Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
VS-2EFH02HM3/I

VS-2EFH02HM3/I

VS-2EFH02HM3/I
;
VS-2EFH02HM3/I

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена VS-2EFH02HM3/I при покупке от 1 шт 44.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-2EFH02HM3/I с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VS-2EFH02HM3/I

VS-2EFH02HM3/I Vishay Semiconductors DIODE GEN PURP 200V 2A DO219AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (UDRM): 200В
    • Номинальный ток (ID): 2А
    • Форм-фактор: DO219AB
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение сопротивления
    • Высокая плотность мощности
    • Прочная конструкция корпуса
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких токах
    • Меньше подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Контроль тока в цепях
    • Разделение сигналов и тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы и преобразователи
    • Системы питания
    • Мощные источники питания
    • Устройства с высоким потреблением энергии
Выбрано: Показать

Характеристики VS-2EFH02HM3/I

Техническая документация

VS-2EFH02HM3/I.pdf
pdf. 0 kb
  • 19101 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    44.5 ₽
  • 100
    29 ₽
  • 1000
    26 ₽
  • 10000
    22 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена VS-2EFH02HM3/I при покупке от 1 шт 44.50 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-2EFH02HM3/I с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VS-2EFH02HM3/I

VS-2EFH02HM3/I Vishay Semiconductors DIODE GEN PURP 200V 2A DO219AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (UDRM): 200В
    • Номинальный ток (ID): 2А
    • Форм-фактор: DO219AB
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение сопротивления
    • Высокая плотность мощности
    • Прочная конструкция корпуса
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких токах
    • Меньше подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Контроль тока в цепях
    • Разделение сигналов и тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы и преобразователи
    • Системы питания
    • Мощные источники питания
    • Устройства с высоким потреблением энергии
Выбрано: Показать

Характеристики VS-2EFH02HM3/I

Техническая документация

VS-2EFH02HM3/I.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории