Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
ZVN4206ASTZ
  • В избранное
  • В сравнение
ZVN4206ASTZ

ZVN4206ASTZ

ZVN4206ASTZ
;
ZVN4206ASTZ

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIODES INC.
  • Артикул:
    ZVN4206ASTZ
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINEВсе характеристики

Минимальная цена ZVN4206ASTZ при покупке от 1 шт 257.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ZVN4206ASTZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ZVN4206ASTZ

ZVN4206ASTZ DIODES INC. MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE — это полупроводниковый транзистор с ненаправленным каналом (N-CH), входящий в серию E-Line от компании Diodes Inc.

  • Основные параметры:
    • Напряжение РБУ (VDS(ON)) - 60В
    • Разрядный ток (ID) - 600мА
    • Тип канала - N-CH
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкий коэффициент транс conductance (RDS(on))
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкость в установке
  • Минусы:
    • Средний ток может быть ограничен
    • Необходимо дополнительное охлаждение при высоких нагрузках

Общее назначение: Используется для управления током в электронных устройствах, таких как питания, преобразователи напряжения, регуляторы напряжения и др.

  • В каких устройствах применяется:
    • Питание портовых устройств и ноутбуков
    • Преобразователи напряжения
    • Регуляторы напряжения
    • Автомобильные системы
    • Инверторы и преобразователи энергии
Выбрано: Показать

Характеристики ZVN4206ASTZ

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    600mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1Ohm @ 1.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    100 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    700mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    E-Line (TO-92 compatible)
  • Корпус
    E-Line-3
  • Base Product Number
    ZVN4206

Техническая документация

 ZVN4206ASTZ.pdf
pdf. 0 kb
  • 2005 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    257 ₽
  • 10
    159 ₽
  • 500
    145 ₽
  • 5000
    62 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIODES INC.
  • Артикул:
    ZVN4206ASTZ
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINEВсе характеристики

Минимальная цена ZVN4206ASTZ при покупке от 1 шт 257.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ZVN4206ASTZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ZVN4206ASTZ

ZVN4206ASTZ DIODES INC. MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE — это полупроводниковый транзистор с ненаправленным каналом (N-CH), входящий в серию E-Line от компании Diodes Inc.

  • Основные параметры:
    • Напряжение РБУ (VDS(ON)) - 60В
    • Разрядный ток (ID) - 600мА
    • Тип канала - N-CH
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкий коэффициент транс conductance (RDS(on))
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкость в установке
  • Минусы:
    • Средний ток может быть ограничен
    • Необходимо дополнительное охлаждение при высоких нагрузках

Общее назначение: Используется для управления током в электронных устройствах, таких как питания, преобразователи напряжения, регуляторы напряжения и др.

  • В каких устройствах применяется:
    • Питание портовых устройств и ноутбуков
    • Преобразователи напряжения
    • Регуляторы напряжения
    • Автомобильные системы
    • Инверторы и преобразователи энергии
Выбрано: Показать

Характеристики ZVN4206ASTZ

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    600mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1Ohm @ 1.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    100 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    700mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    E-Line (TO-92 compatible)
  • Корпус
    E-Line-3
  • Base Product Number
    ZVN4206

Техническая документация

 ZVN4206ASTZ.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPB180N08S402ATMA1MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
    1 204Кешбэк 180 баллов
    FQT4N25TFMOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4
    109Кешбэк 16 баллов
    SI7862ADP-T1-E3MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
    934Кешбэк 140 баллов
    PMN48XPAXMOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
    119Кешбэк 17 баллов
    NTD4858NT4GMOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
    202Кешбэк 30 баллов
    IRFS41N15DTRLPHEXFET POWER MOSFET
    545Кешбэк 81 балл
    STD3N62K3Транзистор: MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK
    110Кешбэк 16 баллов
    ZVN4106FTAMOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
    149Кешбэк 22 балла
    CSD16410Q5AMOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSON
    241Кешбэк 36 баллов
    FDD86113LZТранзистор: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
    246Кешбэк 36 баллов
    IPD082N10N3GATMA1MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
    252Кешбэк 37 баллов
    IXFH18N90PMOSFET N-CH 900V 18A TO247AD
    2 295Кешбэк 344 балла
    NP50P04SDG-E1-AYMOSFET P-CH 40V 50A TO252
    499Кешбэк 74 балла
    IRFS3107TRLPBFMOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
    899Кешбэк 134 балла
    FDB120N10MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
    528Кешбэк 79 баллов
    IRFR1N60ATRPBFMOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
    289Кешбэк 43 балла
    STD65N55F3MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
    487Кешбэк 73 балла
    STU9HN65M2MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
    267Кешбэк 40 баллов
    STD9NM60NMOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
    207Кешбэк 31 балл
    VN3205N8-GMOSFET N-CH 50V 1.5A TO243AA
    337Кешбэк 50 баллов
    IRFU420PBFMOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
    122Кешбэк 18 баллов
    DMN6040SVT-7MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
    123Кешбэк 18 баллов
    IRFI840GPBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3
    298Кешбэк 44 балла
    FQD1N80TMMOSFET N-CH 800V 1A DPAK
    241Кешбэк 36 баллов
    IRFR024MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
    172Кешбэк 25 баллов
    FDA2712MOSFET N-CH 250V 64A TO3PN
    2 175Кешбэк 326 баллов
    FDS6675BZТранзистор: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
    160Кешбэк 24 балла
    FQP17N08MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
    76Кешбэк 11 баллов
    STL24N60M2MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
    706Кешбэк 105 баллов
    AUIRLR3105MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - JFET
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП