Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - JFET
UJ3N120065K3S
UJ3N120065K3S

UJ3N120065K3S

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    UJ3N120065K3S
  • Описание:
    1200V/65MOHM, SIC, N-ON JFET, G3Все характеристики

Минимальная цена UJ3N120065K3S при покупке от 1 шт 4018.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UJ3N120065K3S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики UJ3N120065K3S

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    1.2 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1.2 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    5 µA @ 1.2 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    34 A
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1008pF @ 100V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    55 mOhms
  • Рассеивание мощности
    254 W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    UJ3N120065
Техническая документация
 UJ3N120065K3S.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 2391 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    4 018 ₽
  • 30
    2 537 ₽
  • 120
    2 304 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    UJ3N120065K3S
  • Описание:
    1200V/65MOHM, SIC, N-ON JFET, G3Все характеристики

Минимальная цена UJ3N120065K3S при покупке от 1 шт 4018.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UJ3N120065K3S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики UJ3N120065K3S

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    1.2 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1.2 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    5 µA @ 1.2 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    34 A
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1008pF @ 100V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    55 mOhms
  • Рассеивание мощности
    254 W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    UJ3N120065
Техническая документация
 UJ3N120065K3S.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    LS5911 SOIC 8L-AWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    LS5911 SOIC 8L-BWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    UJ3N065080K3SТиристор: 650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
    2N3955ASMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    LS5912 SOIC 8L-BWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    TF218THC-5-TL-H-SYN CHANNEL SILICON JFET FOR ELECT
    SST441 SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2N2609JFETS
    LS320 TO-72 4LBIFET AMPLIFIER - HIGH INPUT Z A
    SST402 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    LS845 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, LOW CAPACI
    JFE2140DRDUAL, ULTRA-LOW NOISE, LOW GATE
    JFE150DCKTULTRA-LOW NOISE, LOW GATE CURREN
    UJ3N120070K3SТиристор: 1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
    2N4857N-CHANNEL MOSFET TO-18
    UJ3N065025K3S650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
    U404 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    NSVJ2394SA3T1GТиристор: IC JFET N-CH LNA SC59-3
    2SK508-T1B-AHIGH FREQUENCY N-CHANNEL JFET
    U403 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    LS3958 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    2N4393 PBFREEJFET N-CH 40V 1.8W TO-18
    2N4856AN-CHANNEL MOSFET TO-18
    2N4117A TO-72 4LULTRA HIGH INPUT IMPEDANCE N-CHA
    LS5912 TO-78 6LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    J176-D74ZJFET P-CH 30V 0.35W TO92
    LSK389C SOIC 8LLOW NOISE, MONOLITHIC DUAL, N-CH
    J112-D27ZSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    2SK514-T-AHIGH FREQUENCY N-CHANNEL JFET
    LSJ74D TO-92 3LP-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП