Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
US1J-13-F
  • В избранное
  • В сравнение
US1J-13-F

US1J-13-F

US1J-13-F
;
US1J-13-F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    US1J-13-F
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAВсе характеристики

Минимальная цена US1J-13-F при покупке от 1 шт 56.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить US1J-13-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание US1J-13-F

DIODE GEN PURP 600V 1A SMA от DIODES INCORPORATED

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: 600В
    • Ток пропускания: 1А
    • Форма пакета: SMA (Small Outline Micro)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокая стабильность параметров
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами диодов
    • Узкий диапазон температурной эксплуатации
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Распределение напряжений в системах питания
    • Контроль направления тока в электрических цепях
  • Применение в устройствах:
    • Мобильные устройства
    • Автомобили
    • Индустриальное оборудование
    • Электронные устройства управления
Выбрано: Показать

Характеристики US1J-13-F

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    75 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Емкость @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-214AC, SMA
  • Исполнение корпуса
    SMA
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    US1J

Техническая документация

 US1J-13-F.pdf
pdf. 0 kb
  • 831 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    56 ₽
  • 10
    40 ₽
  • 500
    19.5 ₽
  • 2000
    14.4 ₽
  • 10000
    9.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    US1J-13-F
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAВсе характеристики

Минимальная цена US1J-13-F при покупке от 1 шт 56.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить US1J-13-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание US1J-13-F

DIODE GEN PURP 600V 1A SMA от DIODES INCORPORATED

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания: 600В
    • Ток пропускания: 1А
    • Форма пакета: SMA (Small Outline Micro)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокая стабильность параметров
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами диодов
    • Узкий диапазон температурной эксплуатации
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Распределение напряжений в системах питания
    • Контроль направления тока в электрических цепях
  • Применение в устройствах:
    • Мобильные устройства
    • Автомобили
    • Индустриальное оборудование
    • Электронные устройства управления
Выбрано: Показать

Характеристики US1J-13-F

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    75 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Емкость @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-214AC, SMA
  • Исполнение корпуса
    SMA
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    US1J

Техническая документация

 US1J-13-F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MUR1520GДиод: DIODE GEN PURP 200V 15A TO220-2
    174Кешбэк 26 баллов
    MURS230T3GDIODE GEN PURP 300V 2A SMB
    174Кешбэк 26 баллов
    MBRD350T4GDIODE SCHOTTKY 50V 3A DPAK
    176Кешбэк 26 баллов
    RD0506T-TL-H
    178Кешбэк 26 баллов
    SBRS8340T3GDIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC
    178Кешбэк 26 баллов
    MBR2045MFST1GDIODE SCHOTTKY 45V 20A 5DFN
    178Кешбэк 26 баллов
    MURS480ET3GДиод: DIODE GEN PURP 800V 4A SMC
    180Кешбэк 27 баллов
    SB530Диод: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 5A, 3
    180Кешбэк 27 баллов
    MBRA2H100T3GDIODE SCHOTTKY 100V 2A SMA
    182Кешбэк 27 баллов
    MBR30H100MFST1GDIODE SCHOTTKY 100V 30A 5DFN
    182Кешбэк 27 баллов
    FFP08S60SNTU
    185Кешбэк 27 баллов
    NRVBAF260T3GДиод: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMA-FL
    187Кешбэк 28 баллов
    MBRD1045T4GДиод: DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK
    189Кешбэк 28 баллов
    MUR2020RGDIODE GEN PURP 200V 20A TO220AC
    191Кешбэк 28 баллов
    MUR840GDIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC
    193Кешбэк 28 баллов
    MUR1540GДиод: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 15A,
    197Кешбэк 29 баллов
    MBRM2H100T3GDIODE SCHOTTKY 100V 2A POWERMITE
    198Кешбэк 29 баллов
    SBRD81045T4GDIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK
    200Кешбэк 30 баллов
    MURHD560W1T4GDIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
    204Кешбэк 30 баллов
    NRVHPD660T4GDIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
    207Кешбэк 31 балл
    SBRD8835LT4GDIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
    217Кешбэк 32 балла
    FSV1060VDIODE SCHOTTKY 60V 10A TO277-3
    227Кешбэк 34 балла
    NRVB10100MFST1GДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 10A 5DFN
    241Кешбэк 36 баллов
    NHPV08S600GDIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
    241Кешбэк 36 баллов
    NRVTS1045EMFST1GДиод: DIODE SCHOTTKY 45V 10A 5DFN
    242Кешбэк 36 баллов
    MUR815GDIODE GEN PURP 150V 8A TO220AC
    246Кешбэк 36 баллов
    FSV20100VDIODE SCHOTTKY 100V 20A TO277-3
    256Кешбэк 38 баллов
    NRVBAF440T3GДиод: DIODE SCHOTTKY 4A 40V SMA-FL
    261Кешбэк 39 баллов
    NTST40H120CTG
    265Кешбэк 39 баллов
    MSRF860GDIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP
    269Кешбэк 40 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Принадлежности
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды силовые
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Симисторы
    Диоды - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП