Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
UNR211V00L
  • В избранное
  • В сравнение
UNR211V00L

UNR211V00L

UNR211V00L
;
UNR211V00L

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Panasonic Electronic Components
  • Артикул:
    UNR211V00L
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3Все характеристики

Минимальная цена UNR211V00L при покупке от 1 шт 18.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UNR211V00L с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UNR211V00L

UNR211V00L Panasonic Electronic Components TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • Основные параметры:
    • Тип: PNP
    • Максимальная мощность: 200 мВт
    • Объем: миниатюрный (MINI3)
  • Плюсы:
    • Малый размер
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к шуму
    • Высокая скорость включения
  • Минусы:
    • Высокие требования к дизайну схемы
    • Небольшой теплопроводность
  • Общее назначение:
    • Используется для предварительного усилителя сигнала
    • Подходит для высокочастотных приложений
    • Используется в телевизорах, радиоприемниках, цифровых устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Телевизоры
    • Радиоприемники
    • Цифровые телевизионные приемники
    • Системы звука
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики UNR211V00L

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    2.2 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    6 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 1.5mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    80 MHz
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    Mini3-G1
  • Base Product Number
    UNR211

Техническая документация

 UNR211V00L.pdf
pdf. 0 kb
  • 2390 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    18.5 ₽
  • 100
    8.5 ₽
  • 6000
    10.3 ₽
  • 15000
    9.2 ₽
  • 30000
    8.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Panasonic Electronic Components
  • Артикул:
    UNR211V00L
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3Все характеристики

Минимальная цена UNR211V00L при покупке от 1 шт 18.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UNR211V00L с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UNR211V00L

UNR211V00L Panasonic Electronic Components TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • Основные параметры:
    • Тип: PNP
    • Максимальная мощность: 200 мВт
    • Объем: миниатюрный (MINI3)
  • Плюсы:
    • Малый размер
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к шуму
    • Высокая скорость включения
  • Минусы:
    • Высокие требования к дизайну схемы
    • Небольшой теплопроводность
  • Общее назначение:
    • Используется для предварительного усилителя сигнала
    • Подходит для высокочастотных приложений
    • Используется в телевизорах, радиоприемниках, цифровых устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Телевизоры
    • Радиоприемники
    • Цифровые телевизионные приемники
    • Системы звука
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики UNR211V00L

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    2.2 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    6 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 1.5mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    80 MHz
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    Mini3-G1
  • Base Product Number
    UNR211

Техническая документация

 UNR211V00L.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PDTA143TM,315Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006-3
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5240T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
    5.7Кешбэк 1 балл
    PDTA144TM,315Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006-3
    13Кешбэк 1 балл
    DDTC114YCA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    37Кешбэк 5 баллов
    PDTC114YU,115Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
    26Кешбэк 3 балла
    DDTD142JC-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    50Кешбэк 7 баллов
    PDTA124XM,315Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006-3
    14.8Кешбэк 2 балла
    PDTC144WMB,315Транзистор: NOW NEXPERIA PDTC144WMB - SMALL
    14.8Кешбэк 2 балла
    DDTA144GCA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    24Кешбэк 3 балла
    PDTA144WMB,315Транзистор: NOW NEXPERIA PDTA144WMB - SMALL
    14.8Кешбэк 2 балла
    PDTA115TU,115Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
    7.4Кешбэк 1 балл
    NSBA115TF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    13Кешбэк 1 балл
    PDTA144TU,115Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
    7.4Кешбэк 1 балл
    BCR116E6327HTSA1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
    41Кешбэк 6 баллов
    PDTA124XMB,315Транзистор: NOW NEXPERIA PDTA124XMB - SMALL
    16.7Кешбэк 2 балла
    PDTC124EE,115Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
    5.6Кешбэк 1 балл
    PDTA113EMB,315Транзистор: NOW NEXPERIA PDTA113EMB - SMALL
    14.8Кешбэк 2 балла
    PDTA113EM,315Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006-3
    13Кешбэк 1 балл
    PDTA123EMB,315Транзистор: NOW NEXPERIA PDTA123EMB - SMALL
    14.8Кешбэк 2 балла
    NSBA123TF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    13Кешбэк 1 балл
    PDTA144VMB,315Транзистор: NOW NEXPERIA PDTA144VMB - SMALL
    14.8Кешбэк 2 балла
    PDTA143XQAZТранзистор
    13Кешбэк 1 балл
    PDTA124EMB,315Транзистор: NOW NEXPERIA PDTA124EMB - SMALL
    16.7Кешбэк 2 балла
    PDTA123EM,315Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V DFN1006-3
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5140T1GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3
    5.7Кешбэк 1 балл
    PDTA114EQAZТранзистор
    13Кешбэк 1 балл
    PDTA124EE,115TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75
    14.8Кешбэк 2 балла
    PDTA143EQAZТранзистор
    13Кешбэк 1 балл
    PDTA143ZQAZТранзистор
    13Кешбэк 1 балл
    PDTA114YQAZТранзистор
    13Кешбэк 1 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП