Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
VS-8EWH02FN-M3
  • В избранное
  • В сравнение
VS-8EWH02FN-M3

VS-8EWH02FN-M3

VS-8EWH02FN-M3
;
VS-8EWH02FN-M3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    VS-8EWH02FN-M3
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 200V 8A TO252Все характеристики

Минимальная цена VS-8EWH02FN-M3 при покупке от 1 шт 206.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-8EWH02FN-M3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VS-8EWH02FN-M3

VS-8EWH02FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • Тип: Диод общего назначения
  • Номинальное напряжение: 200В
  • Максимальный ток: 8А
  • Контактная схема: TO252

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Высокая теплопроводность корпуса
  • Устойчивость к перенапряжению
  • Простота монтажа и применения

Минусы:

  • Высокие значения тока могут привести к перегреву
  • Не подходит для высокочастотных приложений

Общее назначение:

  • Защита от обратного напряжения в электрических цепях
  • Регулировка напряжения
  • Передача сигналов между различными цепями

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильной электронике
  • Системах управления двигателей
  • Электронных приборах
  • Измерительной технике
  • Питательных блоках питания
Выбрано: Показать

Характеристики VS-8EWH02FN-M3

  • Package
    Tube
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    8A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    970 mV @ 8 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    24 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 200 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    TO-252, (D-Pak)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    8EWH02

Техническая документация

 VS-8EWH02FN-M3.pdf
pdf. 0 kb
  • 225 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    206 ₽
  • 75
    99 ₽
  • 525
    79 ₽
  • 2025
    69 ₽
  • 10050
    58 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    VS-8EWH02FN-M3
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 200V 8A TO252Все характеристики

Минимальная цена VS-8EWH02FN-M3 при покупке от 1 шт 206.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-8EWH02FN-M3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VS-8EWH02FN-M3

VS-8EWH02FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • Тип: Диод общего назначения
  • Номинальное напряжение: 200В
  • Максимальный ток: 8А
  • Контактная схема: TO252

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Высокая теплопроводность корпуса
  • Устойчивость к перенапряжению
  • Простота монтажа и применения

Минусы:

  • Высокие значения тока могут привести к перегреву
  • Не подходит для высокочастотных приложений

Общее назначение:

  • Защита от обратного напряжения в электрических цепях
  • Регулировка напряжения
  • Передача сигналов между различными цепями

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильной электронике
  • Системах управления двигателей
  • Электронных приборах
  • Измерительной технике
  • Питательных блоках питания
Выбрано: Показать

Характеристики VS-8EWH02FN-M3

  • Package
    Tube
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    8A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    970 mV @ 8 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    24 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 200 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Исполнение корпуса
    TO-252, (D-Pak)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    8EWH02

Техническая документация

 VS-8EWH02FN-M3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    1SR156-400TE25DIODE GEN PURP 400V 1A PMDS
    85Кешбэк 12 баллов
    FR3J-TPDIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
    141Кешбэк 21 балл
    SD101CW-7-FДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 15MA SOD123
    88Кешбэк 13 баллов
    APT30D40BGДиод: DIODE GEN PURP 400V 30A TO247
    547Кешбэк 82 балла
    SE15PG-M3/84ADIODE GEN PURP 400V 1.5A DO220AA
    94Кешбэк 14 баллов
    1N3882DIODE GEN PURP 300V 6A DO4
    1 321Кешбэк 198 баллов
    JANTX1N5553DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL
    1 336Кешбэк 200 баллов
    122NQ030R-1DIODE SCHOTTKY 30V 120A PRM1-1
    6 340Кешбэк 951 балл
    BYW29-150-E3/45Диод: DIODE GEN PURP 150V 8A TO220AC
    232Кешбэк 34 балла
    S2AДиод: HOLE PLUG SHT METAL 2" BLACK
    1 717Кешбэк 257 баллов
    S85YRDIODE GEN PURP REV 1.6KV 85A DO5
    2 857Кешбэк 428 баллов
    APT60DQ60BGДиод: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247
    328Кешбэк 49 баллов
    VS-30APF10-M3DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247
    1 080Кешбэк 162 балла
    1N3070RECTIFIER DIODE
    1 213Кешбэк 181 балл
    SB3H100-E3/73DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO201AD
    135Кешбэк 20 баллов
    VS-70HFR10Диод: DIODE GEN PURP 100V 70A DO203AB
    1 662Кешбэк 249 баллов
    RB451FT106DIODE SCHOTTKY 40V 100MA UMD3
    31Кешбэк 4 балла
    MBRD340DIODE SCHOTTKY 40V 3A DPAK
    102Кешбэк 15 баллов
    PMEG3010CEJ,115Диод: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323F
    65Кешбэк 9 баллов
    VS-1N1183AДиод: DIODE GEN PURP 50V 40A DO203AB
    1 797Кешбэк 269 баллов
    SD103AW-HE3-08DIODE SCHOTTKY 350MA 40V SOD123
    70Кешбэк 10 баллов
    VS-85HF60Диод: DIODE GEN PURP 600V 85A DO203AB
    2 314Кешбэк 347 баллов
    1N6098DIODE SCHOTTKY 40V 50A DO5
    4 474Кешбэк 671 балл
    VS-1N1190ADIODE GEN PURP 600V 40A DO203AB
    2 197Кешбэк 329 баллов
    STTH506DTIDIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC
    163Кешбэк 24 балла
    PMEG2015EA,115Диод: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A SOD323
    89Кешбэк 13 баллов
    JANTXV1N6642USDIODE GEN PURP 100V 300MA D5B
    1 662Кешбэк 249 баллов
    PD3S230H-7Диод: DIODE SCHOTTKY 30V 2A POWERDI323
    75Кешбэк 11 баллов
    MBRD360RLGDIODE SCHOTTKY 60V 3A DPAK
    127Кешбэк 19 баллов
    IDW40E65D2FKSA1Диод: DIODE GEN PURP 650V 80A TO247-3
    514Кешбэк 77 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Принадлежности
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR
    Триодные тиристоры - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП