Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
UF1006-T
  • В избранное
  • В сравнение
UF1006-T

UF1006-T

UF1006-T
;
UF1006-T

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    UF1006-T
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO41Все характеристики

Минимальная цена UF1006-T при покупке от 1 шт 85.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UF1006-T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UF1006-T

UF1006-T Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 800В
    • Номинальная токовая способность: 1А
    • Форм-фактор: DO41
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Малый размер
    • Долговечность
  • Минусы:
    • Не рекомендуется для высокоточных приложений
    • Могут быть чувствительны к перегреву
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от обратного напряжения
    • Использование в источниках питания
    • Регулировка напряжения
    • Конвертация напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Мобильные устройства
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Системы управления напряжением
Выбрано: Показать

Характеристики UF1006-T

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    75 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 800 V
  • Емкость @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-41
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    UF1006

Техническая документация

 UF1006-T.pdf
pdf. 0 kb
  • 2349 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    85 ₽
  • 100
    46 ₽
  • 1000
    30 ₽
  • 5000
    23 ₽
  • 15000
    21 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    UF1006-T
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO41Все характеристики

Минимальная цена UF1006-T при покупке от 1 шт 85.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UF1006-T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UF1006-T

UF1006-T Diodes Incorporated DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 800В
    • Номинальная токовая способность: 1А
    • Форм-фактор: DO41
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Малый размер
    • Долговечность
  • Минусы:
    • Не рекомендуется для высокоточных приложений
    • Могут быть чувствительны к перегреву
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от обратного напряжения
    • Использование в источниках питания
    • Регулировка напряжения
    • Конвертация напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Мобильные устройства
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Системы управления напряжением
Выбрано: Показать

Характеристики UF1006-T

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    75 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 800 V
  • Емкость @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-41
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    UF1006

Техническая документация

 UF1006-T.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    6A1-TPDIODE GEN PURP 100V 6A R6
    132Кешбэк 19 баллов
    RS1MFPRECTIFIER DIODE, 1.2A, 1000V
    18.5Кешбэк 2 балла
    MUR860Диод: RECTIFIER DIODE
    211Кешбэк 31 балл
    19TQ015SDIODE SCHOTTKY 15V D2PAK
    339Кешбэк 50 баллов
    BYR29X-800,127Диод
    154Кешбэк 23 балла
    UFS180JE3/TR13DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA
    187Кешбэк 28 баллов
    APT30D100BGДиод: DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
    610Кешбэк 91 балл
    SDURF1060Диод: DIODE GEN PURP 600V ITO220AC
    187Кешбэк 28 баллов
    STPS20M100STДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB
    582Кешбэк 87 баллов
    STPS20M100SRDIODE SCHOTTKY 100V 20A I2PAK
    654Кешбэк 98 баллов
    GI752-E3/73DIODE GEN PURP 200V 6A P600
    156Кешбэк 23 балла
    SDUR1030Диод: DIODE GEN PURP 300V TO220AC
    222Кешбэк 33 балла
    ST10100Диод: DIODE SCHOTTKY 100V TO220AC
    215Кешбэк 32 балла
    STTH8L06FPДиод: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP
    126Кешбэк 18 баллов
    SS34-E3/57TДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB
    79Кешбэк 11 баллов
    1N5402G-TDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
    85Кешбэк 12 баллов
    RB161L-40TE25DIODE SCHOTTKY 20V 1A PMDS
    25Кешбэк 3 балла
    BAT54T-TPDIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523
    33.3Кешбэк 4 балла
    FESF8GT-E3/45DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
    395Кешбэк 59 баллов
    PMEG4030EP,115Диод: DIODE SCHOTTKY 40V 3A SOD128
    126Кешбэк 18 баллов
    RF2L6STE25DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS
    143Кешбэк 21 балл
    SGL41-50-E3/96Диод: DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO213AB
    207Кешбэк 31 балл
    ER3J-TPDIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
    83Кешбэк 12 баллов
    FFSP20120ARECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 20A,
    1 832Кешбэк 274 балла
    RBR1MM30ATRДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 1A PMDU
    102Кешбэк 15 баллов
    UGB8AT-E3/81DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
    240Кешбэк 36 баллов
    18TQ035S18A, 35V, D2PAK,SCHOTTKY RECTIFI
    345Кешбэк 51 балл
    VS-MBRB735TRL-M3DIODE SCHOTTKY 35V 7.5A TO263AB
    189Кешбэк 28 баллов
    VS-20TQ035STRL-M3DIODE SCHOTTKY 35V 20A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    IDH05G120C5XKSA1Диод: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2
    669Кешбэк 100 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Триодные тиристоры - Модули
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП