Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
TW140N120C,S1F
  • В избранное
  • В сравнение
TW140N120C,S1F

TW140N120C,S1F

TW140N120C,S1F
;
TW140N120C,S1F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    TW140N120C,S1F
  • Описание:
    G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140MВсе характеристики

Минимальная цена TW140N120C,S1F при покупке от 1 шт 2606.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TW140N120C,S1F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TW140N120C,S1F

Размеры и маркировка:

  • Маркировка: TW140N120C, S1F
  • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Описание: G3 1200В SIC-MOSFET TO-247 140M

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 1200В
  • Ток пропускания: 140А
  • Тип: SIC-MOSFET (Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
  • Компактность: TO-247 корпус
  • Температурный класс: 140°C

Плюсы:

  • Высокая проводимость: Улучшенная эффективность при работе в высоких температурах.
  • Малый тепловой сопротивление: Уменьшает тепловые потери и повышает общую эффективность системы.
  • Высокий КПД: Особенно заметен в системах с высокой частотой работы.
  • Устойчивость к износу: Долговечность за счет меньшего числа электрических переходов.

Минусы:

  • Высокая стоимость: СIC-MOSFET более дорогие по сравнению с традиционными MOSFETами.
  • Требуют специального оборудования: Для монтажа и тестирования требуется специальное оборудование.
  • Ограниченное производство: Из-за сложности производства, выбор моделей ограничен.

Общее назначение:

  • Изоляторы: Используются для защиты электронных систем от высоких напряжений.
  • Инверторы: В составе инверторов для преобразования переменного тока в постоянный.
  • Блоки питания: В составе блоков питания для различных устройств и систем.
  • Системы управления: В системах управления двигателей и других механических устройств.
Выбрано: Показать

Характеристики TW140N120C,S1F

  • Технология
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    182mOhm @ 10A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    24 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)
    +25V, -10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    691 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    107W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247
  • Корпус
    TO-247-3

Техническая документация

 TW140N120C,S1F.pdf
pdf. 0 kb
  • 58 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 606 ₽
  • 10
    1 675 ₽
  • 120
    1 673 ₽
  • 510
    1 482 ₽
  • 1020
    1 379 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    TW140N120C,S1F
  • Описание:
    G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140MВсе характеристики

Минимальная цена TW140N120C,S1F при покупке от 1 шт 2606.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TW140N120C,S1F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание TW140N120C,S1F

Размеры и маркировка:

  • Маркировка: TW140N120C, S1F
  • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
  • Описание: G3 1200В SIC-MOSFET TO-247 140M

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 1200В
  • Ток пропускания: 140А
  • Тип: SIC-MOSFET (Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
  • Компактность: TO-247 корпус
  • Температурный класс: 140°C

Плюсы:

  • Высокая проводимость: Улучшенная эффективность при работе в высоких температурах.
  • Малый тепловой сопротивление: Уменьшает тепловые потери и повышает общую эффективность системы.
  • Высокий КПД: Особенно заметен в системах с высокой частотой работы.
  • Устойчивость к износу: Долговечность за счет меньшего числа электрических переходов.

Минусы:

  • Высокая стоимость: СIC-MOSFET более дорогие по сравнению с традиционными MOSFETами.
  • Требуют специального оборудования: Для монтажа и тестирования требуется специальное оборудование.
  • Ограниченное производство: Из-за сложности производства, выбор моделей ограничен.

Общее назначение:

  • Изоляторы: Используются для защиты электронных систем от высоких напряжений.
  • Инверторы: В составе инверторов для преобразования переменного тока в постоянный.
  • Блоки питания: В составе блоков питания для различных устройств и систем.
  • Системы управления: В системах управления двигателей и других механических устройств.
Выбрано: Показать

Характеристики TW140N120C,S1F

  • Технология
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    20A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    18V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    182mOhm @ 10A, 18V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    24 nC @ 18 V
  • Vgs (Max)
    +25V, -10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    691 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    107W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247
  • Корпус
    TO-247-3

Техническая документация

 TW140N120C,S1F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TPN3R704PL,L1QMOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
    213Кешбэк 31 балл
    TP65H150G4LSGGAN FET N-CH 650V PQFN
    930Кешбэк 139 баллов
    TP65H480G4JSG-TRGANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
    519Кешбэк 77 баллов
    TP65H150G4PSТранзистор: GAN FET N-CH 650V TO-220
    1 341Кешбэк 201 балл
    TP65H050G4WS650 V 34 A GAN FET
    1 756Кешбэк 263 балла
    TP65H070LSG-TRGANFET N-CH 650V 25A PQFN88
    1 933Кешбэк 289 баллов
    TP65H015G5WS650 V 95 A GAN FET
    6 180Кешбэк 927 баллов
    TP65H050G4BS650 V 34 A GAN FET
    2 644Кешбэк 396 баллов
    TP65H070LDG-TR650 V 25 A GAN FET
    2 657Кешбэк 398 баллов
    TP65H050WSQAGANFET N-CH 650V 36A TO247-3
    3 650Кешбэк 547 баллов
    TP65H035G4WSQA650 V 46.5 GAN FET
    3 685Кешбэк 552 балла
    TP65H035G4WSGANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
    3 492Кешбэк 523 балла
    VS-FC420SA15MOSFET N-CH 150V 400A SOT227
    4 869Кешбэк 730 баллов
    VS-FC270SA20MOSFET N-CH 200V 287A SOT227
    5 000Кешбэк 750 баллов
    UJ3C065080B3MOSFET N-CH 650V 25A TO263
    1 616Кешбэк 242 балла
    GP2T080A120USIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
    1 326Кешбэк 198 баллов
    GCMS080B120S1-E1SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S
    4 103Кешбэк 615 баллов
    GCMX080B120S1-E1SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227
    3 733Кешбэк 559 баллов
    MCH6627-TL-EP-CHANNEL SILICON MOSFET
    25.7Кешбэк 3 балла
    MCH6424-TL-EN-CHANNEL SILICON MOSFET
    33Кешбэк 4 балла
    5HN01M-TL-E-SAMOSFET N-CH 50V 100MA MCP
    22Кешбэк 3 балла
    5HN02NN-CHANNEL SILICON MOSFET
    27.6Кешбэк 4 балла
    2SJ589LSPOWER MOSFET MOTOR DRIVERS
    245Кешбэк 36 баллов
    2SB817DP-CHANNEL, MOSFET
    351Кешбэк 52 балла
    2SK669N-CHANNEL MOSFET
    51Кешбэк 7 баллов
    FW905-TL-EP-CHANNEL SILICON MOSFET
    116Кешбэк 17 баллов
    NTD4906NT4HN-CHANNEL POWER MOSFET
    55Кешбэк 8 баллов
    2SJ254P-CHANNEL POWER MOSFET
    245Кешбэк 36 баллов
    MCH6336-TL-EMOSFET P-CH 12V 5A SC88FL/ MCPH6
    46Кешбэк 6 баллов
    CPH3439-TL-EN-CHANNEL SILICON MOSFET
    42Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Принадлежности
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП