Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
VS-1KAB10E
  • В избранное
  • В сравнение
VS-1KAB10E

VS-1KAB10E

VS-1KAB10E
;
VS-1KAB10E

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    VS-1KAB10E
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1P 100V 1.2A D-38Все характеристики

Минимальная цена VS-1KAB10E при покупке от 1 шт 526.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-1KAB10E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VS-1KAB10E

VS-1KAB10E Vishay General Semiconductor - Diodes Division BRIDGE RECT 1P 100V 1.2A D-38

  • Основные параметры:
    • Мощность: 1W
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Номинальный ток: 1.2А
    • Форма пакета: D-38
    • Количество полупроводников: 4
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Долгий срок службы
    • Высокая частота работы
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с менее мощными вариантами
    • Требует дополнительного охлаждения для максимальной мощности
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Защита электронных устройств от обратного напряжения
    • Использование в источниках питания
    • Работа в схемах преобразования напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Приборы для домашнего использования (телевизоры, холодильники)
    • Автомобильные системы (видеорегистраторы, GPS)
    • Мобильные устройства (адаптеры зарядки)
    • Системы управления энергией
Выбрано: Показать

Характеристики VS-1KAB10E

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    100 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1.2 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 1.2 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 100 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-Square, D-38
  • Исполнение корпуса
    D-38
  • Base Product Number
    1KAB10

Техническая документация

 VS-1KAB10E.pdf
pdf. 0 kb
  • 778 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    526 ₽
  • 10
    341 ₽
  • 100
    235 ₽
  • 500
    189 ₽
  • 1000
    175 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    VS-1KAB10E
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1P 100V 1.2A D-38Все характеристики

Минимальная цена VS-1KAB10E при покупке от 1 шт 526.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-1KAB10E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VS-1KAB10E

VS-1KAB10E Vishay General Semiconductor - Diodes Division BRIDGE RECT 1P 100V 1.2A D-38

  • Основные параметры:
    • Мощность: 1W
    • Номинальное напряжение: 100В
    • Номинальный ток: 1.2А
    • Форма пакета: D-38
    • Количество полупроводников: 4
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Долгий срок службы
    • Высокая частота работы
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с менее мощными вариантами
    • Требует дополнительного охлаждения для максимальной мощности
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Защита электронных устройств от обратного напряжения
    • Использование в источниках питания
    • Работа в схемах преобразования напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Приборы для домашнего использования (телевизоры, холодильники)
    • Автомобильные системы (видеорегистраторы, GPS)
    • Мобильные устройства (адаптеры зарядки)
    • Системы управления энергией
Выбрано: Показать

Характеристики VS-1KAB10E

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    100 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1.2 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 1.2 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 100 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-Square, D-38
  • Исполнение корпуса
    D-38
  • Base Product Number
    1KAB10

Техническая документация

 VS-1KAB10E.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    VS-36MB100ABRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A D-34
    1 334Кешбэк 200 баллов
    VS-26MT60BRIDGE RECT 3PHASE 600V 25A D-63
    2 368Кешбэк 355 баллов
    GBU608Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU
    166Кешбэк 24 балла
    MD100S16M2-BPДиод: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 100A M2 P
    9 595Кешбэк 1 439 баллов
    DF04S-TBRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DF-S
    118Кешбэк 17 баллов
    VS-GBPC3510WBRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W
    1 617Кешбэк 242 балла
    GBPC3501BRIDGE RECT 1PHASE 100V 35A GBPC
    254Кешбэк 38 баллов
    VS-GBPC3502ABRIDGE RECT 1P 200V 35A GBPC-A
    1 562Кешбэк 234 балла
    GBJ8005RECT BRIDGE GPP 50V 8A GBJ
    145Кешбэк 21 балл
    GBU8GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A GBU
    561Кешбэк 84 балла
    GBJ2502-GBRIDGE RECT 1PHASE 200V 25A GBJ
    565Кешбэк 84 балла
    GBJ1006BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBJ
    119Кешбэк 17 баллов
    GBPC2504-E4/51Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 25A GBPC
    1 002Кешбэк 150 баллов
    GBPC1204WBRIDGE RECT 1PH 400V 12A GBPC-W
    997Кешбэк 149 баллов
    GBJ20005BRIDGE RECT 1PHASE 50V 20A GBJ
    288Кешбэк 43 балла
    MB6S-TPBRIDGE RECT 1P 600V 500MA MBS-1
    77Кешбэк 11 баллов
    GBJ810-FBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A GBJ
    511Кешбэк 76 баллов
    GBU1504-GBRIDGE RECT 1PHASE 400V 15A GBU
    437Кешбэк 65 баллов
    KBPC2510W-GBRIDGE RECT 1P 1KV 25A KBPC-W
    2 042Кешбэк 306 баллов
    GBPC2502-E4/51Диод: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 25A GBPC
    987Кешбэк 148 баллов
    2KBP10M-E4/45BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBPM
    167Кешбэк 25 баллов
    GBPC1501W-E4/51BRIDGE RECT 1P 100V 15A GBPC-W
    1 119Кешбэк 167 баллов
    VS-KBPC801PBFBRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A D-72
    902Кешбэк 135 баллов
    GBPC3501WBRIDGE RECT 1P 100V 35A GBPC-W
    261Кешбэк 39 баллов
    KBPC3506-GДиод: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A KBPC
    2 129Кешбэк 319 баллов
    GBU401BRIDGE RECT 1PHASE 100V 4A GBU
    267Кешбэк 40 баллов
    VS-GBPC3508WBRIDGE RECT 1P 800V 35A GBPC-W
    1 463Кешбэк 219 баллов
    KBU8J-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A KBU
    826Кешбэк 123 балла
    KBU8D-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A KBU
    897Кешбэк 134 балла
    GBPC1202W-E4/51BRIDGE RECT 1P 200V 12A GBPC-W
    1 143Кешбэк 171 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды силовые
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП