VSS8D5M10HM3/H

VSS8D5M10HM3/H — это полупроводниковый элемент, выпущенный Vishay General Semiconductor - Diodes Division. Это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с высоким током прямого тока и низким напряжением срабатывания.

• Основные параметры:
• Рейтингный ток прямого тока (ID): 5 А
• Рейтингное напряжение (VDS): 100 В
• Тип: TRENCH SKY
• Форм-фактор: SLIMSMAW

• Плюсы:
• Высокий коэффициент передачи (low on-resistance)
• Низкий ток утечки
• Высокая скорость перехода
• Компактный размер

• Минусы:
• Высокие требования к системе охлаждения при высоких токах
• Могут быть чувствительны к шумам и помехам

Общее назначение: VSS8D5M10HM3/H используется для управления токами в различных электронных устройствах, где требуется высокая эффективность и надежность. Он подходит для применения в:

• Автомобильной электронике
• Системах управления электропитанием
• Инверторах и преобразователях
• Промышленном оборудовании