Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
1N4001-G
  • В избранное
  • В сравнение
1N4001-G

1N4001-G

1N4001-G
;
1N4001-G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Comchip Technology
  • Артикул:
    1N4001-G
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41Все характеристики

Минимальная цена 1N4001-G при покупке от 1 шт 19.20 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N4001-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N4001-G

1N4001-G Comchip Technology Диод:

  • DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение срабатывания (UDRM): 50В
  • Номинальная токовая характеристика (IDRM): 1А
  • Форм-фактор: DO41

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перенапряжениям
  • Малый размер и легкость монтажа

Минусы:

  • Низкая эффективность при больших токах
  • Высокие потери энергии при высоких токах

Общее назначение:

  • Защита электронных устройств от перенапряжений
  • Переключение и регулировка тока
  • Приведение напряжения к нужному уровню

В каких устройствах применяется:

  • Питание электронных приборов
  • Защита от скачков напряжения
  • Диодные мосты
  • Распределительные блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики 1N4001-G

  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    50 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 1 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 50 V
  • Емкость @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-41
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    1N4001

Техническая документация

 1N4001-G.pdf
pdf. 0 kb
  • 21966 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    19.2 ₽
  • 100
    10 ₽
  • 1000
    7.9 ₽
  • 10000
    3.85 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Comchip Technology
  • Артикул:
    1N4001-G
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41Все характеристики

Минимальная цена 1N4001-G при покупке от 1 шт 19.20 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N4001-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N4001-G

1N4001-G Comchip Technology Диод:

  • DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение срабатывания (UDRM): 50В
  • Номинальная токовая характеристика (IDRM): 1А
  • Форм-фактор: DO41

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перенапряжениям
  • Малый размер и легкость монтажа

Минусы:

  • Низкая эффективность при больших токах
  • Высокие потери энергии при высоких токах

Общее назначение:

  • Защита электронных устройств от перенапряжений
  • Переключение и регулировка тока
  • Приведение напряжения к нужному уровню

В каких устройствах применяется:

  • Питание электронных приборов
  • Защита от скачков напряжения
  • Диодные мосты
  • Распределительные блоки питания
Выбрано: Показать

Характеристики 1N4001-G

  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    50 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 1 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 50 V
  • Емкость @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-41
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    1N4001

Техническая документация

 1N4001-G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    UF5404-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
    129Кешбэк 19 баллов
    V35PWM12-M3/IDIODE SCHOTTKY 120V 35A SLIMDPAK
    130Кешбэк 19 баллов
    GI754-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 400V 6A P600
    130Кешбэк 19 баллов
    BYV98-50-TRDIODE AVALANCHE 50V 4A SOD64
    131Кешбэк 19 баллов
    P600M-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 1KV 6A P600
    131Кешбэк 19 баллов
    P600B-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 100V 6A P600
    132Кешбэк 19 баллов
    MBR10100-E3/4WТранзистор: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AC
    132Кешбэк 19 баллов
    S3GHE3_A/IДиод: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
    133Кешбэк 19 баллов
    ES3C-E3/57TДиод: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
    133Кешбэк 19 баллов
    RGP02-16E-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 1.6KV 500MA DO204
    135Кешбэк 20 баллов
    P600J-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 600V 6A P600
    135Кешбэк 20 баллов
    V15P8-M3/86AДиод: DIODE SCHOTTKY 80V 4.6A TO277A
    136Кешбэк 20 баллов
    VS-10MQ100NTRPBFДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA
    138Кешбэк 20 баллов
    EGP20D-E3/73Диод: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC
    139Кешбэк 20 баллов
    1N5822-E3/73Диод: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
    141Кешбэк 21 балл
    1N5627-TAPДиод: DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64
    142Кешбэк 21 балл
    VS-30WQ06FNTR-M3Диод: DIODE SCHOTTKY DPAK
    145Кешбэк 21 балл
    BYV27-600-TAPДиод: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57
    146Кешбэк 21 балл
    V10P10-M3/86AДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
    149Кешбэк 22 балла
    RGP02-20E-E3/73Диод: DIODE GEN PURP 2KV 500MA DO204
    150Кешбэк 22 балла
    V8PAL50-M3/IDIODE SCHOTTKY 50V 4A DO221BC
    155Кешбэк 23 балла
    GI752-E3/73DIODE GEN PURP 200V 6A P600
    159Кешбэк 23 балла
    GI756-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 600V 6A P600
    160Кешбэк 24 балла
    GI752-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 200V 6A P600
    160Кешбэк 24 балла
    VS-50WQ04FN-M3Диод: DIODE SCHOTTKY 40V 5.5A DPAK
    161Кешбэк 24 балла
    BY269TAPДиод: DIODE AVALANCHE 1.6KV 2A SOD57
    162Кешбэк 24 балла
    VS-30BQ060-M3/9ATДиод: DIODE SCHOTTKY 3.0A SMC
    163Кешбэк 24 балла
    BYW32-TAPДиод: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57
    163Кешбэк 24 балла
    V12P10-M3/86AДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A
    163Кешбэк 24 балла
    VS-6ESH06-M3/86ADIODE GEN PURP 600V 6A TO277A
    164Кешбэк 24 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторные модули
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды силовые
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы специального назначения
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Принадлежности для дискретных полупроводников
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП