Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
ZXMN3G32DN8TA
ZXMN3G32DN8TA

ZXMN3G32DN8TA

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    ZXMN3G32DN8TA
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOICВсе характеристики

Минимальная цена ZXMN3G32DN8TA при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ZXMN3G32DN8TA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики ZXMN3G32DN8TA

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    28mOhm @ 6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10.5nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    472pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    1.8W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Base Product Number
    ZXMN3

Техническая документация

 ZXMN3G32DN8TA.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    ZXMN3G32DN8TA
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOICВсе характеристики

Минимальная цена ZXMN3G32DN8TA при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ZXMN3G32DN8TA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики ZXMN3G32DN8TA

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.5A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    28mOhm @ 6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10.5nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    472pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    1.8W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Base Product Number
    ZXMN3

Техническая документация

 ZXMN3G32DN8TA.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMC1229UFDB-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
    138Кешбэк 20 баллов
    BUK7K8R7-40EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 30A 56LFPAK
    418Кешбэк 62 балла
    NTZD3154NT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
    67Кешбэк 10 баллов
    SI7938DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8
    325Кешбэк 48 баллов
    UM6K33NTNТранзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
    73Кешбэк 10 баллов
    FDS8958AТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
    147Кешбэк 22 балла
    DMN4031SSD-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO
    169Кешбэк 25 баллов
    IPG20N04S408ATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
    387Кешбэк 58 баллов
    FDMB3800NТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP MICROFET
    276Кешбэк 41 балл
    SQJ202EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
    364Кешбэк 54 балла
    ALD1103SBLТранзистор: MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC
    1 921Кешбэк 288 баллов
    ALD1106SBLТранзистор: MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC
    1 396Кешбэк 209 баллов
    MCH6605-TL-EТранзистор: MOSFET 2P-CH 50V 0.14A MCPH6
    38Кешбэк 5 баллов
    FDS6930AТранзистор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    140Кешбэк 21 балл
    DMC3021LK4-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L
    156Кешбэк 23 балла
    CSD83325LTТранзистор: MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
    200Кешбэк 30 баллов
    AO7800Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V SC70-6
    19Кешбэк 2 балла
    SI1965DH-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
    107Кешбэк 16 баллов
    SSM6L61NU,LFТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6
    127Кешбэк 19 баллов
    DMN2040LTS-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP
    130Кешбэк 19 баллов
    MCH6626-TL-EТранзистор: PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    25.4Кешбэк 3 балла
    FDMS8090Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 10A PWR56
    1 203Кешбэк 180 баллов
    FDMD84100Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN
    560Кешбэк 84 балла
    FDW2516NZТранзистор: N-CHANNEL POWER MOSFET
    69Кешбэк 10 баллов
    MCH6613-TL-EТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V MCPH6
    29Кешбэк 4 балла
    FDS8858CZТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 8.6/7.3A 8SOIC
    267Кешбэк 40 баллов
    FDC6301NТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 220MA SSOT6
    93Кешбэк 13 баллов
    DMC1016UPD-13Транзистор: MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8
    147Кешбэк 22 балла
    SI9933CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
    176Кешбэк 26 баллов
    CSD87355Q5DTТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON
    725Кешбэк 108 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП