Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
WNSC021200Q
  • В избранное
  • В сравнение
WNSC021200Q

WNSC021200Q

WNSC021200Q
;
WNSC021200Q

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    WEEN SEMICONDUCTORS
  • Артикул:
    WNSC021200Q
  • Описание:
    Диод: SILICON CARBIDE POWER DIODEВсе характеристики

Минимальная цена WNSC021200Q при покупке от 1 шт 534.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить WNSC021200Q с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики WNSC021200Q

  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    2A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.6 V @ 2 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    20 µA @ 1200 V
  • Емкость @ Vr, F
    109pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220AC
  • Рабочая температура pn-прехода
    175°C (Max)
  • Base Product Number
    WNSC0

Техническая документация

 WNSC021200Q.pdf
pdf. 0 kb
  • 135 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    534 ₽
  • 10
    344 ₽
  • 100
    245 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    WEEN SEMICONDUCTORS
  • Артикул:
    WNSC021200Q
  • Описание:
    Диод: SILICON CARBIDE POWER DIODEВсе характеристики

Минимальная цена WNSC021200Q при покупке от 1 шт 534.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить WNSC021200Q с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики WNSC021200Q

  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    2A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.6 V @ 2 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    20 µA @ 1200 V
  • Емкость @ Vr, F
    109pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2
  • Исполнение корпуса
    TO-220AC
  • Рабочая температура pn-прехода
    175°C (Max)
  • Base Product Number
    WNSC0

Техническая документация

 WNSC021200Q.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    1N5399GHДиод: DIODE GEN PURP 1.5A DO204AC
    61Кешбэк 9 баллов
    HS2DFS50NS, 2A, 200V, HIGH EFFICIENT R
    96Кешбэк 14 баллов
    1N4148-T50RDIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
    7.4Кешбэк 1 балл
    SS36HE3_B/IДиод: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AB
    133Кешбэк 19 баллов
    RB168VAM150TRДиод: SCHOTTKY BARRIER DIODE
    82Кешбэк 12 баллов
    FR156GДиод: DIODE GPP 800V 1.5A DO15
    65Кешбэк 9 баллов
    RS2DFS150NS, 2A, 200V, FAST RECOVERY R
    70Кешбэк 10 баллов
    S2DFS M3G2A, 200V, STANDARD RECOVERY RECT
    69Кешбэк 10 баллов
    UF600GДиод: DIODE UFR D8X7.5 400V 6A
    129Кешбэк 19 баллов
    HS1DALДиод: 50NS, 1A, 200V, HIGH EFFICIENT R
    83Кешбэк 12 баллов
    RS1DFSHMWGDIODE
    57Кешбэк 8 баллов
    NRVUA220VT3GDIODE GEN PURP 200V 2A SMA
    80Кешбэк 12 баллов
    SBR3U60P1Q-13Диод: DIODE SBR 60V 3A POWERDI123
    72Кешбэк 10 баллов
    BAT54W_R1_00001SOT-323, SKY
    37Кешбэк 5 баллов
    1N5398GHDIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC
    61Кешбэк 9 баллов
    FR2TSMAДиод: DIODE FR SMA 1300V 2A
    49Кешбэк 7 баллов
    RS2KFS500NS, 2A, 800V, FAST RECOVERY R
    61Кешбэк 9 баллов
    3A60DIODE GEN PURP 600V 3A DO204AC
    80Кешбэк 12 баллов
    3A60HDIODE GEN PURP 600V 3A DO204AC
    80Кешбэк 12 баллов
    RBS1MM40ATRДиод: RBS1MM40A IS SUPER LOW VF
    83Кешбэк 12 баллов
    BAV100Диод: DIODE SFR DO-213AA 60V 0.2A
    50Кешбэк 7 баллов
    TSS40U RGGДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA 0603
    76Кешбэк 11 баллов
    1N5395GDIODE GEN PURP 400V 1.5A DO204AC
    57Кешбэк 8 баллов
    ER1AДиод: DIODE SFR SMA 50V 1A
    14.5Кешбэк 2 балла
    HS2JFS75NS, 2A, 600V, HIGH EFFICIENT R
    96Кешбэк 14 баллов
    MBRB1545DIODE SCHOTTKY 45V 15A D2PAK
    252Кешбэк 37 баллов
    FR154GHDIODE GEN PURP 400V 1.5A DO204AC
    65Кешбэк 9 баллов
    1N5395GHDIODE GEN PURP 400V 1.5A DO204AC
    57Кешбэк 8 баллов
    2A06GDIODE GEN PURP 800V 2A DO204AC
    63Кешбэк 9 баллов
    MURS3G-TPDIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
    135Кешбэк 20 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды силовые
    Диодные мосты
    Варикапы и Варакторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Принадлежности
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Драйверы питания - Модули
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП