Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
UF408G_AY_00001
  • В избранное
  • В сравнение
UF408G_AY_00001

UF408G_AY_00001

UF408G_AY_00001
;
UF408G_AY_00001

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Panjit International Inc.
  • Артикул:
    UF408G_AY_00001
  • Описание:
    GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAFВсе характеристики

Минимальная цена UF408G_AY_00001 при покупке от 1 шт 154.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UF408G_AY_00001 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UF408G_AY_00001

Разрешенная маркировка: UF408G_AY_00001, производитель Panjit International Inc.

  • Описание: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF.

Основные параметры:

  • Тип: Ультрафиолетовая диода
  • Материал: Стекло
  • Технология: Пассивированнаяjunction стеклянная технология

Плюсы:

  • Высокая надежность из-за стеклянной конструкции
  • Устойчивость к высоким температурам
  • Долгий срок службы благодаря пассивированномуjunction

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с другими материалами
  • Меньше гибкости при монтаже по сравнению с полупроводниками

Общее назначение:

  • Иllumination (освещение)
  • Биомедицинские приборы
  • Сенсорные системы
  • Контроль качества материалов

В каких устройствах применяется:

  • Устройства для измерения дозы ультрафиолетового излучения
  • Устройства для определения содержания воды в воздухе
  • Сенсоры для контроля состояния продуктов в пищевой промышленности
  • Устройства для контроля качества полимерных материалов
Выбрано: Показать

Характеристики UF408G_AY_00001

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    4A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.85 V @ 4 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    75 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 800 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-201AD, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-201AD
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C

Техническая документация

 UF408G_AY_00001.pdf
pdf. 0 kb
  • 1195 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    154 ₽
  • 100
    62 ₽
  • 1250
    41 ₽
  • 3750
    36 ₽
  • 8750
    32.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Panjit International Inc.
  • Артикул:
    UF408G_AY_00001
  • Описание:
    GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAFВсе характеристики

Минимальная цена UF408G_AY_00001 при покупке от 1 шт 154.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UF408G_AY_00001 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UF408G_AY_00001

Разрешенная маркировка: UF408G_AY_00001, производитель Panjit International Inc.

  • Описание: GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAF.

Основные параметры:

  • Тип: Ультрафиолетовая диода
  • Материал: Стекло
  • Технология: Пассивированнаяjunction стеклянная технология

Плюсы:

  • Высокая надежность из-за стеклянной конструкции
  • Устойчивость к высоким температурам
  • Долгий срок службы благодаря пассивированномуjunction

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с другими материалами
  • Меньше гибкости при монтаже по сравнению с полупроводниками

Общее назначение:

  • Иllumination (освещение)
  • Биомедицинские приборы
  • Сенсорные системы
  • Контроль качества материалов

В каких устройствах применяется:

  • Устройства для измерения дозы ультрафиолетового излучения
  • Устройства для определения содержания воды в воздухе
  • Сенсоры для контроля состояния продуктов в пищевой промышленности
  • Устройства для контроля качества полимерных материалов
Выбрано: Показать

Характеристики UF408G_AY_00001

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    4A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.85 V @ 4 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    75 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 800 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-201AD, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-201AD
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C

Техническая документация

 UF408G_AY_00001.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    1N1204RDO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    1 163Кешбэк 174 балла
    1N5816RDO4 20 AMP RECTIFIER
    3 550Кешбэк 532 балла
    20F1020 AMP SILCON RECTIFIER DO4 KK
    1 186Кешбэк 177 баллов
    20F4020 AMP SILCON RECTIFIER DO4 KK
    1 186Кешбэк 177 баллов
    20F6020 AMP SILCON RECTIFIER DO4 KK
    1 186Кешбэк 177 баллов
    RS1JDFQ-13DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT
    57Кешбэк 8 баллов
    FM4001W-WDIODE GEN PURP 50V 1 A SMX
    156Кешбэк 23 балла
    R3000Диод: DIODE GEN PURP 3000V 200A DO15
    37Кешбэк 5 баллов
    R2500Диод: DIODE GEN PURP 2500V 200A DO15
    58Кешбэк 8 баллов
    1N5626Диод: R-600 PRV 3A
    892Кешбэк 133 балла
    1N5627R-800 PRV 3A
    879Кешбэк 131 балл
    1N1203DO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    1 228Кешбэк 184 балла
    1N2138DO5 70 AMP SILICON RECTIFIER
    2 708Кешбэк 406 баллов
    GI756Диод: R- 600 PRV 6A
    195Кешбэк 29 баллов
    NTE506Диод: R-SI-HI CUR/FAST SWITCH
    393Кешбэк 58 баллов
    1N1612DO4 5 AMP SILICON RECTFIER
    803Кешбэк 120 баллов
    1N1185DO5 35 AMP SILICON RECTFIER
    2 316Кешбэк 347 баллов
    1N1126ADO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    1 961Кешбэк 294 балла
    1N1615DO4 5 AMP SILICON RECTFIER
    803Кешбэк 120 баллов
    1N5625R-400 PRV 3A
    372Кешбэк 55 баллов
    1N1196A20 AMP SILICON RECTIFIER DO-5
    2 768Кешбэк 415 баллов
    1N1663STD RECTIFIER
    6 443Кешбэк 966 баллов
    1N2128DO5 70 AMP SILICON RECTIFIER
    1 112Кешбэк 166 баллов
    1N1616RDO4 5 AMP SILICON RECTFIER
    1 174Кешбэк 176 баллов
    GI758R- 800 PRV 6A
    83Кешбэк 12 баллов
    1N4500SWITCHING DIODE
    5 238Кешбэк 785 баллов
    1N250ADO5 20 AMP SILICON RECTIFIER
    6 443Кешбэк 966 баллов
    70HF100DO5 70 AMP SILICON RECTFIER KK
    2 446Кешбэк 366 баллов
    S4BDIODE GEN PURP 100V 4A DO214AB
    67Кешбэк 10 баллов
    HS5JDIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
    435Кешбэк 65 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Принадлежности
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП