Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
UJ3D06508TS
  • В избранное
  • В сравнение
UJ3D06508TS

UJ3D06508TS

UJ3D06508TS
;
UJ3D06508TS

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    UJ3D06508TS
  • Описание:
    650V 8A SIC SCHOTTKY DIODE G3, TВсе характеристики

Минимальная цена UJ3D06508TS при покупке от 1 шт 761.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UJ3D06508TS с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UJ3D06508TS

UJ3D06508TS onsemi 650V 8A SIC SCHOTTKY DIODE G3, T

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение: 650В
    • Рабочный ток: 8А
    • Тип: SIC (Silicon Carbide) Schottky диод
    • Группа: G3, T
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкое напряжением ведения
    • Высокий коэффициент транзистора
    • Малый размер и вес
    • Высокая термическая стабильность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
    • Необходимость специальных условий для проектирования и производства
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высокопроизводительных системах
    • Применяется в инверторах, преобразователях энергии
    • Участвует в управлениях двигателей и электроприводов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Системы управления энергией в промышленности
    • Реверсивные преобразователи
    • Солнечные панели и системы хранения энергии
Выбрано: Показать

Характеристики UJ3D06508TS

  • Package
    Tube
  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    650 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    8A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 8 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 µA @ 650 V
  • Емкость @ Vr, F
    250pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220-2
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    UJ3D06508

Техническая документация

 UJ3D06508TS.pdf
pdf. 0 kb
  • 27243 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    761 ₽
  • 50
    394 ₽
  • 100
    359 ₽
  • 500
    324 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    UJ3D06508TS
  • Описание:
    650V 8A SIC SCHOTTKY DIODE G3, TВсе характеристики

Минимальная цена UJ3D06508TS при покупке от 1 шт 761.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UJ3D06508TS с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UJ3D06508TS

UJ3D06508TS onsemi 650V 8A SIC SCHOTTKY DIODE G3, T

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение: 650В
    • Рабочный ток: 8А
    • Тип: SIC (Silicon Carbide) Schottky диод
    • Группа: G3, T
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкое напряжением ведения
    • Высокий коэффициент транзистора
    • Малый размер и вес
    • Высокая термическая стабильность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
    • Необходимость специальных условий для проектирования и производства
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных и высокопроизводительных системах
    • Применяется в инверторах, преобразователях энергии
    • Участвует в управлениях двигателей и электроприводов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Системы управления энергией в промышленности
    • Реверсивные преобразователи
    • Солнечные панели и системы хранения энергии
Выбрано: Показать

Характеристики UJ3D06508TS

  • Package
    Tube
  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    650 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    8A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 8 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 µA @ 650 V
  • Емкость @ Vr, F
    250pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220-2
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    UJ3D06508

Техническая документация

 UJ3D06508TS.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    1N1204RDO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    1 163Кешбэк 174 балла
    1N5816RDO4 20 AMP RECTIFIER
    3 550Кешбэк 532 балла
    20F1020 AMP SILCON RECTIFIER DO4 KK
    1 186Кешбэк 177 баллов
    20F4020 AMP SILCON RECTIFIER DO4 KK
    1 186Кешбэк 177 баллов
    20F6020 AMP SILCON RECTIFIER DO4 KK
    1 186Кешбэк 177 баллов
    RS1JDFQ-13DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT
    57Кешбэк 8 баллов
    FM4001W-WDIODE GEN PURP 50V 1 A SMX
    156Кешбэк 23 балла
    R3000Диод: DIODE GEN PURP 3000V 200A DO15
    37Кешбэк 5 баллов
    R2500Диод: DIODE GEN PURP 2500V 200A DO15
    58Кешбэк 8 баллов
    1N5626Диод: R-600 PRV 3A
    892Кешбэк 133 балла
    1N5627R-800 PRV 3A
    879Кешбэк 131 балл
    1N1203DO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    1 228Кешбэк 184 балла
    1N2138DO5 70 AMP SILICON RECTIFIER
    2 708Кешбэк 406 баллов
    GI756Диод: R- 600 PRV 6A
    195Кешбэк 29 баллов
    NTE506Диод: R-SI-HI CUR/FAST SWITCH
    393Кешбэк 58 баллов
    1N1612DO4 5 AMP SILICON RECTFIER
    803Кешбэк 120 баллов
    1N1185DO5 35 AMP SILICON RECTFIER
    2 316Кешбэк 347 баллов
    1N1126ADO4 12 AMP SILICON RECTIFIER
    1 961Кешбэк 294 балла
    1N1615DO4 5 AMP SILICON RECTFIER
    803Кешбэк 120 баллов
    1N5625R-400 PRV 3A
    372Кешбэк 55 баллов
    1N1196A20 AMP SILICON RECTIFIER DO-5
    2 768Кешбэк 415 баллов
    1N1663STD RECTIFIER
    6 443Кешбэк 966 баллов
    1N2128DO5 70 AMP SILICON RECTIFIER
    1 112Кешбэк 166 баллов
    1N1616RDO4 5 AMP SILICON RECTFIER
    1 174Кешбэк 176 баллов
    GI758R- 800 PRV 6A
    83Кешбэк 12 баллов
    1N4500SWITCHING DIODE
    5 238Кешбэк 785 баллов
    1N250ADO5 20 AMP SILICON RECTIFIER
    6 443Кешбэк 966 баллов
    70HF100DO5 70 AMP SILICON RECTFIER KK
    2 446Кешбэк 366 баллов
    S4BDIODE GEN PURP 100V 4A DO214AB
    67Кешбэк 10 баллов
    HS5JDIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
    435Кешбэк 65 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП