Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
USB260-M3/52T
  • В избранное
  • В сравнение
USB260-M3/52T

USB260-M3/52T

USB260-M3/52T
;
USB260-M3/52T

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor
  • Артикул:
    USB260-M3/52T
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AAВсе характеристики

Минимальная цена USB260-M3/52T при покупке от 1 шт 104.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить USB260-M3/52T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание USB260-M3/52T

USB260-M3/52T Vishay General Semiconductor DIODE GEN PURP 600В 2А DO214AA

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR): 600В
    • Номинальный ток (ISM): 2А
    • Форма пакета: DO214AA
  • Плюсы:
    • Высокое напряжения сопротивления
    • Средний ток
    • Компактная размерная система
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Могут быть чувствительны к механическим повреждениям
    • Не предназначены для высокочастотных применений
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного тока
    • Распределение напряжения
    • Конвертация напряжения
  • Применение в устройствах:
    • Электронные устройства управления
    • Инверторы
    • Системы питания
    • Передатчики
    • Сетевые адаптеры
Выбрано: Показать

Характеристики USB260-M3/52T

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    2A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.6 V @ 2 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    30 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Емкость @ Vr, F
    45pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-214AA, SMB
  • Исполнение корпуса
    DO-214AA (SMB)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    USB260

Техническая документация

 USB260-M3/52T.pdf
pdf. 0 kb
  • 4603 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    104 ₽
  • 10
    71 ₽
  • 100
    59 ₽
  • 500
    28.5 ₽
  • 750
    27 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor
  • Артикул:
    USB260-M3/52T
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AAВсе характеристики

Минимальная цена USB260-M3/52T при покупке от 1 шт 104.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить USB260-M3/52T с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание USB260-M3/52T

USB260-M3/52T Vishay General Semiconductor DIODE GEN PURP 600В 2А DO214AA

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR): 600В
    • Номинальный ток (ISM): 2А
    • Форма пакета: DO214AA
  • Плюсы:
    • Высокое напряжения сопротивления
    • Средний ток
    • Компактная размерная система
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Могут быть чувствительны к механическим повреждениям
    • Не предназначены для высокочастотных применений
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного тока
    • Распределение напряжения
    • Конвертация напряжения
  • Применение в устройствах:
    • Электронные устройства управления
    • Инверторы
    • Системы питания
    • Передатчики
    • Сетевые адаптеры
Выбрано: Показать

Характеристики USB260-M3/52T

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    2A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.6 V @ 2 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    30 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Емкость @ Vr, F
    45pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-214AA, SMB
  • Исполнение корпуса
    DO-214AA (SMB)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    USB260

Техническая документация

 USB260-M3/52T.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STPS20SM60DДиод: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO220AC
    322Кешбэк 48 баллов
    STTH8R06GY-TRDIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
    322Кешбэк 48 баллов
    STPS30M100STДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220AB
    322Кешбэк 48 баллов
    STTH506DDIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC
    325Кешбэк 48 баллов
    STPS30170DJF-TRДиод: DIODE SCHOTTKY 170V 30A POWRFLAT
    326Кешбэк 48 баллов
    STTH30S12WDIODE GEN PURP 1.2KV 30A DO247
    326Кешбэк 48 баллов
    STPS30120DJF-TRДиод: DIODE SCHOTTKY 120V 30A POWRFLAT
    337Кешбэк 50 баллов
    STTH15R06DДиод: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
    337Кешбэк 50 баллов
    STPS30SM120SFPДиод: DIODE SCHOTTKY 120V TO220FPAB
    343Кешбэк 51 балл
    STTH15L06DДиод: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
    345Кешбэк 51 балл
    STPS20SM120STNDIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220AB
    346Кешбэк 51 балл
    STTH8R06DIRGДиод: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
    346Кешбэк 51 балл
    STTH8R03DJF-TRDIODE GEN PURP 300V 8A POWERFLAT
    348Кешбэк 52 балла
    STTH15L06FPДиод: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP
    348Кешбэк 52 балла
    FERD20M60STДиод: DIODE RECT 60V 20A TO220AB
    352Кешбэк 52 балла
    STTH30L06G-TRДиод: DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK
    354Кешбэк 53 балла
    STTH3006WДиод: DIODE GEN PURP 600V 30A DO247
    354Кешбэк 53 балла
    STPS20SM120SFPDIODE SCHOTTKY 120V 20A TO220FP
    356Кешбэк 53 балла
    STTH20R04DДиод: DIODE GEN PURP 400V 20A TO220AC
    358Кешбэк 53 балла
    STPS30M100SFPДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220FP
    358Кешбэк 53 балла
    STTH806DTIДиод: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
    358Кешбэк 53 балла
    STPS20L15G-TRДиод: DIODE SCHOTTKY 15V 20A D2PAK
    361Кешбэк 54 балла
    STPS20M60SRDIODE SCHOTTKY 60V 20A I2PAK
    361Кешбэк 54 балла
    STPS1545G-TRДиод: DIODE SCHOTTKY 45V 15A D2PAK
    363Кешбэк 54 балла
    FERD30M45CRDIODE ARRAY 45V 30A I2PAK
    371Кешбэк 55 баллов
    STTH3002G-TRДиод: DIODE GEN PURP 200V 30A D2PAK
    378Кешбэк 56 баллов
    STPSC4H065DДиод: DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC
    387Кешбэк 58 баллов
    STTH6006WДиод: DIODE GEN PURP 600V 60A DO247
    393Кешбэк 58 баллов
    STPS20M120SRDIODE SCHOTTKY 120V 20A I2PAK
    393Кешбэк 58 баллов
    STTH1502DIДиод: DIODE GEN PURP 200V 15A TO220AC
    404Кешбэк 60 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - выпрямители - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Симисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП