макс)
110W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
TO-252, (D-Pak)
Корпус
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
TSM80

Техническая документация

TSM80N950CP ROG.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

25P06 P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T

231Кешбэк 34 балла

BSS138IXTSA1 SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3

26Кешбэк 3 балла

2SJ598-AY SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

180Кешбэк 27 баллов

IRFR120PBF-BE3 Транзистор: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

294Кешбэк 44 балла

HUF75339S3ST N-CHANNEL POWER MOSFET

257Кешбэк 38 баллов

DMNH6012SPSQ-13 MOSFET N-CH 60V 50A PWRDI5060-8

320Кешбэк 48 баллов

TK190A65Z,S4X Транзистор: MOSFET N-CH 650V 15A TO220SIS

772Кешбэк 115 баллов

SIHG080N60E-GE3 E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,

1 067Кешбэк 160 баллов

STF16N90K5 MOSFET N-CH 900V 15A TO220FP

1 095Кешбэк 164 балла

2N7002 TR13 PBFREE MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23

59Кешбэк 8 баллов

PJD50P04-AU_L2_000A1 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

290Кешбэк 43 балла

IPD60R280P7SAUMA1 MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3

265Кешбэк 39 баллов

RJ1L12BGNTLL NCH 60V 120A POWER MOSFET : RJ1L

1 202Кешбэк 180 баллов

BUK9M67-60ELX SINGLE N-CHANNEL 60 V, 44 MOHM L

254Кешбэк 38 баллов

FCD360N65S3R0 MOSFET N-CH 650V 10A DPAK

270Кешбэк 40 баллов

MTW16N40E N-CHANNEL POWER MOSFET

358Кешбэк 53 балла

SQJA00EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

231Кешбэк 34 балла

AOI950A70 MOSFET N-CH 700V 5A TO251A

353Кешбэк 52 балла

SISA96DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8

99Кешбэк 14 баллов

MCH6336-TL-E MOSFET P-CH 12V 5A SC88FL/ MCPH6

46Кешбэк 6 баллов

TPH1R306P1,L1Q MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP

513Кешбэк 76 баллов

IXTY01N100D-TRL MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA

928Кешбэк 139 баллов

SQJA82EP-T1_BE3 N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

318Кешбэк 47 баллов

IXTA4N150HV MOSFET N-CH 1500V 4A TO263

2 550Кешбэк 382 балла

CSD18510KTT MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK

551Кешбэк 82 балла

SQS414CENW-T1_GE3 AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

178Кешбэк 26 баллов

IXFA72N30X3 MOSFET N-CH 300V 72A TO263AA

1 838Кешбэк 275 баллов

SQJ446EP-T1_BE3 N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

369Кешбэк 55 баллов

NVMFS5C673NT1G MOSFET N-CH 60V 14A/50A 5DFN

351Кешбэк 52 балла

IPD90P03P4L04ATMA2 MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31

468Кешбэк 70 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Симисторы - Модули

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Полевые транзисторы - Модули

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

IGBT транзисторы

Полевые транзисторы - Одиночные

Диоды выпрямительные - Одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Полевые транзисторы - Сборки

Диоды - ВЧ

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Триодные тиристоры - Одиночные

Высокочастотные диоды

Транзисторы - IGBT - одиночные

Высокочастотные биполярные транзисторы

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Триодные тиристоры - Модули

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Транзисторы - Модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Диоды выпрямительные - Модули

Диоды - выпрямители - массивы

Варикапы и Варакторы

Тиристоры - SCR

Транзисторы - Специального назначения

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Драйверы питания - Модули

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Биполярные транзисторы - Сборки

Диодные мосты

Высокочастотные полевые транзисторы

Транзисторы - IGBT - модули

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Симисторы

Биполярные транзисторы

Тиристоры - SCR - модули

Диодные мосты - Модули

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Диоды - мостовые выпрямители

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Диоды силовые

Биполярные транзисторы - Одиночные

Модули драйверов питания

Диоды - выпрямители - одиночные

Принадлежности

Транзисторы - программируемые однопереходные

Транзисторы - JFET

Тиристоры - TRIACs

Диоды выпрямительные - Сборки

Программируемые однопереходные транзисторы

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали