Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
UJ3N120070K3S

UJ3N120070K3S

UJ3N120070K3S
;
UJ3N120070K3S

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена UJ3N120070K3S при покупке от 1 шт 3666.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UJ3N120070K3S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UJ3N120070K3S

UJ3N120070K3S onsemi Тиристор: 1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение (VRRM): 1200В
    • Максимальный ток (ITO): 70мА
    • Технология: SiC (суперкондуктор кремния)
    • Тип: JFET (канальный транзистор)
    • Положение поля: N-ON
  • Плюсы:
    • Высокая устойчивость к перенапряжениям благодаря высокому рабочему напряжению
    • Малый размер и масса за счет использования SiC
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Долгий срок службы из-за низкого уровня тепловыделения
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными материалами
    • Требует специфического подхода к проектированию и монтажу из-за особенностей SiC
  • Общее назначение: Используется для управления и регулирования мощных электрических токов в различных приложениях.
  • Применяется в:
    • Системах управления двигателем
    • Энергосберегающих устройствах
    • Инверторах и преобразователях напряжения
    • Трансформаторах питания
    • Питательных системах промышленного оборудования
Выбрано: Показать

Характеристики UJ3N120070K3S

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    1200 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    33.5 A
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    985pF @ 100V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    90 mOhms
  • Рассеивание мощности
    254 W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    UJ3N120070

Техническая документация

UJ3N120070K3S.pdf
pdf. 0 kb
  • 1536 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    3 666 ₽
  • 30
    2 302 ₽
  • 120
    2 066 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена UJ3N120070K3S при покупке от 1 шт 3666.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UJ3N120070K3S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UJ3N120070K3S

UJ3N120070K3S onsemi Тиристор: 1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON

  • Основные параметры:
    • Рабочее напряжение (VRRM): 1200В
    • Максимальный ток (ITO): 70мА
    • Технология: SiC (суперкондуктор кремния)
    • Тип: JFET (канальный транзистор)
    • Положение поля: N-ON
  • Плюсы:
    • Высокая устойчивость к перенапряжениям благодаря высокому рабочему напряжению
    • Малый размер и масса за счет использования SiC
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Долгий срок службы из-за низкого уровня тепловыделения
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными материалами
    • Требует специфического подхода к проектированию и монтажу из-за особенностей SiC
  • Общее назначение: Используется для управления и регулирования мощных электрических токов в различных приложениях.
  • Применяется в:
    • Системах управления двигателем
    • Энергосберегающих устройствах
    • Инверторах и преобразователях напряжения
    • Трансформаторах питания
    • Питательных системах промышленного оборудования
Выбрано: Показать

Характеристики UJ3N120070K3S

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    1200 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    33.5 A
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    985pF @ 100V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    90 mOhms
  • Рассеивание мощности
    254 W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    UJ3N120070

Техническая документация

UJ3N120070K3S.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории