Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
V8P6HM3_A/I
  • В избранное
  • В сравнение
V8P6HM3_A/I

V8P6HM3_A/I

V8P6HM3_A/I
;
V8P6HM3_A/I

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    V8P6HM3_A/I
  • Описание:
    DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277AВсе характеристики

Минимальная цена V8P6HM3_A/I при покупке от 1 шт 198.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить V8P6HM3_A/I с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание V8P6HM3_A/I

V8P6HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277A

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR) - 60В
    • Ток прямого тока (ISM) - 8А
    • Форм-фактор - TO277A
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Малый напряжением вольта
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Низкое сопротивление при прямом токе
  • Минусы:
    • Относительно высокая емкость
    • Высокие потери при высоких частотах
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного напряжения
    • Конвертация напряжений
    • Регулирование напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы питания
    • Мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Измерительные приборы
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики V8P6HM3_A/I

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    60 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    8A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    610 mV @ 8 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    600 µA @ 60 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-277, 3-PowerDFN
  • Исполнение корпуса
    TO-277A (SMPC)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -40°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    V8P6

Техническая документация

 V8P6HM3_A/I.pdf
pdf. 0 kb
  • 12734 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    198 ₽
  • 10
    124 ₽
  • 500
    63 ₽
  • 2000
    52 ₽
  • 13000
    42 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    V8P6HM3_A/I
  • Описание:
    DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277AВсе характеристики

Минимальная цена V8P6HM3_A/I при покупке от 1 шт 198.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить V8P6HM3_A/I с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание V8P6HM3_A/I

V8P6HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277A

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR) - 60В
    • Ток прямого тока (ISM) - 8А
    • Форм-фактор - TO277A
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Малый напряжением вольта
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Низкое сопротивление при прямом токе
  • Минусы:
    • Относительно высокая емкость
    • Высокие потери при высоких частотах
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного напряжения
    • Конвертация напряжений
    • Регулирование напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы питания
    • Мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Измерительные приборы
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики V8P6HM3_A/I

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    60 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    8A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    610 mV @ 8 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    600 µA @ 60 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-277, 3-PowerDFN
  • Исполнение корпуса
    TO-277A (SMPC)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -40°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    V8P6

Техническая документация

 V8P6HM3_A/I.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SS115-HFDIODE SCHOTTKY 150V 1A DO214AC S
    70Кешбэк 10 баллов
    RGP30KДиод: DIODE FR DO-201 800V 3A
    76Кешбэк 11 баллов
    1N1185ADO5 35 AMP SILICON RECTFIER
    2 757Кешбэк 413 баллов
    C6D08065EДиод: GEN 6 650V 8 A SBD
    847Кешбэк 127 баллов
    S4D04120EDIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
    259Кешбэк 38 баллов
    1SS355VMFHTE-17HIGH SPEED SWITCHING DIODE, HIGH
    53Кешбэк 7 баллов
    SCS220AEGC11650V, 20A, 3-PIN THD, SILICON-CA
    1 834Кешбэк 275 баллов
    SR34_R1_00001SMB, SKY
    59Кешбэк 8 баллов
    1N4936GP-TPДиод: DIODE GPP FAST 1A DO-41
    44.5Кешбэк 6 баллов
    BAS3005B02VH6327XTSA1Диод: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SC79-2
    37.6Кешбэк 5 баллов
    BY397Диод: DIODE FR DO-201 200V 3A
    64Кешбэк 9 баллов
    BAS16-HFDIODE SWITCHING SINGLE 100V 150M
    31.5Кешбэк 4 балла
    BAV19WDIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
    18.5Кешбэк 2 балла
    RBR3L60BDDTE25Диод: LOW VF TYPE AUTOMOTIVE SCHOTTKY
    119Кешбэк 17 баллов
    MUR160SDIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
    83Кешбэк 12 баллов
    BYG10YHE3_A/H1.5A,1600V,STD,AVALANCHE,SMD
    69Кешбэк 10 баллов
    VS-3EYH01HM3/HFRED PT RECTIFIER SLIMSMAW
    87Кешбэк 13 баллов
    STTH30RQ06G-TRДиод: DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK
    521Кешбэк 78 баллов
    V15P8HM3_A/HDIODE SCHOTTKY 80V 15A TO277A
    237Кешбэк 35 баллов
    SB590Диод: SCHOTTKY DO-201 90V 5A
    91Кешбэк 13 баллов
    SGL34-50Диод: SCHOTTKY DO-213AA 50V 0.5A
    18Кешбэк 2 балла
    CDBMS1150-HFDIODE SCHOTTKY 150V 1A SOD-123F
    70Кешбэк 10 баллов
    SUF4007Диод: DIODE UFR MELF 1000V 1A
    59Кешбэк 8 баллов
    CMH07(TE12L,Q,M)DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT
    148Кешбэк 22 балла
    SBT1040-3GSchottky, 40V, 10A, 0.50V, 135A
    233Кешбэк 34 балла
    RURP1540RECTIFIER, AVALANCHE, 15A, 400V
    306Кешбэк 45 баллов
    RB168L-40TFTE25Диод: SUPER LOW IR TYPE AUTOMOTIVE SCH
    96Кешбэк 14 баллов
    SFAS805GDIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SFAS805GHDIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SFAS806GHDIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные полевые транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП