Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
TT8K11TCR

TT8K11TCR

TT8K11TCR
;
TT8K11TCR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена TT8K11TCR при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TT8K11TCR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TT8K11TCR

TT8K11TCR Rohm Semiconductor Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3A TSST8

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOS-транзистор)
  • Количество каналов (N-Channel): 1
  • Номинальное напряжение: 30В
  • Номинальный ток: 3А
  • Обозначение производителя: TSST8

    • Плюсы:

    • Высокая скорость переключения
  • Малые потери при работе
  • Устойчивость к обратному напряжению
  • Долгий срок службы

    • Минусы:

    • Относительно высокая цена по сравнению с другими типами транзисторов
  • Необходимо соблюдение правил проектирования для предотвращения перегрева

    • Общее назначение: Используется для управления электрическим током в различных электронных устройствах.

    В каких устройствах применяется:

    • Блоки питания
  • Инверторы
  • Системы управления двигателем
  • Маршрутизаторы и другие сетевые устройства
  • Автомобильная электроника
    • Выбрано: Показать

    Характеристики TT8K11TCR

    • Package
      Cut Tape (CT)
    • Package
      Digi-Reel®
    • Тип полевого транзистора
      2 N-Channel (Dual)
    • Особенности полевого транзистора
      Logic Level Gate, 4V Drive
    • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
      30V
    • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
      3A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
      71mOhm @ 3A, 10V
    • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
      2.5V @ 1A
    • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
      2.5nC @ 5V
    • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
      140pF @ 10V
    • Рассеивание мощности
      1W
    • Рабочая температура
      150°C (TJ)
    • Вид монтажа
      Surface Mount
    • Корпус
      8-SMD, Flat Lead
    • Исполнение корпуса
      8-TSST
    • Base Product Number
      TT8K11

    Техническая документация

    TT8K11TCR.pdf
    pdf. 0 kb
    • по запросу

    Кешбэк 1 балл

    Авторизируйтесь, чтобы
    снизить цену

    Минимальная цена TT8K11TCR при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TT8K11TCR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

    Описание TT8K11TCR

    TT8K11TCR Rohm Semiconductor Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3A TSST8

    • Основные параметры:
      • Тип: MOSFET (MOS-транзистор)
    • Количество каналов (N-Channel): 1
  • Номинальное напряжение: 30В
  • Номинальный ток: 3А
  • Обозначение производителя: TSST8

    • Плюсы:

    • Высокая скорость переключения
  • Малые потери при работе
  • Устойчивость к обратному напряжению
  • Долгий срок службы

    • Минусы:

    • Относительно высокая цена по сравнению с другими типами транзисторов
  • Необходимо соблюдение правил проектирования для предотвращения перегрева

    • Общее назначение: Используется для управления электрическим током в различных электронных устройствах.

    В каких устройствах применяется:

    • Блоки питания
  • Инверторы
  • Системы управления двигателем
  • Маршрутизаторы и другие сетевые устройства
  • Автомобильная электроника
    • Выбрано: Показать

    Характеристики TT8K11TCR

    • Package
      Cut Tape (CT)
    • Package
      Digi-Reel®
    • Тип полевого транзистора
      2 N-Channel (Dual)
    • Особенности полевого транзистора
      Logic Level Gate, 4V Drive
    • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
      30V
    • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
      3A
    • Rds On (Max) @ Id, Vgs
      71mOhm @ 3A, 10V
    • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
      2.5V @ 1A
    • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
      2.5nC @ 5V
    • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
      140pF @ 10V
    • Рассеивание мощности
      1W
    • Рабочая температура
      150°C (TJ)
    • Вид монтажа
      Surface Mount
    • Корпус
      8-SMD, Flat Lead
    • Исполнение корпуса
      8-TSST
    • Base Product Number
      TT8K11

    Техническая документация

    TT8K11TCR.pdf
    pdf. 0 kb

    Похожие товары

    Все товары
    Похожие товары

    Похожие категории

    Все товары
    Похожие категории