Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
UF3C120150B7S
  • В избранное
  • В сравнение
UF3C120150B7S

UF3C120150B7S

UF3C120150B7S
;
UF3C120150B7S

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    UF3C120150B7S
  • Описание:
    1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODEВсе характеристики

Минимальная цена UF3C120150B7S при покупке от 1 шт 2127.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UF3C120150B7S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UF3C120150B7S

UF3C120150B7S от ON Semiconductor — это:

  • СИП-модуль на основе SiC (сера-кремниевого) каскада.
  • Рабочее напряжение до 1200 В.
  • Омhic сопротивление до 150 МОhm.
  • Быстродействующий модуль.

Основные плюсы:

  • Высокая скорость включения и выключения, что позволяет использовать его в быстрых системах.
  • Высокое рабочее напряжение, что делает его подходящим для высоковольтных приложений.
  • Низкое сопротивление, что обеспечивает меньше потерь энергии.

Основные минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными модулями.
  • Требуется специальное оборудование для монтажа, так как SiC имеет отличные свойства от обычного Si.

Общее назначение:

  • Используется в промышленной электронике для управления мощностью.
  • Применяется в трансформаторных растяжках и других высоковольтных устройствах.
  • Подходит для использования в системах управления двигателем.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника.
  • Энергетические системы.
  • Промышленное оборудование.
  • Мощные источники питания.
Выбрано: Показать

Характеристики UF3C120150B7S

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    12V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180mOhm @ 5A, 12V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.5V @ 10mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25.7 nC @ 12 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    738 pF @ 100 V
  • Особенности полевого транзистора
    Super Junction
  • Рассеивание мощности (Макс)
    136W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK-7
  • Корпус
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Техническая документация

 UF3C120150B7S.pdf
pdf. 0 kb
  • 2795 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 127 ₽
  • 10
    1 475 ₽
  • 100
    1 250 ₽
  • 800
    1 021 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    UF3C120150B7S
  • Описание:
    1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODEВсе характеристики

Минимальная цена UF3C120150B7S при покупке от 1 шт 2127.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UF3C120150B7S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UF3C120150B7S

UF3C120150B7S от ON Semiconductor — это:

  • СИП-модуль на основе SiC (сера-кремниевого) каскада.
  • Рабочее напряжение до 1200 В.
  • Омhic сопротивление до 150 МОhm.
  • Быстродействующий модуль.

Основные плюсы:

  • Высокая скорость включения и выключения, что позволяет использовать его в быстрых системах.
  • Высокое рабочее напряжение, что делает его подходящим для высоковольтных приложений.
  • Низкое сопротивление, что обеспечивает меньше потерь энергии.

Основные минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными модулями.
  • Требуется специальное оборудование для монтажа, так как SiC имеет отличные свойства от обычного Si.

Общее назначение:

  • Используется в промышленной электронике для управления мощностью.
  • Применяется в трансформаторных растяжках и других высоковольтных устройствах.
  • Подходит для использования в системах управления двигателем.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильная электроника.
  • Энергетические системы.
  • Промышленное оборудование.
  • Мощные источники питания.
Выбрано: Показать

Характеристики UF3C120150B7S

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    12V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180mOhm @ 5A, 12V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.5V @ 10mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25.7 nC @ 12 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    738 pF @ 100 V
  • Особенности полевого транзистора
    Super Junction
  • Рассеивание мощности (Макс)
    136W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK-7
  • Корпус
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Техническая документация

 UF3C120150B7S.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IMZ120R060M1HXKSA1SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
    1 856Кешбэк 278 баллов
    IMZ120R140M1HXKSA1SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-4
    1 447Кешбэк 217 баллов
    IPW65R145CFD7AXKSA1MOSFET N-CH 650V 17A TO247-3
    684Кешбэк 102 балла
    IPAN70R450P7SXKSA1MOSFET N-CH 700V 10A TO220
    220Кешбэк 33 балла
    BSZ035N03MSGATMA1MOSFET N-CH 30V 18A/40A 8TSDSON
    282Кешбэк 42 балла
    IPA60R190P6XKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
    421Кешбэк 63 балла
    IPA65R280E6XKSA1MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-FP
    567Кешбэк 85 баллов
    IPW65R041CFD7XKSA1650V FET COOLMOS TO247
    1 616Кешбэк 242 балла
    IPA60R125CFD7XKSA1MOSFET N-CH 600V 11A TO220
    624Кешбэк 93 балла
    IPA126N10NM3SXKSA1MOSFET N-CH 100V 39A TO220
    472Кешбэк 70 баллов
    SPP18P06PHXKSA1MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
    378Кешбэк 56 баллов
    IPA60R600P7SXKSA1MOSFET N-CH 600V 6A TO220
    255Кешбэк 38 баллов
    IPAN70R750P7SXKSA1MOSFET N-CH 700V 6.5A TO220
    107Кешбэк 16 баллов
    IMZA65R039M1HXKSA1SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
    1 647Кешбэк 247 баллов
    IPW60R125C6FKSA1MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
    856Кешбэк 128 баллов
    IPW80R290C3AXKSA1MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
    1 291Кешбэк 193 балла
    IPA50R250CPXKSA1MOSFET N-CH 500V 13A TO220-FP
    461Кешбэк 69 баллов
    IPW65R018CFD7XKSA1650 V COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION
    2 998Кешбэк 449 баллов
    IPW65R041CFDFKSA2MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
    2 199Кешбэк 329 баллов
    IQE065N10NM5ATMA1TRENCH >=100V PG-TSON-8
    552Кешбэк 82 балла
    IPZA60R080P7XKSA1MOSFET N-CH 600V 37A TO247-4
    902Кешбэк 135 баллов
    IPP039N10N5AKSA1MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
    647Кешбэк 97 баллов
    IPWS65R050CFD7AXKSA1MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41
    1 734Кешбэк 260 баллов
    IPA80R1K4CEXKSA2MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220
    292Кешбэк 43 балла
    IPA80R650CEXKSA2MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F
    484Кешбэк 72 балла
    IPA60R600P6XKSA1MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP
    174Кешбэк 26 баллов
    IPA60R180P7SXKSA1MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
    235Кешбэк 35 баллов
    IPS80R600P7AKMA1MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
    584Кешбэк 87 баллов
    IPU95R750P7AKMA1MOSFET N-CH 950V 9A TO251-3
    346Кешбэк 51 балл
    IMZA65R057M1HXKSA1SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
    1 364Кешбэк 204 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП