Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
UJ3N120065K3S

UJ3N120065K3S

UJ3N120065K3S
;
UJ3N120065K3S

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена UJ3N120065K3S при покупке от 1 шт 3909.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UJ3N120065K3S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UJ3N120065K3S

Устройство UJ3N120065K3S от Onsemi:

  • Тип: N-ON JFET, SiC (силicon carbide)
  • Рейтинг напряжения: 1200В
  • Рейтинг сопротивления: 65МОм
  • Класс: G3

Основные параметры:

  • Максимальное напряжение: 1200В
  • Максимальное сопротивление: 65МОм
  • Максимальная частота: до 200кГц
  • Температурный диапазон: -55°C до +175°C

Плюсы:

  • Высокая эффективность: высокий КПД даже при высокой частоте работы
  • Малый размер: компактные размеры за счет использования SiC
  • Высокая надежность: стабильная работа при высоких температурах
  • Низкое сопротивление: уменьшение потерь энергии

Минусы:

  • Высокая стоимость: SiC более дорогой, чем традиционные материалы
  • Зависимость от технологий: требует специализированных технологий производства
  • Ограниченное применение: не подходит для всех типов приложений из-за специфических характеристик

Общее назначение:

  • Применяется в высоковольтных приложениях, где требуется высокая эффективность и надежность
  • Используется в инверторах, преобразователях мощности, электротранспорте
  • Подходит для систем управления энергией в промышленных и автомобильных приложениях

Применяется в:

  • Электротранспорте (электромобили, гибридные автомобили)
  • Промышленном оборудовании (инверторы, преобразователи)
  • Системах управления энергией (солнечные системы, энергосберегающие технологии)
Выбрано: Показать

Характеристики UJ3N120065K3S

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    1.2 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1.2 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    5 µA @ 1.2 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    34 A
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1008pF @ 100V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    55 mOhms
  • Рассеивание мощности
    254 W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    UJ3N120065

Техническая документация

UJ3N120065K3S.pdf
pdf. 0 kb
  • 2391 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    3 909 ₽
  • 30
    2 468 ₽
  • 120
    2 242 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена UJ3N120065K3S при покупке от 1 шт 3909.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UJ3N120065K3S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UJ3N120065K3S

Устройство UJ3N120065K3S от Onsemi:

  • Тип: N-ON JFET, SiC (силicon carbide)
  • Рейтинг напряжения: 1200В
  • Рейтинг сопротивления: 65МОм
  • Класс: G3

Основные параметры:

  • Максимальное напряжение: 1200В
  • Максимальное сопротивление: 65МОм
  • Максимальная частота: до 200кГц
  • Температурный диапазон: -55°C до +175°C

Плюсы:

  • Высокая эффективность: высокий КПД даже при высокой частоте работы
  • Малый размер: компактные размеры за счет использования SiC
  • Высокая надежность: стабильная работа при высоких температурах
  • Низкое сопротивление: уменьшение потерь энергии

Минусы:

  • Высокая стоимость: SiC более дорогой, чем традиционные материалы
  • Зависимость от технологий: требует специализированных технологий производства
  • Ограниченное применение: не подходит для всех типов приложений из-за специфических характеристик

Общее назначение:

  • Применяется в высоковольтных приложениях, где требуется высокая эффективность и надежность
  • Используется в инверторах, преобразователях мощности, электротранспорте
  • Подходит для систем управления энергией в промышленных и автомобильных приложениях

Применяется в:

  • Электротранспорте (электромобили, гибридные автомобили)
  • Промышленном оборудовании (инверторы, преобразователи)
  • Системах управления энергией (солнечные системы, энергосберегающие технологии)
Выбрано: Показать

Характеристики UJ3N120065K3S

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    1.2 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1.2 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    5 µA @ 1.2 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    34 A
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1008pF @ 100V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    55 mOhms
  • Рассеивание мощности
    254 W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    UJ3N120065

Техническая документация

UJ3N120065K3S.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории