Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
VS-8ETU04HN3
  • В избранное
  • В сравнение
VS-8ETU04HN3

VS-8ETU04HN3

VS-8ETU04HN3
;
VS-8ETU04HN3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    VS-8ETU04HN3
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 400V 8A TO220ACВсе характеристики

Минимальная цена VS-8ETU04HN3 при покупке от 1 шт 309.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-8ETU04HN3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VS-8ETU04HN3

VS-8ETU04HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 400В
    • Номинальный ток: 8А
    • Форма корпуса: TO220AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактность благодаря использованию корпуса TO220AC
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими диодами
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от обратного напряжения
    • Регулировка напряжения в цепях
    • Переключение тока в различных приложениях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электроприборы
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики VS-8ETU04HN3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    400 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    8A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.3 V @ 8 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    43 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 400 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220AC
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    8ETU04

Техническая документация

 VS-8ETU04HN3.pdf
pdf. 0 kb
  • 471 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    309 ₽
  • 10
    206 ₽
  • 100
    162 ₽
  • 1000
    115 ₽
  • 5000
    99 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    VS-8ETU04HN3
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 400V 8A TO220ACВсе характеристики

Минимальная цена VS-8ETU04HN3 при покупке от 1 шт 309.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-8ETU04HN3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VS-8ETU04HN3

VS-8ETU04HN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 400В
    • Номинальный ток: 8А
    • Форма корпуса: TO220AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
    • Компактность благодаря использованию корпуса TO220AC
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими диодами
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от обратного напряжения
    • Регулировка напряжения в цепях
    • Переключение тока в различных приложениях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электроприборы
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики VS-8ETU04HN3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    400 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    8A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.3 V @ 8 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    43 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 400 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220AC
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    8ETU04

Техническая документация

 VS-8ETU04HN3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RS1D-13-FDIODE GEN PURP 200V 1A SMA
    25.7Кешбэк 3 балла
    SBR3A40SAF-13Диод: DIODE SBR 40V 3A SMAFLAT
    75Кешбэк 11 баллов
    1N4001-TДиод: DIODE GEN PURP 50V 1A DO-41
    74Кешбэк 11 баллов
    RS1B-13-FДиод: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
    29.4Кешбэк 4 балла
    DLLFSD01T-7DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD523
    18.4Кешбэк 2 балла
    1N4448WSF-7Диод: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323F
    18.4Кешбэк 2 балла
    US2JDF-13DIODE ULTRA FAST 600V 2A DFLAT
    77Кешбэк 11 баллов
    1N4936-TДиод: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41
    18.4Кешбэк 2 балла
    RS1A-13-FДиод: DIODE GEN PURP 50V 1A SMA
    50Кешбэк 7 баллов
    SDM2U30CSP-7Диод: DIODE SCHTKY 30V 2A X3-WLB1608-2
    64Кешбэк 9 баллов
    PDS5100H-13Диод: DIODE SCHOTTKY 100V 5A POWERDI5
    158Кешбэк 23 балла
    SDM2U40CSP-7BДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 2A X3-WLB1608
    79Кешбэк 11 баллов
    RS1DB-13-FДиод: DIODE GEN PURP 200V 1A SMB
    57Кешбэк 8 баллов
    DLLFSD01LP3-7Диод: DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN
    25.7Кешбэк 3 балла
    BAT54W-7-FДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323
    18.4Кешбэк 2 балла
    S2B-13-FDIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB
    33Кешбэк 4 балла
    MURS320-13-FDIODE GEN PURP 200V 3A SMC
    79Кешбэк 11 баллов
    DFLS1100Q-7Диод: DIODE SCHOTTKY 100V POWERDI123
    77Кешбэк 11 баллов
    BAS16HLP-7Диод: DIODE GEN PURP 100V 215MA 2DFN
    37Кешбэк 5 баллов
    SDM05U40CSP-7Диод: DIODE SCHTKY 40V 500MA X3WLB1006
    25.7Кешбэк 3 балла
    PDS560-13Диод: DIODE SCHOTTKY 60V 5A POWERDI5
    217Кешбэк 32 балла
    DFLS2100Q-7Диод: DIODE SCHOTTKY 100V POWERDI123
    140Кешбэк 21 балл
    ZHCS1000TAДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOT23-3
    94Кешбэк 14 баллов
    DFLS2100-7Диод: DIODE SCHOTTKY 100V POWERDI123
    96Кешбэк 14 баллов
    B320B-13-FДиод: DIODE SCHOTTKY 20V 3A SMB
    72Кешбэк 10 баллов
    S2GA-13-FDIODE GEN PURP 400V 1.5A SMA
    55Кешбэк 8 баллов
    S3M-13-FДиод: DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC
    85Кешбэк 12 баллов
    BAT46W-7-FДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 150MA SOD123
    29Кешбэк 4 балла
    SBR3U40P1Q-7Диод: DIODE SBR 40V 3A POWERDI123
    63Кешбэк 9 баллов
    SDM10U45LP-7Диод: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA 2DFN
    77Кешбэк 11 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - Специального назначения
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - JFET
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Тиристоры - TRIACs
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП