Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
UF4C120070K4S
  • В избранное
  • В сравнение
UF4C120070K4S

UF4C120070K4S

UF4C120070K4S
;
UF4C120070K4S

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Qorvo / UnitedSiC
  • Артикул:
    UF4C120070K4S
  • Описание:
    1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,Все характеристики

Минимальная цена UF4C120070K4S при покупке от 1 шт 2672.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UF4C120070K4S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UF4C120070K4S

Размеры и производитель:

  • Маркировка: UF4C120070K4S
  • Производитель: ON Semiconductor

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 1200В
  • Омическое сопротивление: 70 МОм
  • Технология: SiC (сапфировый кремниевый диод)
  • Структура: FAST CASCODE

Плюсы:

  • Высокое напряжение: способность работать при высоких значениях напряжения
  • Высокая скорость переключения: быстрое включение и выключение
  • Компактность: эффективное использование пространства благодаря низкому профилю
  • Энергоэффективность: минимизация потерь энергии

Минусы:

  • Высокая стоимость: более дорогие по сравнению с традиционными диодами
  • Требования к проектированию: сложнее в интеграции с другими компонентами из-за специфической структуры
  • Ограничения температур: могут быть ограничены при работе при высоких температурах

Общее назначение:

  • Используется в промышленных и автомобильных системах управления тягой
  • Применяется в системах синхронного зарядки аккумуляторов
  • Используется в трансформаторах питания и преобразователях мощности
  • Способствует повышению эффективности в электропитании и управлениях двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики UF4C120070K4S

  • Технология
    SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    27.5A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    91mOhm @ 20A, 12V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    6V @ 10mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    37.8 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1370 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    217W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-4
  • Корпус
    TO-247-4

Техническая документация

 UF4C120070K4S.pdf
pdf. 0 kb
  • 436 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 672 ₽
  • 10
    1 469 ₽
  • 100
    1 358 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Qorvo / UnitedSiC
  • Артикул:
    UF4C120070K4S
  • Описание:
    1200V/70MOHM, SIC, FAST CASCODE,Все характеристики

Минимальная цена UF4C120070K4S при покупке от 1 шт 2672.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UF4C120070K4S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UF4C120070K4S

Размеры и производитель:

  • Маркировка: UF4C120070K4S
  • Производитель: ON Semiconductor

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 1200В
  • Омическое сопротивление: 70 МОм
  • Технология: SiC (сапфировый кремниевый диод)
  • Структура: FAST CASCODE

Плюсы:

  • Высокое напряжение: способность работать при высоких значениях напряжения
  • Высокая скорость переключения: быстрое включение и выключение
  • Компактность: эффективное использование пространства благодаря низкому профилю
  • Энергоэффективность: минимизация потерь энергии

Минусы:

  • Высокая стоимость: более дорогие по сравнению с традиционными диодами
  • Требования к проектированию: сложнее в интеграции с другими компонентами из-за специфической структуры
  • Ограничения температур: могут быть ограничены при работе при высоких температурах

Общее назначение:

  • Используется в промышленных и автомобильных системах управления тягой
  • Применяется в системах синхронного зарядки аккумуляторов
  • Используется в трансформаторах питания и преобразователях мощности
  • Способствует повышению эффективности в электропитании и управлениях двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики UF4C120070K4S

  • Технология
    SiCFET (Cascode SiCJFET)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    27.5A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    91mOhm @ 20A, 12V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    6V @ 10mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    37.8 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1370 pF @ 800 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    217W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-4
  • Корпус
    TO-247-4

Техническая документация

 UF4C120070K4S.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTMYS014N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
    309Кешбэк 46 баллов
    NVMYS3D5N04CTWGMOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4
    350Кешбэк 52 балла
    STDV3055L104T4GMOSFET N-CH 60V 12A DPAK
    193Кешбэк 28 баллов
    NTMT095N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    1 584Кешбэк 237 баллов
    NVMFS5C468NLAFT1GMOSFET N-CH 40V 13A/37A 5DFN
    313Кешбэк 46 баллов
    NTLJS17D0P03P8ZTAGMOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
    172Кешбэк 25 баллов
    NVB190N65S3FMOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
    845Кешбэк 126 баллов
    NVMYS4D6N04CLTWGMOSFET N-CH 40V 21A/78A LFPAK4
    302Кешбэк 45 баллов
    NVMFSC0D9N04CMOSFET N-CH 40V 48.9A/313A 8DFN
    1 032Кешбэк 154 балла
    NTMFS5113PLT1GNFET SO8FL 60V 69A 16MOHM
    561Кешбэк 84 балла
    NTMFS5H630NLT1GMOSFET N-CH 60V 22A/120A 5DFN
    352Кешбэк 52 балла
    UF3C120150B7S1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
    2 127Кешбэк 319 баллов
    NVTFS014P04M8LTAGMOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
    226Кешбэк 33 балла
    CPH3331-TL-EP-CHANNEL SILICON MOSFET
    43Кешбэк 6 баллов
    NVMYS014N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
    272Кешбэк 40 баллов
    NVMFS5C682NLWFAFT1GMOSFET N-CH 60V 8.8A/25A 5DFN
    333Кешбэк 49 баллов
    NTD78N03R-001N-CHANNEL POWER MOSFET
    57Кешбэк 8 баллов
    CPH6604-TL-EN-CHANNEL SILICON MOSFET
    39Кешбэк 5 баллов
    NTMFS5C404NT1GMOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
    1 382Кешбэк 207 баллов
    NVMFS5C682NLAFT1GMOSFET N-CH 60V 8.8A/25A 5DFN
    226Кешбэк 33 балла
    NVTYS9D6P04M8LTWGMV8 40V LL SINGLE PCH L
    430Кешбэк 64 балла
    NTMFS022N15MCPOWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN
    474Кешбэк 71 балл
    NVMFS5C670NLAFT1GMOSFET N-CHANNEL 60V 17A 5DFN
    459Кешбэк 68 баллов
    NTMT090N65S3HFPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    1 201Кешбэк 180 баллов
    NTD15N06L-1GN-CHANNEL POWER MOSFET
    35Кешбэк 5 баллов
    NVMJS1D4N06CLTWGMOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
    708Кешбэк 106 баллов
    NVMFS6H848NLT1GMOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN
    302Кешбэк 45 баллов
    NVMFS5C645NLAFT1GMOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN
    304Кешбэк 45 баллов
    NTD78N03R-035N-CHANNEL POWER MOSFET
    57Кешбэк 8 баллов
    NVMTS6D0N15MCPTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR A
    1 110Кешбэк 166 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Принадлежности
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП