Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
ZXMN6A09DN8TA
  • В избранное
  • В сравнение
ZXMN6A09DN8TA

ZXMN6A09DN8TA

ZXMN6A09DN8TA
;
ZXMN6A09DN8TA

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    ZXMN6A09DN8TA
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOICВсе характеристики

Минимальная цена ZXMN6A09DN8TA при покупке от 1 шт 498.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ZXMN6A09DN8TA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ZXMN6A09DN8TA

ZXMN6A09DN8TA Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(ON)): 60 В
    • Номинальный ток пропускания (ID): 4.3 А
    • Количество выводов: 8
    • Пакет: SOIC (8-пиновый)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении на входе (VGS(TH))
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Малый тепловыделение
    • Простота использования и монтажа
  • Минусы:
    • Могут быть чувствительны к скачкам напряжения
    • Требуют дополнительного охлаждения при высоких токах
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение нагрузки
    • Изоляция сигналов
    • Контроль потребления энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Мобильные устройства
    • Системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
    • Энергоэффективные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики ZXMN6A09DN8TA

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    40mOhm @ 8.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    24.2nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1407pF @ 40V
  • Рассеивание мощности
    1.25W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Base Product Number
    ZXMN6A09

Техническая документация

 ZXMN6A09DN8TA.pdf
pdf. 0 kb
  • 353 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    498 ₽
  • 10
    322 ₽
  • 100
    222 ₽
  • 500
    170 ₽
  • 1000
    167 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    ZXMN6A09DN8TA
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOICВсе характеристики

Минимальная цена ZXMN6A09DN8TA при покупке от 1 шт 498.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ZXMN6A09DN8TA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ZXMN6A09DN8TA

ZXMN6A09DN8TA Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(ON)): 60 В
    • Номинальный ток пропускания (ID): 4.3 А
    • Количество выводов: 8
    • Пакет: SOIC (8-пиновый)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении на входе (VGS(TH))
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Малый тепловыделение
    • Простота использования и монтажа
  • Минусы:
    • Могут быть чувствительны к скачкам напряжения
    • Требуют дополнительного охлаждения при высоких токах
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение нагрузки
    • Изоляция сигналов
    • Контроль потребления энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Мобильные устройства
    • Системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
    • Энергоэффективные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики ZXMN6A09DN8TA

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.3A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    40mOhm @ 8.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    24.2nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1407pF @ 40V
  • Рассеивание мощности
    1.25W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Base Product Number
    ZXMN6A09

Техническая документация

 ZXMN6A09DN8TA.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SSM6P15FE(TE85L,F)Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6
    33.3Кешбэк 4 балла
    SSM6L36FE,LMТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
    69Кешбэк 10 баллов
    SSM6L61NU,LFТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6
    129Кешбэк 19 баллов
    SSM6L35FE,LMТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
    63Кешбэк 9 баллов
    SSM6N7002BFE,LMТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
    48Кешбэк 7 баллов
    SSM6N43FU,LFТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A US6
    69Кешбэк 10 баллов
    SSM6N61NU,LFТранзистор
    130Кешбэк 19 баллов
    SSM6L35FU(TE85L,F)Транзистор
    83Кешбэк 12 баллов
    SSM6N36FE,LMТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
    69Кешбэк 10 баллов
    SSM6N16FUTE85LFТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
    74Кешбэк 11 баллов
    SSM6P36FE,LMТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
    69Кешбэк 10 баллов
    EMH2412-TL-HТранзистор: MOSFET 2N-CH 24V 6A EMH8
    67Кешбэк 10 баллов
    PMGD280UN,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
    82Кешбэк 12 баллов
    NX7002AKS,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A SC-88
    44.5Кешбэк 6 баллов
    PMGD290XN,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
    82Кешбэк 12 баллов
    NX3020NAKVYLТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666
    78Кешбэк 11 баллов
    BUK9M156-100EXMOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK33
    159Кешбэк 23 балла
    2N7002PV,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666
    63Кешбэк 9 баллов
    PMDT290UCE,115Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT666
    98Кешбэк 14 баллов
    BUK9M53-60EXMOSFET N-CH 60V 17A LFPAK33
    76Кешбэк 11 баллов
    BUK9K5R6-30EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 40A 56LFPAK
    435Кешбэк 65 баллов
    BUK7K12-60EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK
    428Кешбэк 64 балла
    BUK9M11-40EXMOSFET N-CH 40V 53A LFPAK33
    230Кешбэк 34 балла
    BUK7K18-40EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 24.2A LFPAK
    252Кешбэк 37 баллов
    PMDT670UPE,115Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
    91Кешбэк 13 баллов
    BUK9M17-30EXMOSFET N-CH 30V 37A LFPAK33
    200Кешбэк 30 баллов
    BUK9M24-40EXMOSFET N-CH 40V 30A LFPAK33
    110Кешбэк 16 баллов
    BUK9M28-80EXMOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33
    173Кешбэк 25 баллов
    BUK9K45-100E,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
    224Кешбэк 33 балла
    BUK7K5R6-30E,115Транзистор: TRANSISTOR >30MHZ
    435Кешбэк 65 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Принадлежности
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - JFET
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП