TW140N120C,S1F

Размеры и маркировка:

• Маркировка: TW140N120C, S1F
• Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
• Описание: G3 1200В SIC-MOSFET TO-247 140M

Основные параметры:

• Номинальное напряжение: 1200В
• Ток пропускания: 140А
• Тип: SIC-MOSFET (Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
• Компактность: TO-247 корпус
• Температурный класс: 140°C

Плюсы:

• Высокая проводимость: Улучшенная эффективность при работе в высоких температурах.
• Малый тепловой сопротивление: Уменьшает тепловые потери и повышает общую эффективность системы.
• Высокий КПД: Особенно заметен в системах с высокой частотой работы.
• Устойчивость к износу: Долговечность за счет меньшего числа электрических переходов.

Минусы:

• Высокая стоимость: СIC-MOSFET более дорогие по сравнению с традиционными MOSFETами.
• Требуют специального оборудования: Для монтажа и тестирования требуется специальное оборудование.
• Ограниченное производство: Из-за сложности производства, выбор моделей ограничен.

Общее назначение:

• Изоляторы: Используются для защиты электронных систем от высоких напряжений.
• Инверторы: В составе инверторов для преобразования переменного тока в постоянный.
• Блоки питания: В составе блоков питания для различных устройств и систем.
• Системы управления: В системах управления двигателей и других механических устройств.