UPA507TE-T1-AT

UPA507TE-T1-AT Renesas Electronics Corporation P-CHANNEL MOSFET

• Основные параметры:
• Максимальное напряжение на дренаже (VDS): 70 В
• Максимальный ток дренажа (ID): 2 А
• Тип MOSFET: P-канальный
• Технология производства: SiC (silicon carbide)
• Плюсы:
• Высокая проводимость при малых напряжениях на входе
• Малое сопротивление при включенном состоянии
• Устойчивость к перегреву
• Малый размер и легкость
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
• Требуется дополнительная защита от ударов напряжения
• Общее назначение:
• Регулирование напряжения в электронных устройствах
• Контроль тока в силовых приложениях
• Изоляция сигналов в цифровых системах
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Системы питания для ноутбуков и планшетов
• Промышленные контроллеры и приводы
• Радиоэлектронные устройства