Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
TTC015B,Q
  • В избранное
  • В сравнение
TTC015B,Q

TTC015B,Q

TTC015B,Q
;
TTC015B,Q

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    TTC015B,Q
  • Описание:
    Транзистор: PB-F POWER TRANSISTOR TO-126N PCВсе характеристики

Минимальная цена TTC015B,Q при покупке от 1 шт 185.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TTC015B,Q с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TTC015B,Q

Транзистор TTC015B, Q от Toshiba Semiconductor and Storage

  • Основные параметры:
    • Тип: ТП (транзистор мощности)
    • Марка: TTC015B, Q
    • Компания-производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Оболочка: TO-126N PC
  • Основное назначение:
    • Передача и усиление электрического сигнала в электронных устройствах
    • Регулировка тока и напряжения в цепях
    • Использование в источниках питания
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегреву
    • Прочная конструкция оболочки
    • Надежность при длительной эксплуатации
  • Минусы:
    • Высокое энергопотребление
    • Требует дополнительного охлаждения в некоторых случаях
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными типами транзисторов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Источники питания
    • Системы управления двигателем
    • Электронные устройства для промышленного использования
Выбрано: Показать

Характеристики TTC015B,Q

  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    2 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    500mV @ 100mA, 1A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 500mA, 2V
  • Рассеивание мощности
    1.5 W
  • Трансформация частоты
    150MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-225AA, TO-126-3
  • Исполнение корпуса
    TO-126N

Техническая документация

 TTC015B,Q.pdf
pdf. 0 kb
  • 504 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    185 ₽
  • 100
    67 ₽
  • 1000
    49 ₽
  • 5000
    45 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    TTC015B,Q
  • Описание:
    Транзистор: PB-F POWER TRANSISTOR TO-126N PCВсе характеристики

Минимальная цена TTC015B,Q при покупке от 1 шт 185.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TTC015B,Q с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TTC015B,Q

Транзистор TTC015B, Q от Toshiba Semiconductor and Storage

  • Основные параметры:
    • Тип: ТП (транзистор мощности)
    • Марка: TTC015B, Q
    • Компания-производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Оболочка: TO-126N PC
  • Основное назначение:
    • Передача и усиление электрического сигнала в электронных устройствах
    • Регулировка тока и напряжения в цепях
    • Использование в источниках питания
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегреву
    • Прочная конструкция оболочки
    • Надежность при длительной эксплуатации
  • Минусы:
    • Высокое энергопотребление
    • Требует дополнительного охлаждения в некоторых случаях
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными типами транзисторов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Источники питания
    • Системы управления двигателем
    • Электронные устройства для промышленного использования
Выбрано: Показать

Характеристики TTC015B,Q

  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    2 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    500mV @ 100mA, 1A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 500mA, 2V
  • Рассеивание мощности
    1.5 W
  • Трансформация частоты
    150MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-225AA, TO-126-3
  • Исполнение корпуса
    TO-126N

Техническая документация

 TTC015B,Q.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMBT3906_R1_00001Транзистор: TRANS PNP 40V 0.2A SOT23
    24.3Кешбэк 3 балла
    MMBT2222A_R1_00001Транзистор: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23
    28Кешбэк 4 балла
    MMBT4403_R1_00001TRANS PNP 40V 0.6A SOT23
    26Кешбэк 3 балла
    MMBT3904FN3_R1_00001Транзистор: TRANS NPN 40V 0.2A 3DFN
    43Кешбэк 6 баллов
    BC807-25_R1_00001Транзистор: TRANS PNP 45V 0.5A SOT23
    24.3Кешбэк 3 балла
    MMBT4401_R1_00001TRANS NPN 40V 0.6A SOT23
    20.5Кешбэк 3 балла
    MMBT5551_R1_00001TRANS NPN 160V 0.6A SOT23
    28Кешбэк 4 балла
    BC856B_R1_00001TRANS PNP 65V 0.1A SOT23
    30Кешбэк 4 балла
    MMBT5401_R1_00001Транзистор: TRANS PNP 150V 0.6A SOT23
    24.3Кешбэк 3 балла
    BC857CW_R1_00001Транзистор: TRANS PNP 45V 0.1A SOT323
    30Кешбэк 4 балла
    MMBTA42W_R1_00001Транзистор: TRANS NPN 300V 0.5A SOT323
    33.6Кешбэк 5 баллов
    BC848C_R1_00001Транзистор: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
    30Кешбэк 4 балла
    MMBTA56_R1_00001TRANS PNP 80V 0.5A SOT23
    30Кешбэк 4 балла
    BC847BFN3_R1_00001TRANS NPN 45V 0.1A 3DFN
    43Кешбэк 6 баллов
    BC817-40-AU_R1_000A1TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
    30Кешбэк 4 балла
    BC807-40W-AU_R1_000A1TRANS PNP 45V 0.5A SOT323
    37Кешбэк 5 баллов
    BC817-16_R1_00001Транзистор: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
    30Кешбэк 4 балла
    BC856A_R1_00001TRANS PNP 65V 0.1A SOT23
    30Кешбэк 4 балла
    BC857A-AU_R1_000A1Транзистор: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
    33.6Кешбэк 5 баллов
    BC857BW-AU_R1_000A1TRANS PNP 45V 0.1A SOT323
    22.4Кешбэк 3 балла
    MMBTA05_R1_00001TRANS NPN 60V 0.5A SOT23
    30Кешбэк 4 балла
    MMBTA55_R1_00001Транзистор: TRANS PNP 60V 0.5A SOT23
    30Кешбэк 4 балла
    BC848B-AU_R1_000A1TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
    30Кешбэк 4 балла
    BC858C_R1_00001Транзистор: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23
    30Кешбэк 4 балла
    BC847A-AU_R1_000A1TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
    30Кешбэк 4 балла
    BC848B_R1_00001TRANS NPN 30V 0.1A SOT23
    30Кешбэк 4 балла
    BC856A-AU_R1_000A1TRANS PNP 65V 0.1A SOT23
    33.6Кешбэк 5 баллов
    BC817-16-AU_R1_000A1Транзистор: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
    30Кешбэк 4 балла
    BC846B_R1_00001Транзистор: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23
    30Кешбэк 4 балла
    BC857A_R1_00001Транзистор: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23
    30Кешбэк 4 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы специального назначения
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды силовые
    Сборки биполярных транзисторов
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Симисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторные модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули драйверов питания
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП