Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
VS-30ETU12THN3
  • В избранное
  • В сравнение
VS-30ETU12THN3

VS-30ETU12THN3

VS-30ETU12THN3
;
VS-30ETU12THN3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    VS-30ETU12THN3
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 30A TO220ACВсе характеристики

Минимальная цена VS-30ETU12THN3 при покупке от 1 шт 606.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-30ETU12THN3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VS-30ETU12THN3

VS-30ETU12THN3 Vishay Semiconductors DIODE GEN PURP 30A TO220AC

  • Основные параметры:
    • Размеры корпуса: TO-220AC
    • Максимальный ток прямого тока (ID): 30 А
    • Номинальное напряжение (VRRM): 1200 В
    • Коэффициент восстановления: низкий
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Низкий коэффициент восстановления
    • Стабильная работа при высоких температурах
  • Минусы:
    • Требует правильной теплоотводной системы
    • Цена может быть выше, чем у более простых диодов
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного напряжения в электрических цепях
    • Распределение нагрузки в параллельных цепях
    • Преобразование тока в электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электрооборудование бытовой техники
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики VS-30ETU12THN3

  • Package
    Tube
  • Тип диода
    Standard
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    30A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    2.68 V @ 30 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    220 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    145 µA @ 1200 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220AC
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    30ETU12

Техническая документация

 VS-30ETU12THN3.pdf
pdf. 0 kb
  • 369 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    606 ₽
  • 10
    393 ₽
  • 100
    289 ₽
  • 500
    250 ₽
  • 1000
    209 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    VS-30ETU12THN3
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 30A TO220ACВсе характеристики

Минимальная цена VS-30ETU12THN3 при покупке от 1 шт 606.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-30ETU12THN3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VS-30ETU12THN3

VS-30ETU12THN3 Vishay Semiconductors DIODE GEN PURP 30A TO220AC

  • Основные параметры:
    • Размеры корпуса: TO-220AC
    • Максимальный ток прямого тока (ID): 30 А
    • Номинальное напряжение (VRRM): 1200 В
    • Коэффициент восстановления: низкий
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Низкий коэффициент восстановления
    • Стабильная работа при высоких температурах
  • Минусы:
    • Требует правильной теплоотводной системы
    • Цена может быть выше, чем у более простых диодов
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного напряжения в электрических цепях
    • Распределение нагрузки в параллельных цепях
    • Преобразование тока в электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электрооборудование бытовой техники
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики VS-30ETU12THN3

  • Package
    Tube
  • Тип диода
    Standard
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    30A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    2.68 V @ 30 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    220 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    145 µA @ 1200 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220AC
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    30ETU12

Техническая документация

 VS-30ETU12THN3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    VSS8D3M10-M3/I3A, 100V, SLIMSMAW TRENCH SKY
    106Кешбэк 15 баллов
    VSS8D3M6HM3/H3A, 60V, SLIMSMAW TRENCH SKY REC
    106Кешбэк 15 баллов
    V8PM10-M3/HDIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
    109Кешбэк 16 баллов
    VSS8D5M6HM3/I5A, 60V, SLIMSMAW TRENCH SKY REC
    109Кешбэк 16 баллов
    VS-8ETL06-M3DIODE FRED 600V 8A TO220AC
    109Кешбэк 16 баллов
    VSS8D5M10HM3/H5A, 100V, SLIMSMAW TRENCH SKY
    111Кешбэк 16 баллов
    VSS8D3M12HM3/I3A, 120V, SLIMSMAW TRENCH SKY
    115Кешбэк 17 баллов
    VS-3EYH02HM3/IFRED PT RECTIFIER SLIMSMAW
    115Кешбэк 17 баллов
    VSS8D3M6HM3/I3A, 60V, SLIMSMAW TRENCH SKY REC
    115Кешбэк 17 баллов
    VS-6EVH06-M3/IDIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK
    117Кешбэк 17 баллов
    VS-3EYH01HM3/IFRED PT RECTIFIER SLIMSMAW
    120Кешбэк 18 баллов
    V8PM6-M3/HDIODE SCHOTTKY 8A 60V SMPC
    124Кешбэк 18 баллов
    VSS8D5M12HM3/I5A, 120V, SLIMSMAW TRENCH SKY
    133Кешбэк 19 баллов
    V8P15-M3/HDIODE SCHOTTKY 150V 8A TO277A
    133Кешбэк 19 баллов
    V8PM45HM3/HDIODE SCHOTTKY 8A 45V SMPC
    135Кешбэк 20 баллов
    V8PM15-M3/HDIODE SCHOTTKY 8A 150V SMPC
    137Кешбэк 20 баллов
    SSB44HM3_A/I4A 40V SM SCHOTTKY RECT SMB
    137Кешбэк 20 баллов
    V8PM10HM3/HDIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
    137Кешбэк 20 баллов
    SSB44HM3_A/H4A 40V SM SCHOTTKY RECT SMB
    137Кешбэк 20 баллов
    V10PM45HM3/HDIODE SCHOTTKY TMBS 10A 45V SMPC
    137Кешбэк 20 баллов
    GP10-4003-E3/54DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
    139Кешбэк 20 баллов
    V10PM45-M3/HDIODE SCHOTTKY TMBS 10A 45V SMPC
    143Кешбэк 21 балл
    V8P8HM3_A/HDIODE SCHOTTKY 80V 8A TO277A
    154Кешбэк 23 балла
    V8P6HM3_A/HDIODE SCHOTTKY 60V 8A TO277A
    154Кешбэк 23 балла
    V8P15HM3/HDIODE SCHOTTKY 150V 8A TO277A
    156Кешбэк 23 балла
    S8CM-M3/IДиод: DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB
    161Кешбэк 24 балла
    SE100PWJHM3/IDIODE GEN PURP 600V 10A SLIMDPAK
    161Кешбэк 24 балла
    SS34HE3_B/HДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB
    172Кешбэк 25 баллов
    SS34HE3_B/IДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB
    172Кешбэк 25 баллов
    VS-15EVU06-M3/IDIODE GEN PURPOSE 600V SLIMDPAK
    174Кешбэк 26 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП