Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
ZMY5V6-GS18
  • В избранное
  • В сравнение
ZMY5V6-GS18

ZMY5V6-GS18

ZMY5V6-GS18
;
ZMY5V6-GS18

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    ZMY5V6-GS18
  • Описание:
    DIODE ZENER 5.6V 1W DO213ABВсе характеристики

Минимальная цена ZMY5V6-GS18 при покупке от 1 шт 76.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ZMY5V6-GS18 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ZMY5V6-GS18

ZMY5V6-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE ZENER 5.6V 1W DO213AB

  • Основные параметры:
    • Напряжение зенера: 5.6 В
    • Мощность: 1 Вт
    • Форм-фактор: DO213AB
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения
    • Высокая мощность
    • Стабилизация напряжения в широком диапазоне входного напряжения
    • Надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокое сопротивление при прямом напряжении
    • Не подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения в электронных устройствах
    • Защита от перегрузок и скачков напряжения
    • Компенсация температурных изменений напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Телевизоры и мониторы
    • Автомобильные системы
    • Системы питания
    • Мобильные устройства
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики ZMY5V6-GS18

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    5.6 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    1 W
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    2 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    500 nA @ 1.5 V
  • Рабочая температура
    175°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Исполнение корпуса
    DO-213AB
  • Base Product Number
    ZMY5V6

Техническая документация

 ZMY5V6-GS18.pdf
pdf. 0 kb
  • 12095 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    76 ₽
  • 100
    22.4 ₽
  • 2500
    21.5 ₽
  • 10000
    16.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    ZMY5V6-GS18
  • Описание:
    DIODE ZENER 5.6V 1W DO213ABВсе характеристики

Минимальная цена ZMY5V6-GS18 при покупке от 1 шт 76.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ZMY5V6-GS18 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ZMY5V6-GS18

ZMY5V6-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE ZENER 5.6V 1W DO213AB

  • Основные параметры:
    • Напряжение зенера: 5.6 В
    • Мощность: 1 Вт
    • Форм-фактор: DO213AB
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения
    • Высокая мощность
    • Стабилизация напряжения в широком диапазоне входного напряжения
    • Надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокое сопротивление при прямом напряжении
    • Не подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения в электронных устройствах
    • Защита от перегрузок и скачков напряжения
    • Компенсация температурных изменений напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Телевизоры и мониторы
    • Автомобильные системы
    • Системы питания
    • Мобильные устройства
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики ZMY5V6-GS18

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    5.6 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    1 W
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    2 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    500 nA @ 1.5 V
  • Рабочая температура
    175°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Исполнение корпуса
    DO-213AB
  • Base Product Number
    ZMY5V6

Техническая документация

 ZMY5V6-GS18.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RD33ES-T4DIODE ZENER
    13Кешбэк 1 балл
    RD43E(N)-T4DIODE ZENER
    13Кешбэк 1 балл
    RD6.2E(N)-T2DIODE ZENER
    14.8Кешбэк 2 балла
    RD8.2F(10)-T6-AZDIODE ZENER
    61Кешбэк 9 баллов
    RD30F(10)-T6-AZDIODE ZENER
    61Кешбэк 9 баллов
    RD30F-T8-AZDIODE ZENER
    61Кешбэк 9 баллов
    HZ3C3TA-EDIODE ZENER 0.5W
    29.6Кешбэк 4 балла
    HZS24NB2TD-EDIODE ZENER 0.4W
    35Кешбэк 5 баллов
    HZ5CLLTD-EDIODE ZENER 0.25W
    29.6Кешбэк 4 балла
    HZS5A1TA-EDIODE ZENER 0.4W
    29.6Кешбэк 4 балла
    RD2.4ES-AZDIODE ZENER
    14.8Кешбэк 2 балла
    RD8.2JS-AZDIODE ZENER
    14.8Кешбэк 2 балла
    HZ3C1J-EDIODE ZENER
    29.6Кешбэк 4 балла
    HZM2.0NB-JTL-EDIODE ZENER
    41Кешбэк 6 баллов
    HZM16NB1TL-EDIODE ZENER
    41Кешбэк 6 баллов
    HZM16NB3TR-EDIODE ZENER
    41Кешбэк 6 баллов
    HZM27NBTLDIODE ZENER
    80Кешбэк 12 баллов
    HZM3.3NB1TR-EDIODE ZENER
    50Кешбэк 7 баллов
    HZM27NBTL-EDIODE ZENER
    80Кешбэк 12 баллов
    HZM3.3NB2TR-EDIODE ZENER
    50Кешбэк 7 баллов
    HZM5.1NB1TR-EDIODE ZENER
    29.6Кешбэк 4 балла
    HZM5.6NB1JTL-EDIODE ZENER
    29.6Кешбэк 4 балла
    HZM5.1NB3JTL-EDIODE ZENER
    29.6Кешбэк 4 балла
    HZM8.2NB3JTL-EDIODE ZENER
    44.5Кешбэк 6 баллов
    RKZ10B2KG#P1DIODE ZENER 10V
    26Кешбэк 3 балла
    RKZ12B2KG#P1DIODE ZENER
    29.6Кешбэк 4 балла
    RKZ18B2KG#P1DIODE ZENER
    26Кешбэк 3 балла
    HZ9C3TA-EDIODE ZENER 0.5W
    29.6Кешбэк 4 балла
    RD13ES-AZDIODE ZENER
    13Кешбэк 1 балл
    RD9.1JS-AZDIODE ZENER
    14.8Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды силовые
    Принадлежности
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    IGBT транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП