Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - массивы
VS-C5TH3012-M3
  • В избранное
  • В сравнение
VS-C5TH3012-M3

VS-C5TH3012-M3

VS-C5TH3012-M3
;
VS-C5TH3012-M3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    VS-C5TH3012-M3
  • Описание:
    30A, 1200V, "H" SERIES FRED PT IВсе характеристики

Минимальная цена VS-C5TH3012-M3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-C5TH3012-M3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VS-C5TH3012-M3

VS-C5TH3012-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30A, 1200V, "H" SERIES FRED PT I

  • Основные параметры:
    • Рейтингный ток: 30 А
    • Рейтингное напряжение: 1200 В
    • Тип: FRED PT (Fast Recovery Diode)
    • Серия: H
  • Плюсы:
    • Быстрое восстановление при отрицательных напорах
    • Высокая эффективность в различных приложениях
    • Малый размер и легкость монтажа
    • Надежность и стабильность характеристик
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными диодами
    • Уязвимость к повреждениям при неудачном монтаже или неправильной эксплуатации
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Применяются в источниках питания, преобразователях энергии, схемах защиты
    • Подходят для применения в высоковольтных системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Преобразователи энергии
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства с высокими требованиями к надежности
Выбрано: Показать

Характеристики VS-C5TH3012-M3

  • Package
    Tube
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1200 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    2.5 V @ 15 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    95 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 µA @ 1200 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Base Product Number
    C5TH3012

Техническая документация

 VS-C5TH3012-M3.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    VS-C5TH3012-M3
  • Описание:
    30A, 1200V, "H" SERIES FRED PT IВсе характеристики

Минимальная цена VS-C5TH3012-M3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-C5TH3012-M3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание VS-C5TH3012-M3

VS-C5TH3012-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30A, 1200V, "H" SERIES FRED PT I

  • Основные параметры:
    • Рейтингный ток: 30 А
    • Рейтингное напряжение: 1200 В
    • Тип: FRED PT (Fast Recovery Diode)
    • Серия: H
  • Плюсы:
    • Быстрое восстановление при отрицательных напорах
    • Высокая эффективность в различных приложениях
    • Малый размер и легкость монтажа
    • Надежность и стабильность характеристик
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными диодами
    • Уязвимость к повреждениям при неудачном монтаже или неправильной эксплуатации
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Применяются в источниках питания, преобразователях энергии, схемах защиты
    • Подходят для применения в высоковольтных системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Преобразователи энергии
    • Автомобильные системы
    • Электронные устройства с высокими требованиями к надежности
Выбрано: Показать

Характеристики VS-C5TH3012-M3

  • Package
    Tube
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1200 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    2.5 V @ 15 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    95 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 µA @ 1200 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Base Product Number
    C5TH3012

Техническая документация

 VS-C5TH3012-M3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMBD3004CA RFGDIODE ARRAY GP 350V 225MA SOT23
    61Кешбэк 9 баллов
    BAS40-06 RFGDIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23
    46Кешбэк 6 баллов
    BAS21C RFGDIODE ARRAY GP 250V 200MA SOT23
    43Кешбэк 6 баллов
    BAS21S RFGDIODE ARRAY GP 250V 200MA SOT23
    28Кешбэк 4 балла
    BAS70-06 RFGDIODE ARRAY GP 70V 70MA SOT23
    41Кешбэк 6 баллов
    BAS40-05 RFGDIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23
    31.5Кешбэк 4 балла
    MBR20L100CTDIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB
    315Кешбэк 47 баллов
    BAS40-04 RFGDIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23
    31.5Кешбэк 4 балла
    MMBD3004SE RFGDIODE ARRAY GP 350V 225MA SOT23
    37Кешбэк 5 баллов
    MMBD3004CC RFGDIODE ARRAY GP 350V 225MA SOT23
    54Кешбэк 8 баллов
    BAW56 RFGDIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23
    35Кешбэк 5 баллов
    BAS21A RFGDIODE ARRAY GP 250V 200MA SOT23
    43Кешбэк 6 баллов
    HER1604GDIODE ARRAY GP 300V 16A TO220AB
    285Кешбэк 42 балла
    TSF40H200CDIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
    471Кешбэк 70 баллов
    HER1608GDIODE ARRAY GP 16A TO220AB
    304Кешбэк 45 баллов
    MBR20L120CTDIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO220
    495Кешбэк 74 балла
    TSF20L150CDIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
    300Кешбэк 45 баллов
    UG1006GHDIODE ARRAY GP 400V 10A TO220AB
    263Кешбэк 39 баллов
    UGF2004GDIODE ARRAY GP 200V ITO-220AB
    313Кешбэк 46 баллов
    MUR1640CTHDIODE ARRAY GP 400V 16A TO220AB
    337Кешбэк 50 баллов
    TSF10H200CDIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
    300Кешбэк 45 баллов
    TSF15L60CWDIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
    335Кешбэк 50 баллов
    TST30L45CDIODE SCHOTTKY 45V 15A TO220AB
    322Кешбэк 48 баллов
    GP1004DIODE ARRAY GP 400V 10A TO220AB
    246Кешбэк 36 баллов
    UG1008GDIODE ARRAY GP 600V 10A TO220AB
    276Кешбэк 41 балл
    UGF1004GDIODE ARRAY GP 200V ITO-220AB
    252Кешбэк 37 баллов
    UGF2006GDIODE ARRAY GP 400V ITO-220AB
    313Кешбэк 46 баллов
    UG1006GDIODE ARRAY GP 400V 10A TO220AB
    263Кешбэк 39 баллов
    UGF1006GDIODE ARRAY GP 400V ITO-220AB
    252Кешбэк 37 баллов
    UGF1005GDIODE ARRAY GP 300V ITO-220AB
    252Кешбэк 37 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные диоды
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Принадлежности
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП