Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
VP0106N3-G
  • В избранное
  • В сравнение
VP0106N3-G

VP0106N3-G

VP0106N3-G
;
VP0106N3-G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    VP0106N3-G
  • Описание:
    MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3Все характеристики

Минимальная цена VP0106N3-G при покупке от 1 шт 196.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VP0106N3-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VP0106N3-G

VP0106N3-G Microchip Technology MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный полупроводниковый транзистор (MOSFET)
    • Тип полярности: P-канальный (P-CH)
    • Номинальное напряжение: 60В
    • Разрядный ток: 250mA
    • Форм-фактор: TO92-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Малая трансистуральная сопротивляемость
    • Устойчивость к электрическим разрядам
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Могут быть чувствительны к скачкам напряжения
    • Требуют дополнительных компонентов для защиты от перегрузок
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электронных цепях
    • Переключение высокочастотных сигналов
    • Регулирование напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Игровые консоли
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателем
    • Электронные блоки питания
    • Смартфоны и другие мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики VP0106N3-G

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    250mA (Tj)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    60 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Base Product Number
    VP0106

Техническая документация

 VP0106N3-G.pdf
pdf. 0 kb
  • 1297 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    196 ₽
  • 25
    165 ₽
  • 100
    148 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    VP0106N3-G
  • Описание:
    MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3Все характеристики

Минимальная цена VP0106N3-G при покупке от 1 шт 196.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VP0106N3-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VP0106N3-G

VP0106N3-G Microchip Technology MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный полупроводниковый транзистор (MOSFET)
    • Тип полярности: P-канальный (P-CH)
    • Номинальное напряжение: 60В
    • Разрядный ток: 250mA
    • Форм-фактор: TO92-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Малая трансистуральная сопротивляемость
    • Устойчивость к электрическим разрядам
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Могут быть чувствительны к скачкам напряжения
    • Требуют дополнительных компонентов для защиты от перегрузок
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электронных цепях
    • Переключение высокочастотных сигналов
    • Регулирование напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Игровые консоли
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателем
    • Электронные блоки питания
    • Смартфоны и другие мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики VP0106N3-G

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    250mA (Tj)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    60 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Base Product Number
    VP0106

Техническая документация

 VP0106N3-G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DN2535N5-GТранзистор: MOSFET N-CH 350V 500MA TO220-3
    313Кешбэк 46 баллов
    TP2640LG-GMOSFET P-CH 400V 86MA 8SOIC
    461Кешбэк 69 баллов
    VN2222LL-G-P013Транзистор: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3
    119Кешбэк 17 баллов
    TN0106N3-G-P003MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
    215Кешбэк 32 балла
    DN3765K4-GMOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
    609Кешбэк 91 балл
    TN2640LG-GMOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC
    448Кешбэк 67 баллов
    VN2106N3-GMOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
    93Кешбэк 13 баллов
    VP0106N3-GMOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
    196Кешбэк 29 баллов
    TN0620N3-GMOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
    302Кешбэк 45 баллов
    VP2206N3-GMOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
    476Кешбэк 71 балл
    VN2406L-GMOSFET N-CH 240V 190MA TO92-3
    343Кешбэк 51 балл
    VN0104N3-G-P013MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3
    165Кешбэк 24 балла
    VN10KN3-G-P013MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
    133Кешбэк 19 баллов
    2N6660MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39
    2 945Кешбэк 441 балл
    TN2524N8-GMOSFET N-CH 240V 360MA TO243AA
    285Кешбэк 42 балла
    LP0701N3-GТранзистор: MOSFET P-CH 16.5V 500MA TO92
    363Кешбэк 54 балла
    DN2530N3-GMOSFET N-CH 300V 175MA TO92
    146Кешбэк 21 балл
    TN2540N3-G-P002MOSFET N-CH 400V 175MA TO92-3
    309Кешбэк 46 баллов
    TN0104N3-GMOSFET N-CH 40V 450MA TO92-3
    215Кешбэк 32 балла
    DN1509K1-GMOSFET N-CH 90V 200MA SOT23-5
    141Кешбэк 21 балл
    VN2224N3-GMOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3
    767Кешбэк 115 баллов
    TN0110N3-G-P002Транзистор: MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
    252Кешбэк 37 баллов
    TP2502N8-GMOSFET P-CH 20V 630MA TO243AA
    315Кешбэк 47 баллов
    TN0604N3-G-P005MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3
    282Кешбэк 42 балла
    VP2450N3-GMOSFET P-CH 500V 100MA TO92-3
    378Кешбэк 56 баллов
    TN0104N3-G-P003MOSFET N-CH 40V 450MA TO92-3
    237Кешбэк 35 баллов
    TP2635N3-GMOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3
    370Кешбэк 55 баллов
    VN3205N3-GMOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
    309Кешбэк 46 баллов
    TP2540N3-GMOSFET P-CH 400V 86MA TO92-3
    330Кешбэк 49 баллов
    TP0620N3-GMOSFET P-CH 200V 175MA TO92-3
    352Кешбэк 52 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды силовые
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты - Модули
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Диодные мосты
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторные модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП