Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Модули
VS-249NQ150PBF
  • В избранное
  • В сравнение
VS-249NQ150PBF

VS-249NQ150PBF

VS-249NQ150PBF
;
VS-249NQ150PBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    VS-249NQ150PBF
  • Описание:
    DIODE SCHOTTKY 150V 240A HALFPAKВсе характеристики

Минимальная цена VS-249NQ150PBF при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-249NQ150PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VS-249NQ150PBF

VS-249NQ150PBF — это диод Шоттки производства компании Vishay General Semiconductor. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение: 150 В
  • Номинальный ток: 240 А
  • Форм-фактор: HALFPAK

Плюсы:

  • Высокая скорость перехода: быстрое включение и выключение, что позволяет снизить потери энергии.
  • Низкое напряжение срабатывания: обычно ниже 0,3 В, что уменьшает энергетические потери.
  • Малый размер: благодаря форм-фактору HALFPAK, занимает мало места на печатной плате.

Минусы:

  • Высокие обратные потери: при работе в обратном направлении могут возникнуть значительные потери энергии.
  • Низкая способность к переносу импульсов: не подходит для высокочастотных приложений.

Общее назначение:

  • Изоляция цепей питания от нагрузки.
  • Защита электронных компонентов от обратного напряжения.
  • Переходные элементы в схемах управления.

Применяется в:

  • Системах управления двигателей.
  • Питательных цепях.
  • Инверторах и преобразователях.
  • Регуляторах напряжения.
Выбрано: Показать

Характеристики VS-249NQ150PBF

  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    150 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    240A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.21 V @ 240 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    6 mA @ 150 V
  • Емкость @ Vr, F
    6000pF @ 5V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    D-67 HALF-PAK
  • Исполнение корпуса
    D-67 HALF-PAK
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    249NQ150

Техническая документация

 VS-249NQ150PBF.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    VS-249NQ150PBF
  • Описание:
    DIODE SCHOTTKY 150V 240A HALFPAKВсе характеристики

Минимальная цена VS-249NQ150PBF при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-249NQ150PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VS-249NQ150PBF

VS-249NQ150PBF — это диод Шоттки производства компании Vishay General Semiconductor. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение: 150 В
  • Номинальный ток: 240 А
  • Форм-фактор: HALFPAK

Плюсы:

  • Высокая скорость перехода: быстрое включение и выключение, что позволяет снизить потери энергии.
  • Низкое напряжение срабатывания: обычно ниже 0,3 В, что уменьшает энергетические потери.
  • Малый размер: благодаря форм-фактору HALFPAK, занимает мало места на печатной плате.

Минусы:

  • Высокие обратные потери: при работе в обратном направлении могут возникнуть значительные потери энергии.
  • Низкая способность к переносу импульсов: не подходит для высокочастотных приложений.

Общее назначение:

  • Изоляция цепей питания от нагрузки.
  • Защита электронных компонентов от обратного напряжения.
  • Переходные элементы в схемах управления.

Применяется в:

  • Системах управления двигателей.
  • Питательных цепях.
  • Инверторах и преобразователях.
  • Регуляторах напряжения.
Выбрано: Показать

Характеристики VS-249NQ150PBF

  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    150 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    240A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.21 V @ 240 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    6 mA @ 150 V
  • Емкость @ Vr, F
    6000pF @ 5V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    D-67 HALF-PAK
  • Исполнение корпуса
    D-67 HALF-PAK
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    249NQ150

Техническая документация

 VS-249NQ150PBF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MBRT60060RDIODE MODULE 60V 300A 3TOWER
    15 655Кешбэк 2 348 баллов
    MBRT60080DIODE MODULE 80V 300A 3TOWER
    14 895Кешбэк 2 234 балла
    MBRT60080RDIODE MODULE 80V 300A 3TOWER
    14 895Кешбэк 2 234 балла
    MBR40020CTRDIODE MODULE 20V 200A 2TOWER
    14 847Кешбэк 2 227 баллов
    MBR40030CTRDIODE MODULE 30V 200A 2TOWER
    14 847Кешбэк 2 227 баллов
    MBRT300100RDIODE MODULE 100V 150A 3TOWER
    11 227Кешбэк 1 684 балла
    MBRT30020DIODE MODULE 20V 150A 3TOWER
    11 227Кешбэк 1 684 балла
    MBRT30020RDIODE MODULE 20V 150A 3TOWER
    11 227Кешбэк 1 684 балла
    MBRT30030DIODE MODULE 30V 150A 3TOWER
    11 227Кешбэк 1 684 балла
    MBRT30030RDIODE MODULE 30V 150A 3TOWER
    11 227Кешбэк 1 684 балла
    MBR12040CTDIODE MODULE 40V 120A 2TOWER
    8 835Кешбэк 1 325 баллов
    MBR12040CTRDIODE MODULE 40V 120A 2TOWER
    8 835Кешбэк 1 325 баллов
    MBR12060CTRDIODE MODULE 60V 120A 2TOWER
    8 835Кешбэк 1 325 баллов
    MBR12020CTDIODE MODULE 20V 120A 2TOWER
    8 835Кешбэк 1 325 баллов
    MBR12020CTRDIODE MODULE 20V 120A 2TOWER
    8 835Кешбэк 1 325 баллов
    MBR12030CTDIODE MODULE 30V 120A 2TOWER
    8 835Кешбэк 1 325 баллов
    MBR12030CTRDIODE MODULE 30V 120A 2TOWER
    8 835Кешбэк 1 325 баллов
    MBR12035CTDIODE MODULE 35V 120A 2TOWER
    8 835Кешбэк 1 325 баллов
    MBR120100CTDIODE MODULE 100V 120A 2TOWER
    8 835Кешбэк 1 325 баллов
    MBR120100CTRDIODE MODULE 100V 120A 2TOWER
    8 835Кешбэк 1 325 баллов
    MBR30035CTDIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
    11 227Кешбэк 1 684 балла
    MBR30020CTDIODE MODULE 20V 150A 2TOWER
    12 128Кешбэк 1 819 баллов
    MBR30020CTRDIODE MODULE 20V 150A 2TOWER
    12 128Кешбэк 1 819 баллов
    MBR30030CTDIODE MODULE 30V 150A 2TOWER
    12 128Кешбэк 1 819 баллов
    MBR30030CTRDIODE MODULE 30V 150A 2TOWER
    12 128Кешбэк 1 819 баллов
    MBRT40080RDIODE MODULE 80V 200A 3TOWER
    13 080Кешбэк 1 962 балла
    MBRT30040DIODE MODULE 40V 150A 3TOWER
    11 227Кешбэк 1 684 балла
    MBR40045CTDIODE MODULE 45V 200A 2TOWER
    14 847Кешбэк 2 227 баллов
    MBR40045CTRDIODE MODULE 45V 200A 2TOWER
    14 847Кешбэк 2 227 баллов
    MBR40060CTDIODE MODULE 60V 200A 2TOWER
    14 847Кешбэк 2 227 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП