Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки
ULN2075B
  • В избранное
  • В сравнение
ULN2075B

ULN2075B

ULN2075B
;
ULN2075B

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ST Microelectronics
  • Артикул:
    ULN2075B
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIPВсе характеристики

Минимальная цена ULN2075B при покупке от 1 шт 1801.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ULN2075B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ULN2075B

ULN2075B — это семейство транзисторов, предназначенных для усилительной и вводной функций. Основные параметры и характеристики:

  • Тип транзистора: 4NPN Darlington
  • Номинальное напряжение: 80В
  • Максимальный ток: 1,75А
  • Количество каналов: 8
  • Пакет: 16-DIP

Плюсы:

  • Высокая мощность
  • Усиление сигнала
  • Простота использования
  • Способность работать с различными нагрузками

Минусы:

  • Высокое напряжение может повредить устройство при неправильном использовании
  • Требует дополнительного охлаждения при работе с максимальным током

Общее назначение:

  • Усилительная функция в различных электронных устройствах
  • Работа с высокими напряжениями и токами
  • Управление нагрузками в промышленных и бытовых приборах

Эти транзисторы широко применяются в:

  • Автомобильной электронике
  • Промышленном оборудовании
  • Бытовой технике
  • Домашних автоматизированных системах
Выбрано: Показать

Характеристики ULN2075B

  • Тип транзистора
    4 NPN Darlington (Quad)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1.75A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.5V @ 2.25mA, 1.5A
  • Рассеивание мощности
    1W
  • Рабочая температура
    -20°C ~ 85°C (TA)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
  • Исполнение корпуса
    16-PowerDIP (20x7.10)
  • Base Product Number
    ULN2075

Техническая документация

 ULN2075B.pdf
pdf. 0 kb
  • 6 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 801 ₽
  • 2
    1 201 ₽
  • 5
    900 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ST Microelectronics
  • Артикул:
    ULN2075B
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIPВсе характеристики

Минимальная цена ULN2075B при покупке от 1 шт 1801.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ULN2075B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ULN2075B

ULN2075B — это семейство транзисторов, предназначенных для усилительной и вводной функций. Основные параметры и характеристики:

  • Тип транзистора: 4NPN Darlington
  • Номинальное напряжение: 80В
  • Максимальный ток: 1,75А
  • Количество каналов: 8
  • Пакет: 16-DIP

Плюсы:

  • Высокая мощность
  • Усиление сигнала
  • Простота использования
  • Способность работать с различными нагрузками

Минусы:

  • Высокое напряжение может повредить устройство при неправильном использовании
  • Требует дополнительного охлаждения при работе с максимальным током

Общее назначение:

  • Усилительная функция в различных электронных устройствах
  • Работа с высокими напряжениями и токами
  • Управление нагрузками в промышленных и бытовых приборах

Эти транзисторы широко применяются в:

  • Автомобильной электронике
  • Промышленном оборудовании
  • Бытовой технике
  • Домашних автоматизированных системах
Выбрано: Показать

Характеристики ULN2075B

  • Тип транзистора
    4 NPN Darlington (Quad)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1.75A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.5V @ 2.25mA, 1.5A
  • Рассеивание мощности
    1W
  • Рабочая температура
    -20°C ~ 85°C (TA)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
  • Исполнение корпуса
    16-PowerDIP (20x7.10)
  • Base Product Number
    ULN2075

Техническая документация

 ULN2075B.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SN75469DRТранзистор: TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SOIC
    309Кешбэк 46 баллов
    ULN2004ANSRМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
    115Кешбэк 17 баллов
    BC857BS-7-FТранзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
    38Кешбэк 5 баллов
    ZXTC6717MCTAТранзистор: TRANS NPN/PNP 15V/12V 8DFN
    232Кешбэк 34 балла
    MMDT4401-TPТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363
    69Кешбэк 10 баллов
    DMG204A00RТранзистор: TRANS NPN/PNP 20V/10V 0.5A MINI6
    80Кешбэк 12 баллов
    NSVT3906DXV6T1GТранзистор: TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT563
    91Кешбэк 13 баллов
    DST847BDJ-7Транзистор: TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT963
    65Кешбэк 9 баллов
    QS5Y1TRТранзистор: TRANS NPN/PNP 30V 3A TSMT5
    207Кешбэк 31 балл
    UMX18NTNТранзистор: TRANS 2NPN 12V 0.5A 6UMT
    128Кешбэк 19 баллов
    MMDT4403-TPТранзистор: TRANS 2PNP 40V 0.6A SOT363
    69Кешбэк 10 баллов
    MMDT4403-7-FТранзистор: TRANS 2PNP 40V 0.6A SOT363
    70Кешбэк 10 баллов
    DMMT2907A-7Транзистор: TRANS 2PNP 60V 0.6A SOT26
    107Кешбэк 16 баллов
    XP0555300LТранзистор: TRANS 2NPN 100V 0.02A SMINI6
    61Кешбэк 9 баллов
    SSM2212RZТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC
    2 016Кешбэк 302 балла
    NSV40302PDR2GТранзистор: TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC
    233Кешбэк 34 балла
    SSM2212RZ-R7Транзистор: TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC
    2 016Кешбэк 302 балла
    SBC846BDW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 65V 0.1A SC88/SC70-6
    22Кешбэк 3 балла
    BC857BDW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A SC88/SC70-6
    30Кешбэк 4 балла
    ULN2004AIDRМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
    213Кешбэк 31 балл
    PBSS4130PANP,115Транзистор: TRANS NPN/PNP 30V 1A 6HUSON
    145Кешбэк 21 балл
    BC817DPN,125Транзистор: TRANS NPN/PNP 45V 0.5A 6TSOP
    53Кешбэк 7 баллов
    ULN2003AS16-13Микросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO
    141Кешбэк 21 балл
    ULN2802AТранзистор: TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
    582Кешбэк 87 баллов
    PBSS5160DS,115Транзистор: TRANS 2PNP 60V 0.77A 6TSOP
    100Кешбэк 15 баллов
    ULQ2004ADRМикросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    213Кешбэк 31 балл
    ZHB6790TAТранзистор: TRANS 2NPN/2PNP 40V 2A SOT223
    504Кешбэк 75 баллов
    ZDT617TAТранзистор: TRANS 2NPN 15V 3A SM8
    60Кешбэк 9 баллов
    ZDT694TAТранзистор: TRANS 2NPN 120V 0.5A SM8
    279Кешбэк 41 балл
    BC847BVN,115Транзистор: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT666
    74Кешбэк 11 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Диоды - мостовые выпрямители
    Принадлежности
    Транзисторы - IGBT - модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП