Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
UMC3NT1G
  • В избранное
  • В сравнение
UMC3NT1G

UMC3NT1G

UMC3NT1G
;
UMC3NT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    UMC3NT1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88AВсе характеристики

Минимальная цена UMC3NT1G при покупке от 1 шт 40.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UMC3NT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UMC3NT1G

UMC3NT1G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88A

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN/PNP
    • Номинальное напряжение: 50В
    • Количество пинов: 8
    • Объемный класс: SC88A
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малый размер
    • Доступность различных типов (NPN и PNP)
  • Минусы:
    • Средняя скорость перехода
    • Не подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Импульсная обработка
    • Привод управления
    • Блокировка тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Питание и регулировка напряжения
    • Электронные устройства управления
Выбрано: Показать

Характеристики UMC3NT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    150mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Исполнение корпуса
    SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
  • Base Product Number
    UMC3

Техническая документация

 UMC3NT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 2990 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    40 ₽
  • 50
    19 ₽
  • 500
    13.2 ₽
  • 3000
    10.3 ₽
  • 9000
    9 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    UMC3NT1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88AВсе характеристики

Минимальная цена UMC3NT1G при покупке от 1 шт 40.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UMC3NT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UMC3NT1G

UMC3NT1G onsemi Транзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88A

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN/PNP
    • Номинальное напряжение: 50В
    • Количество пинов: 8
    • Объемный класс: SC88A
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малый размер
    • Доступность различных типов (NPN и PNP)
  • Минусы:
    • Средняя скорость перехода
    • Не подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Импульсная обработка
    • Привод управления
    • Блокировка тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Питание и регулировка напряжения
    • Электронные устройства управления
Выбрано: Показать

Характеристики UMC3NT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    150mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Исполнение корпуса
    SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
  • Base Product Number
    UMC3

Техническая документация

 UMC3NT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NSBC144EPDP6T5GTRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT963
    91Кешбэк 13 баллов
    RN1703JE(TE85L,F)Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
    70Кешбэк 10 баллов
    PEMD30,115Транзистор
    87Кешбэк 13 баллов
    PEMD24,115Транзистор
    87Кешбэк 13 баллов
    PEMH16,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
    100Кешбэк 15 баллов
    PEMH20,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
    109Кешбэк 16 баллов
    NSBC144EDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    67Кешбэк 10 баллов
    PUMB11,135Транзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
    43Кешбэк 6 баллов
    PEMD9,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
    80Кешбэк 12 баллов
    NSBC144WDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    74Кешбэк 11 баллов
    DME914C10RТранзистор: TRANS NPN PREBIAS/PNP SSMINI6
    80Кешбэк 12 баллов
    PBLS4004V,115Транзистор
    3.7Кешбэк 1 балл
    PEMH15,115Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
    80Кешбэк 12 баллов
    PEMD48,115Транзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT666
    87Кешбэк 13 баллов
    PBLS4005V,115Транзистор: TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
    3.7Кешбэк 1 балл
    DDA114EU-7Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
    54Кешбэк 8 баллов
    PUMD13,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    37Кешбэк 5 баллов
    IMH14AT108Транзистор: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
    63Кешбэк 9 баллов
    PBLS6003D,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSOP
    85Кешбэк 12 баллов
    RN2703JE(TE85L,F)Транзистор
    74Кешбэк 11 баллов
    RN2906FE(TE85L,F)Транзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
    59Кешбэк 8 баллов
    DDC114YH-7Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
    83Кешбэк 12 баллов
    PEMD14,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
    109Кешбэк 16 баллов
    PEMD6,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
    80Кешбэк 12 баллов
    PEMD10,115Транзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
    80Кешбэк 12 баллов
    NSBA123EDXV6T1GТранзистор
    78Кешбэк 11 баллов
    EMC2DXV5T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT553
    83Кешбэк 12 баллов
    NSVBC114YDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    72Кешбэк 10 баллов
    NSBA144WDXV6T1GТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
    78Кешбэк 11 баллов
    DDA114YU-7-FТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
    52Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Принадлежности
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП